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含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体
用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度砷化镓晶体的方法和体系可包括一种砷化镓单晶晶片,该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm<SUP>‑2</SUP>、并且在940nm处的光吸收为6cm<SUP>‑1</SUP>以下。晶...
拉贾拉姆·谢蒂刘卫国杨盛世
一种基于砷化镓晶体的光纤矢量风速测量系统及其测量方法
本发明提供一种基于砷化镓晶体的光纤矢量风速测量系统,包括探测光源、加热光源、光纤耦合器、探测仪器、数据采集模块、传感装置和控制器;探测光源、加热光源、传感装置和探测仪器与光纤耦合器的各端口依次连接,探测仪器、数据采集模块...
杨天宇张兴宇董玉明
砷化镓晶体砷化镓晶体基板
本发明涉及砷化镓晶体砷化镓晶体基板。在砷化镓晶体中,所述砷化镓晶体的蚀坑密度为10个·cm<Sup>‑2</Sup>以上且10000个·cm<Sup>‑2</Sup>以下,并且所述砷化镓晶体的氧浓度小于7.0×10<S...
福永宽秋田胜史石川幸雄
半绝缘性砷化镓晶体基板
本发明涉及一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑1...
河本真弥木山诚石川幸雄桥尾克司
半绝缘性砷化镓晶体基板
一种半绝缘性砷化镓晶体基板,所述半绝缘性砷化镓晶体基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的...
河本真弥木山诚石川幸雄桥尾克司
一种砷化镓晶体生长用的加热机构
本实用新型公开了一种砷化镓晶体生长用的加热机构,具体晶体生长加热领域,包括主炉体,主炉体的外壁固定安装有固定轴,固定轴的外壁嵌套安装有转动杆,转动杆的底部嵌入安装有底磁块,转动杆的顶部嵌入安装有顶磁块,转动杆的内壁贴合安...
卜俊鹏
一种用于砷化镓晶体生长用新型密封结构
本申请涉及半导体技术领域,具体公开了一种用于砷化镓晶体生长用新型密封结构,包括石英管和与石英管螺纹连接的石英帽,所述石英帽内壁设有内螺纹且与石英管螺纹连接;所述石英帽靠近石英管一侧沿其周面开设有容纳槽,容纳槽处于石英帽顶...
张满
一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法
本发明涉及半导体材料制备技术领域,更具体而言,涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法,该装置包括晶体生长装置与恒温冷壁炉,所述晶体生长装置设置在恒温冷壁炉内;通过对恒温冷壁炉温度与炉内压力的控制实现晶体生长...
柴晓磊 高佑君 樊海强
一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法
本发明公开一种判断砷化镓晶体中线性孪晶长度的方法,包括以下步骤:S1.预处理晶片,测量晶片头部一端线性孪晶的任意一端点到晶片侧面的垂直距离;S2.根据线性孪晶和晶体角度偏转的方向和角度有关联性,得出线性孪晶长度计算公式;...
刘建忠刘火阳周铁军易明辉
一种砷化镓晶体生长用石英坩埚
本实用新型涉及砷化镓晶片加工技术领域,且公开了一种砷化镓晶体生长用石英坩埚,包括底座,所述底座内壁底部固定安装有数量为两个且呈左右对称分布的电动滑轨,两个所述电动滑轨顶部均活动连接有半圆板。该砷化镓晶体生长用石英坩埚,通...
卜俊鹏

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金敏
作品数:30被引量:39H指数:3
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
研究主题:晶体生长 坩埚下降法 晶体 坩埚下降法生长 砷化镓晶体
惠勇凌
作品数:155被引量:213H指数:8
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 被动调Q 增益介质 光束质量 固体激光技术
雷訇
作品数:180被引量:277H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 光束质量 增益介质 被动调Q 脉宽
姜梦华
作品数:167被引量:233H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 光束质量 光纤耦合 固体激光器 脉宽
徐家跃
作品数:196被引量:328H指数:11
供职机构:上海应用技术学院材料科学与工程学院
研究主题:晶体生长 坩埚下降法 坩埚下降法生长 晶体 闪烁晶体