搜索到168篇“ 砷化镓场效应管“的相关文章
- 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法
- 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法,该方法有六大步骤:步骤1:建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图;步骤2:确定等效电路模型元件与物理结构的关系;步骤3:研究确定模型元件受温度影响的物理机制;步骤4:建...
- 张超付桂翠谷瀚天张栋
- 文献传递
- 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法
- 一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法,该方法有六大步骤:步骤1:建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图;步骤2:确定等效电路模型元件与物理结构的关系;步骤3:研究确定模型元件受温度影响的物理机制;步骤4:建...
- 张超付桂翠谷瀚天张栋
- 砷化镓场效应管沟道温度测试装置
- 砷化镓场效应管沟道温度测试装置特征在于,它是由计算机和控制器组成控制中心,通过时序调整电路分别控制带有两个可编程控制电源的漏极、栅极开关,实现了对被测管施加安全的任意工作条件与测试条件的转换。并通过电流、电压转换电路、漏...
- 王重吕长志冯士维丁广钰王明珠谢雪松张威
- 文献传递
- 砷化镓场效应管高效5W S波段遥测发射机
- 1998年
- Bamb.,T
- 关键词:机载S波段遥测发射机砷化镓场效应管
- 全文增补中
- 砷化镓场效应管的潜在性失效被引量:4
- 1997年
- 为提高GaAsMESFET静电放电失效阈值,通过ESD实验前、后直流参数和热分布变化获取不足10%的器件表现为永久性失效,而90%以上的器件表现为潜在性失效的结果。潜在性失效机理为:在强电场、大电流及ns级瞬时冲击下,辅之以电热迁移和扩散,致使GaAsMESFET肖特基势垒受到不同程度损伤,G-S、G-D间的界面离化或击穿。研究其潜在性失效机理,找出在设计、工艺和材料上的缺陷,以提高器件抗静电能力.
- 桂建勋刘庆祥王文生
- 关键词:砷化镓场效应管静电放电
- 功率砷化镓场效应管大信号S参数模拟
- 本文讨论了用CAD方法获得砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(GaAs MESFET)大信号S参数的途径。从MESFET大信号模型出发,采用谐波平衡法求出稳态解,可获得了大信号、小信号S参数,并自动在同一Smith圆图上显示出...
- 骆建军邓先灿
- 关键词:功率场效应晶体管砷化镓计算机辅助设计
- 砷化镓场效应管(GaAsMESFET)热特性分析仪
- 砷化镓场效应管是广泛应用于通讯、国防等领域的重要器件。该种砷化镓场效应管(GaAsMESFET)热特性分析仪能够非损伤性地测量器件工作时的温升热阻以及从器件到外部管壳的热阻构成。该测试仪自动测量程度高,所有操作全部由计算...
- 关键词:
- 关键词:砷化镓场效应管自动测量
- 砷化镓场效应管偏压电路——TCM850被引量:1
- 1999年
- 砷化镓场效应管工作频率高、噪声低,应用于卫星通信系统或蜂窝电话等通信装置,工作时要求负偏压,TCM850就是为这种要求开发的。但也适用于需精密负电源的场合。 TCM850由电荷泵电压转换器及一个低噪声线性稳压器组成。结构框图如图1所示。当FB端接地时,输出端(OUT)输出固定的-4.1V;当FB端接在OUT与GND之间的电阻分压器中点时,输出电压取决于分压比(-1.28~-9V之间可调),如图2所示。
- 殷玉
- 关键词:砷化镓场效应管偏压电路
- 微波砷化镓场效应管线性模型研究
- 徐希俊
- 用Volterra级数展开表示法分析砷化镓场效应管交调失真
- 文章用Vvolterra级数分析了砷化镓场效应管放大器的交调失真。在采用的砷化镓场效应管非线性电路模型中,考虑了偏置电压和输入信号电平对非线性参数的影响。分析是用计算机完成的,优化选择了微波砷化镓场效应管线性功率放大器的...
- 洪兴楠张向东
- 关键词:砷化镓场效应管交调失真级数展开VOLTERRA
- 文献传递
相关作者
- 谷瀚天

- 作品数:10被引量:0H指数:0
- 供职机构:北京航空航天大学
- 研究主题:场效应 参数设计 符合性 仿真 航天器
- 张超

- 作品数:896被引量:3,147H指数:23
- 供职机构:吉林大学
- 研究主题:地质意义 地球化学特征 大豆分离蛋白 加速寿命试验 可食性膜
- 张栋

- 作品数:25被引量:37H指数:3
- 供职机构:北京航空航天大学
- 研究主题:亚健康 焊点 网络监测 数字集成电路 实时监测
- 付桂翠

- 作品数:99被引量:424H指数:12
- 供职机构:北京航空航天大学
- 研究主题:可靠性 元器件 失效物理 散热器 电子设备
- 桂建勋

- 作品数:3被引量:4H指数:1
- 供职机构:中国民航大学
- 研究主题:场效应管 静电放电 砷化镓场效应管 砷化镓 航空发动机