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磁存储装置及其制备方法
本发明提供一种磁存储装置的制备方法，包括：提供基底，所述基底包括自下而上依次设置的金属互连层和金属通孔层；在所述基底上自下而上设置自旋轨道矩形成层、磁隧道结叠层和硬掩膜层；对所述硬掩膜层和所述磁隧道结叠层进行刻蚀，以形成...
沐欣王莎莎郑泽杰
磁畴壁移动元件及磁存储阵列
本发明提供一种可靠性高的磁畴壁移动元件及磁存储阵列。本实施方式的磁畴壁移动元件从靠近基板的一侧起依次层叠有第一铁磁性层、非磁性层、第二铁磁性层，从层叠方向俯视，在沿着与所述第一铁磁性层延伸的第一方向正交的第二方向切断的切...
芦田拓也柴田龙雄
一种磁存储单元及阵列
本申请提供了一种磁存储单元及阵列，涉及半导体技术领域，磁存储单元至少包括自旋轨道矩层以及与设置于自旋轨道矩层上方的磁隧道结；其中，通过向磁隧道结顶端和自旋轨道矩层至少一端之间的写入通路施加第一写入电压，同时使磁隧道结短路...
张洪超李金浩王旻韩则地史祥锋李淑慧周剑锋刘宏喜王戈飞
磁存储装置
提供具有优异的特性及可靠性的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置具备：第1布线，在第1方向上延伸；第2布线，设置在所述第1布线的上层侧，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；存储单元，设置在所述第1布线与所述第2布线之间...
伊藤雄一
磁存储装置及磁存储装置的制造方法
实施方式提供可靠性高的磁存储装置。实施方式的磁存储装置包括：层叠体、层叠体的侧面上的第一氮化物、第一氮化物的侧面上的第一层、第一层的侧面上的第二层、层叠体上的第一电极及第二层的侧面上的第二氮化物。层叠体包括：第一铁磁性层...
园田康幸
磁存储装置
实施方式提供一种能够进行稳定的读取动作的磁存储装置。实施方式的磁存储装置具备：磁性存储细线(MML)，该磁性存储细线是线性磁性体，且具有磁化方向可变的第1磁区及第2磁区；磁阻效应元件(11)，具有与第1磁区的磁化方向对应...
上田善宽
磁存储单元、逻辑模块、装置、器件及运算放大器
本发明提供一种磁存储单元，包括：第一电极层；压电层，设置在所述第一电极层的上表面；第二电极层，设置在所述压电层的上表面；压电顶电极，包括对称设置在第二电极层两侧的第一压电顶电极和第二压电顶电极，所述第一压电顶电极和所述第...
石以诺周铁军刘波
磁存储单元及其制备方法
本发明提供一种磁存储单元，包括：衬底层，所述衬底层包括间隔设置的两个底电极；自旋轨道矩层，设置在所述衬底层的上表面，所述自旋轨道矩至少覆盖所述两个底电极；磁隧道结，设置在所述自旋轨道矩层上表面，所述磁隧道结至少覆盖所述两...
何世坤王莎莎迟克群
磁记录介质及磁存储装置
本发明的目的在于，提供一种磁记录介质，通过抑制向磁性层中扩散的氧原子，减小磁记录层所含的磁性粒子的粒径，提高饱和磁化，进一步使磁记录介质的面记录密度提高。本发明涉及的磁记录介质，是在非磁性基板上，至少依次具有基底层、磁记...
佐藤优树福岛隆之坂本刚志柴田寿人山口健洋田嶋胜
自终止写入电路及磁存储装置
本发明提供一种自终止写入电路，用于将磁存储单元从反平行态写为平行态，电路包括：延时单元，将第一端的信号在预定延时后从第二端输出；第一与门，第一/二输入端与延时单元的第二/一端电连接；第二与门，第二与门的第一输入端与第一与...
沈岙
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吴光恒
作品数：172被引量：282H指数：11
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：马氏体相变 HEUSLER合金 X 磁性 MN
王开友
作品数：64被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：自旋轨道耦合 自旋 自旋轨道 磁矩 磁隧道结
唐晓莉
作品数：254被引量：180H指数：8
供职机构：电子科技大学
研究主题：铁磁层 磁性薄膜 电子陶瓷材料 磁矩 自旋波
郭玮
作品数：50被引量：0H指数：0
供职机构：北京航空航天大学
研究主题：电路 负载电路 磁隧道结 磁存储器 隧道结
马丽
作品数：82被引量：49H指数：5
供职机构：河北师范大学
研究主题：SUB 交换偏置 磁存储器 室温铁磁性 磁性