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硼氮纳米管激子声子耦合发光的理论研究: 基于新奇的量子特性以及潜在的高功率-体积比，一维半导体材料被认为是实现下一代电子学、自旋电子学以及能量转换量子功能器件的理想体系。一维半导体材料因具有特殊的性质，如激子效应，在光电器件领域有潜在的应用价值。尽管碳纳米管...; 黄洪熹; 关键词：氮化硼纳米管光致发光光谱

修饰碳、硼氮纳米管的结构和线性光学性质的理论化学研究: 近年来,碳纳米管和硼氮纳米管在众多领域表现出了迷人的性质,已经成为具有广泛应用前景的新型纳米材料。随着信息时代的到来,设计并开发具有纳米尺度的非线性光学材料对光通讯、光计算和光信息处理具有重要的意义。另一方面,量子化学是...; 钟荣林; 关键词：碳纳米管硼氮纳米管量子化学非线性光学非共价相互作用密度泛函理论

扶手椅型单壁硼氮纳米管的尺寸对α-Ala手性转变的限域影响被引量：9: 2015年; 采用量子化学ONIOM(B3LYP/6-31++G(d,p):UFF)方法研究限域在扶手椅型单壁硼氮纳米管[(SWBNNT(5,5)、SWBNNT(6,6)和SWBNNT(7,7)]内,α-Ala的结构和手性转变机制.分子结构分析表明:与单体α-Ala相比,受限于SWBNNT(5,5)内的α-Ala分子沿纳米管轴向被拉伸,骨架C-C-C键角和C-C-N-C二面角明显增大,其他结构参数略有变化;受限于SWBNNT((6,6)、(7,7))内的α-Ala结构变化愈来愈不明显.手性转变反应势能面计算结果表明:与单体α-Ala相比较,α-Ala在SWBNNT((5,5)、(6,6)、(7,7))内时,羧基内氢转移和氢从手性碳转移至羰基的能垒,随纳米管管径的降低而降低.手性转变反应路径研究发现:α-Ala在不同直径的SWBNNT((5,5)、(6,6)、(7,7))内时,完成手性转变所经历的反应路径条数以及过渡态和中间体的个数不同,体现了扶手椅型SWBNNT尺寸的变化对α-Ala手性转变反应通道的影响.; 王佐成梅泽民佟华赵衍辉夏立利杨小翠; 关键词：密度泛函理论

钴纳米线填充(12,0)硼氮纳米管的电子结构与磁性被引量：2: 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了密排六方结构的Co10纳米线填充(12,0)硼氮纳米管(BNNT)的结构稳定性、电子性质和磁性质。完全弛豫后的Co10/BNNT(12,0)复合体系,外围的BNNT沿着Co10纳米线的三重旋转对称轴变成了近似正三角形的结构。复合体系Co10/BNNT(12,0)的形成是自发地放热过程。电荷由Co10纳米线转移到BNNT上。Co10纳米线最外层的Co原子与其近邻的N原子形成的Co-N键具有极性共价键特征。Co10纳米线封装入BNNT后,其平均磁矩有所减小,但相对于纯BNNT,Co10/BNNT(12,0)体系具有较大的磁矩值。同时复合体系Co10/BNNT(12,0)表现出明显的半金属特征。因此这种稳定的纳米复合体系在高密度磁数据记录设备及自旋电子学器件等方面具有重要的应用价值。; 解忧霍义萍张涛赵省贵张建民; 关键词：硼氮纳米管电子结构磁性第一性原理

锂化硼氮纳米管的二阶非线性光学理论研究被引量：4: 2013年; 基于硼氮纳米管（BNNTs），研究了多重锂化硼氮纳米管Lin-（n，O，l）BNNTs（n=6和8，l=2～4）的结构与非线性光学性质．研究表明，在Lin-（n，0，l）BNNTs中，Li原子上的自然键轨道电荷接近＋1（0．769～0．827e），表明“原子上的电子转移到了硼氮纳米管上，从而形成了多重锂盐．同时发现，增加管长和拓宽管径都可有效地增加体系的一阶超极化率．更重要的是，Lin-（n，0，l）BNNTs的紫外-可见吸收主要发生在270—290nm附近，且当管长增加时，Lia^-（n，0，l）BNNT的紫外一可见吸收光谱发生了蓝移，改善了非线性与透光性之间的关系．此外，Lin-（n，0，l）BNNTs还具有良好的稳定性[垂直电离势（VIP）=5．85～6．0eV]．; 周中军李晓平黄旭日武志坚李志儒; 关键词：硼氮纳米管非线性光学透光性

钯掺杂硼氮纳米管对CO分子吸附作用的理论研究: 近年来对硼氮纳米管(BNNTs)气敏特性的研究成为一大热点课题。如何对硼氮纳米管表面进行修饰改性，诱导其半导体化，并提高其对气体分子的敏感性和选择性是一大难题。理想型的BNNTs表现出绝缘性，而且与CO分子几乎没有相互作...; 崔彧; 关键词：硼氮纳米管密度泛函理论

碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法: 碳掺杂硼氮纳米管/半导体氧化物复合材料及其制备方法，它涉及纳米材料/氧化物复合材料及其制备方法。本发明解决了现有的检测氮氧化合物气体的敏感材料室温下灵敏度低、响应速度慢的问题。本发明的复合材料由碳掺杂硼氮纳米管、过渡金属...; 史克英付宏刚张连萍刘艳伟秦臻; 文献传递

磷和铝掺杂硼氮纳米管几何结构和电学性质的理论研究: 硼氮纳米管是一种电子性质比较稳定、单一、宽带隙的半导体材料。它的带隙很大(4.5～5.5eV),但是几乎和它的直径、手性、螺旋度、管壁层数等结构参数无关,因此它的导电性能很差,几乎表现出绝缘体的特征。基于硼氮纳米管自身所...; 叶婷; 关键词：硼氮纳米管磷掺杂铝掺杂密度泛函理论电学性质

水吸附硼氮纳米管电子结构的第一性原理研究: 2010年; 采用第一性原理研究了无电场存在时各种极性分子吸附硼氮纳米管(BNNT)的电子结构性质。结果表明:随吸附水分子数目增加,BNNT的DOS向低能端移动;BNNT+CH4电子结构变化不明显。DOS、Mulliken电荷分布、HOMO/LUMO及其能隙分析一致表明:各种吸附体系中BNNT+3H2O的场发射性能最佳。; 安博; 关键词：硼氮纳米管密度泛函理论电子结构

碳掺杂(9,0)型闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究被引量：6: 2010年; 本文运用第一性原理研究了(9,0)型闭口硼氮纳米管及其两种C掺杂体系的场发射性能。对三种纳米管体系的态密度、局域态密度、赝能隙、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙和Mulliken电荷的分析结果表明,C替代顶层六元环中硼与氮原子的场发射性能分别最优和最差。由此可见,C掺杂改善硼氮纳米管场发射性能的关键在于被置换原子的种类。; 刘光清王六定王益军杨敏; 关键词：硼氮纳米管场发射第一性原理

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