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搜索到84篇“ 电荷控制模型“的相关文章

基于电荷控制模型的通用忆阻器仿真器被引量：2: 2020年; 针对忆阻器尚未商业化的现状,为了给忆阻器的相关研究提供一种可替代的仿真器,在HP模型的基础上推导出一种简单通用的电荷控制模型,设计并实现了一款基于模拟器件的荷控仿真器。利用软件PSPICE对仿真器的伏安特性进行了仿真分析和优化,同时采用印刷线路板技术加工制作了仿真器实物电路。仿真和测试结果表明,在正弦信号激励下忆阻器仿真器展现出典型的非线性磁滞回线特性,且该荷控忆阻器仿真电路结构简单,易于加工,在实际电路的应用方面具有一定的参考价值。; 赵国凯游彬; 关键词：电荷控制模型仿真器电压电流特性滞回曲线

氮化镓异质结晶体管电荷控制模型与新结构: 宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）是第三代半导体的典型代表，AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（HFET）已经成为了电力电子行业快速增长一个分支。与传统的硅功率器件相比，AlGaN/GaN HFET可以实现在大功率、高温...; 汪志刚; 关键词：电荷控制

典型场效应器件电荷控制模型研究: 电荷控制模型描述了器件导电机构在栅压调控下变化的规律，它是场效应器件建模的核心部分之一。目前，场效应器件的电荷控制模型有两种建模方法：基于阈值电压模型与基于表面势的模型。由于历史原因，基于阈值电压的电荷控制模型一直是场效...; 张达; 关键词：场效应器件电荷控制模型

双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型: 2004年; 利用泊松方程以及异质结能带理论 ,通过费米能级 -二维电子气浓度的线性近似 ,推导了基于双异质结双平面掺杂的 HEMT器件的电荷控制模型 .计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度 ,栅金属与顶部平面掺杂层距离等材料结构尺寸和阈值电压、二维电子气浓度的关系 .该模型为优化和预测双平面掺杂; 陈震刘新宇吴德馨; 关键词：电荷控制模型异质结二维电子气 EEACC

IGCT综合型电荷控制模型的建立和仿真被引量：6: 2003年; 以电荷控制方程而建立的IGCT综合型电荷控制模型 ,经关键性的关断电流和关断电压进行了仿真分析 ,所得结果与实际结果吻合。因此该模型是有效可行的 ,可用于IGCT的开关特性分析和集成门极电路设计。; 张华曹段飞; 关键词：IGCT 电荷控制

基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型: 2000年; 从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法。; 马玉涛刘理天李志坚; 关键词：电荷控制模型 MOS结构

混合型LIGBT／LDMOS晶体管瞬态响应的电荷控制模型被引量：5: 1994年; 本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中双极晶体管宽漂移区的电导调制效应和瞬态电荷分布效应，利用保角变换求得抽出区导通电阻，从而获得归一化瞬态截止电流和瞬态截止时间及它们与漂移区长度和材料参数，特别是与两器件宽度比的关系，据此，可制作高速开关器件．; 李肇基张旻; 关键词：绝缘栅双极晶体管瞬态响应 LDMOS

栅下双异质结增强型AlGaN/GaN HEMT被引量：3: 2022年; 为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。使用双异质结电荷控制模型分析了基本机理,推导了阈值电压表达式。仿真结果表明,器件阈值电压与调制层Al组分呈线性关系。当调制层Al组分小于势垒层时,阈值电压增大,反之减小。调制层厚度可加大这种调制作用。当调制层Al组分为0%、厚度为112 nm时,器件具有2.13 V的阈值电压和1.66 mΩ·cm;的比导通电阻。相对于常规凹槽栅结构,新结构的阈值电压提高了173%。; 陈飞冯全源杨红锦文彦; 关键词：增强型高电子迁移率晶体管阈值电压双异质结电荷控制模型

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续): 2021年; 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。; 薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵; 关键词：电荷控制模型

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制被引量：2: 2021年; 从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。; 薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵; 关键词：电荷控制模型

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