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2025年6月4日星期三

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碳化硅单晶及其制备方法: 本发明涉及一种碳化硅单晶及其制备方法，所述碳化硅单晶的制备方法包括如下步骤：将有机硅源、聚合物单体及引发剂进行聚合反应，得到含有硅烷基团的聚合物；在所述含有硅烷基团的聚合物的表面沉积二氧化硅，得到核‑壳结构前驱体；将所述...; 苏宏久雒睿雯宋平李德翔徐忠林杜辛

一种碳化硅单晶生长装置: 本实用新型涉及碳化硅技术领域，尤其为一种碳化硅单晶生长装置，包括底座，所述底座的顶部固定连接有外炉体，所述外炉体的内腔设有内炉体且所述内炉体的顶部贯穿所述外炉体的顶部并延伸至所述外炉体的上方且所述内炉体与所述外炉体的顶部...; 邓磊杨明晨

碳化硅单晶的热场系统: 本实用新型公开了一种碳化硅单晶的热场系统，该热场系统包括：坩埚，坩埚包括坩埚盖和坩埚本体，坩埚盖与坩埚本体可拆卸相连，坩埚盖的底部粘贴有籽晶，在从坩埚盖的边缘到中心的方向上，坩埚盖与籽晶相对的部分的厚度逐渐增大；石墨软毡...; 陈正吴建樊宇李远田

一种碳化硅单晶生长方法和坩埚: 本发明涉及碳化硅单晶生长领域，特别涉及一种碳化硅单晶生长方法和坩埚。本发明中的坩埚包括锅体、内加热器和外加热器，锅体构造为顶部开口的圆环状，且由石墨构造，锅体包括同轴设置且相互连接的内环壁和外环壁，内加热器连接于锅体的内...; 杨倩倩刘源周杰苏奕霖况家仪梁刚强

一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法: 本申请提供了一种籽晶托及碳化硅单晶生长方法，通过在籽晶托基底的中心区域设有导热层，并且导热层的热导率大于籽晶托基底的热导率。当将SiC籽晶粘结在籽晶托上进行单晶生长时，由于籽晶托中心区域的导热层的热导率比石墨籽晶托基底大...; 杨祥龙徐现刚陈秀芳胡小波于国建

坩埚盖和碳化硅单晶生长装置: 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种坩埚盖和碳化硅单晶生长装置；坩埚盖包括中间部和边缘部，中间部用于安装籽晶，边缘部呈环状、且环绕中间部设置，边缘部的内环侧壁与中间部的周向侧壁连接；其中，边缘部还具有与内环侧...; 张文涛高玉强王旻峰

一种用于碳化硅单晶生长的坩埚装置: 本实用新型提供一种用于碳化硅单晶生长的坩埚装置，涉及半导体生长技术领域。坩埚装置包括呈筒状的生长坩埚、位于所述生长坩埚内的过滤体和限位块，过滤体包括呈筒状的主体部和环形的横板部，主体部的底部与生长坩埚的底壁相连，横板部跨...; 苗浩伟杨倩倩

一种PVT法生长碳化硅单晶的设备: 本发明公开一种PVT法生长碳化硅单晶的设备，包括机架；炉腔；该炉腔设置在机架上，热场结构；该热场结构设置在炉腔内；加热结构；该加热结构环绕在炉腔的外部；进气结构；该进气结构包括进气口、出气口以及进气通道，进气口设置在炉腔...; 张新峰黄杰杜陈黄宏嘉帝玛陈善亮李国平

一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法: 本发明提供了一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述碳化硅单晶用生长装置包括坩埚、籽晶固定组件、原料区、石墨筒以及保温结构，所述坩埚具有位于中心的第一腔体、位于所述第一腔体外周的第二腔体，所述...; 李扬郑向光杨昆刘新辉路亚娟

一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置: 本发明提供一种大尺寸碳化硅单晶的PVT生长装置，包括生长炉、X射线原位成像模块和控制系统，生长炉由外至内包括炉壁、保温毡、板型电阻加热器和坩埚，X射线原位成像模块包括分别设于生长炉的单晶生长的径向方向的相对两侧的X射线源...; 康俊勇尹君康闻宇

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徐现刚: 作品数：587被引量：444H指数：10; 供职机构：山东大学; 研究主题：碳化硅 SIC单晶籽晶碳化硅单晶 SIC

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