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砷化镓晶体
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度
砷化镓
晶体
用于含硼掺杂剂的低腐蚀坑密度
砷化镓
晶体
的方法和体系可包括一种
砷化镓
单晶晶片,该晶片含有硼作为掺杂剂、腐蚀坑密度小于500cm<SUP>‑2</SUP>、并且在940nm处的光吸收为6cm<SUP>‑1</SUP>以下。晶...
拉贾拉姆·谢蒂
刘卫国
杨盛世
一种基于
砷化镓
晶体
的光纤矢量风速测量系统及其测量方法
本发明提供一种基于
砷化镓
晶体
的光纤矢量风速测量系统,包括探测光源、加热光源、光纤耦合器、探测仪器、数据采集模块、传感装置和控制器;探测光源、加热光源、传感装置和探测仪器与光纤耦合器的各端口依次连接,探测仪器、数据采集模块...
杨天宇
张兴宇
董玉明
砷化镓
晶体
和
砷化镓
晶体
基板
本发明涉及
砷化镓
晶体
和
砷化镓
晶体
基板。在
砷化镓
晶体
中,所述
砷化镓
晶体
的蚀坑密度为10个·cm<Sup>‑2</Sup>以上且10000个·cm<Sup>‑2</Sup>以下,并且所述
砷化镓
晶体
的氧浓度小于7.0×10<S...
福永宽
秋田胜史
石川幸雄
半绝缘性
砷化镓
晶体
基板
本发明涉及一种半绝缘性
砷化镓
晶体
基板,所述半绝缘性
砷化镓
晶体
基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑1...
河本真弥
木山诚
石川幸雄
桥尾克司
半绝缘性
砷化镓
晶体
基板
一种半绝缘性
砷化镓
晶体
基板,所述半绝缘性
砷化镓
晶体
基板具有主表面,所述主表面具有(100)的平面取向和2Rmm的直径,所述主表面在以在[010]方向上距所述主表面的中心的距离分别为0mm、0.5Rmm和(R‑17)mm的...
河本真弥
木山诚
石川幸雄
桥尾克司
一种
砷化镓
晶体
生长用的加热机构
本实用新型公开了一种
砷化镓
晶体
生长用的加热机构,具体
晶体
生长加热领域,包括主炉体,主炉体的外壁固定安装有固定轴,固定轴的外壁嵌套安装有转动杆,转动杆的底部嵌入安装有底磁块,转动杆的顶部嵌入安装有顶磁块,转动杆的内壁贴合安...
卜俊鹏
一种用于
砷化镓
晶体
生长用新型密封结构
本申请涉及半导体技术领域,具体公开了一种用于
砷化镓
晶体
生长用新型密封结构,包括石英管和与石英管螺纹连接的石英帽,所述石英帽内壁设有内螺纹且与石英管螺纹连接;所述石英帽靠近石英管一侧沿其周面开设有容纳槽,容纳槽处于石英帽顶...
张满
一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及
砷化镓
晶体
生长方法
本发明涉及半导体材料制备技术领域,更具体而言,涉及一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及
砷化镓
晶体
生长方法,该装置包括
晶体
生长装置与恒温冷壁炉,所述
晶体
生长装置设置在恒温冷壁炉内;通过对恒温冷壁炉温度与炉内压力的控制实现
晶体
生长...
柴晓磊
高佑君
樊海强
一种判断
砷化镓
晶体
中线性孪晶长度的方法
本发明公开一种判断
砷化镓
晶体
中线性孪晶长度的方法,包括以下步骤:S1.预处理晶片,测量晶片头部一端线性孪晶的任意一端点到晶片侧面的垂直距离;S2.根据线性孪晶和
晶体
角度偏转的方向和角度有关联性,得出线性孪晶长度计算公式;...
刘建忠
刘火阳
周铁军
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一种
砷化镓
晶体
生长用石英坩埚
本实用新型涉及
砷化镓
晶片加工技术领域,且公开了一种
砷化镓
晶体
生长用石英坩埚,包括底座,所述底座内壁底部固定安装有数量为两个且呈左右对称分布的电动滑轨,两个所述电动滑轨顶部均活动连接有半圆板。该
砷化镓
晶体
生长用石英坩埚,通...
卜俊鹏
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相关作者
金敏
作品数:30
被引量:39
H指数:3
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所
研究主题:晶体生长 坩埚下降法 晶体 坩埚下降法生长 砷化镓晶体
惠勇凌
作品数:155
被引量:213
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供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 被动调Q 增益介质 光束质量 固体激光技术
雷訇
作品数:180
被引量:277
H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 光束质量 增益介质 被动调Q 脉宽
姜梦华
作品数:167
被引量:233
H指数:9
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 光束质量 光纤耦合 固体激光器 脉宽
徐家跃
作品数:196
被引量:328
H指数:11
供职机构:上海应用技术学院材料科学与工程学院
研究主题:晶体生长 坩埚下降法 坩埚下降法生长 晶体 闪烁晶体
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