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一种高功率微波电磁敏感度试验装置及方法: 本发明公开了一种高功率微波电磁敏感度试验装置及方法，包括屏蔽试验舱（11）和屏蔽控制舱（6），接收天线（1）固定在屏蔽试验舱（11）顶端的外壳上，发射天线（8）和场强探头（9）固定在屏蔽试验舱（11）内，接收天线（1）与...; 吴诗月管徐青云陈军金开礼胡天涛何洋

磁随机存储器的电磁敏感度研究: 2024年; 采用直接功率注入法(direct power injection,DPI)对一款新型磁随机存储器(magneto resistive random access memory,MRAM)芯片进行了抗干扰测试。在存储数字“0”和“1”的情况下,对MRAM的电源引脚、数据引脚、控制引脚进行了干扰注入,对比了各引脚的失效功率。测试结果表明:MRAM在存储数字“0”时的敏感度比数字“1”时的敏感度低;与干扰从地引脚注入相比,干扰从电源引脚注入时芯片的敏感度更高;读取电路电磁敏感度和输出引脚与电源引脚具有较大相关性。这一研究结果可为提升新型存储器MRAM的芯片抗扰度及电路优化提供理论参考。; 吴健煜杜传报吴清川吴建飞刘斌宋少兵; 关键词：电磁兼容磁随机存储器电磁敏感度

粒子加速器工艺接地电磁敏感度测试和评价方法: 本发明涉及一种粒子加速器工艺接地电磁敏感度测试和评价方法，包括如下步骤：确定敏感度测试实验的内容和频谱管理要求，并确定电磁敏感度评价的内容；确定测试系统和试验布置要求；在敏感度测试实验的内容和频谱管理要求以及电磁敏感度评...; 封安辉杨建成刘晔张永搏王儒亮郑亚军周忠祖

一种汽车芯片在车载装备应用场景下的电磁敏感度相关性动态测试方法: 本文提供了一种汽车芯片在车载装备应用场景下的电磁敏感度相关性动态测试方法。本方法适用于面向汽车应用的芯片在特定车载应用场景下进行电磁兼容辐射抗干扰测试。通过将汽车芯片运行在系统级的任务剖面上,施加车载的电磁辐射干扰信号,...; 雷黎丽李齐; 关键词：电磁敏感度

AMT控制器传导电磁敏感度研究被引量：3: 2023年; AMT控制器作为汽车控制系统中的核心部件,极易受到电磁干扰,并导致传输信号误码率增高、传输中断、甚至传输错误指令。结合GJB151B-2013对军用设备和分系统电磁发射和敏感度要求与测量,进行CS101、CS106、CS114、CS115和CS116五项电磁兼容性指标测试。测试结果证明,AMT控制器抗电磁传导干扰能力满足敏感度判据要求,AMT控制器设计具有很好的抗电磁传导干扰能力。; 王彪王天楠赵洋; 关键词：电磁兼容试验测试

发动机电控单元PCB电磁敏感度试验-仿真协同定位方法: 本发明公开一种发动机电控单元PCB电磁敏感度试验‑仿真协同定位方法，选取发动机电控系统在大电流注入下的电磁耦合特性和耦合效应进行研究，分析电控系统控制器在大电流注入下的电磁耦合效应，利用仿真分析和试验验证相结合的方法，得...; 魏民祥王紫焱邢致毓武子栋陈鸣涧余迎松徐志欣王成东黄盟李玉芳曹杰

美国核管会RG 1.180-2019测试方案分析--电磁敏感度被引量：2: 2021年; 美国核管会基于MIL-STD-461G:2015、IEC 61000-4、IEEE Std C62等电磁兼容系列标准,形成了RG 1.180-2019《安全相关仪控系统电磁和射频干扰评估导则》中特定的电磁兼容敏感度测试方案。详细对比分析导则认可的不同标准体系及测试方案发现,RG 1.180-2019选用的MIL-STD-461G:2015和IEC 61000-4都针对电磁敏感度规定了较全面的测试方法和测试程序,但二者的频率范围、适用范围、测试限值等存在较大差异。此外,RG 1.180-2019提供了两套浪涌测试方案,并新增了静电放电测试项目。为方便国内核电厂开展电磁敏感度测试,文章最后给出了安全相关仪控系统电磁敏感度测试方案明确的选用程序和注意事项。; 邵鄂李帅男李菊史云雷朱文立黎亮文李宣毅; 关键词：美国核管会仪控系统电磁兼容电磁敏感度

车辆发动机点火系统电磁敏感度评估: 高功率微波武器是电磁脉冲武器中最为重要的一种，可以在电子对抗作战中制敌于无形，摧毁敌方车辆的机动性，改变战争的走向。有研究数据表明，电磁脉冲对车辆辐照作用时，发动机点火系统受扰失效情况最为严重，因此深入研究车辆发动机点火...; 贾云龙; 关键词：车辆发动机点火系统电磁敏感度层次分析法

基于MRAM存储模块的电磁敏感度研究: 在科技日益革新的今天，电子系统广泛应用于航空航天、军事装备、信息通信等领域。存储器作为电子系统中十分重要的电子器件，其在恶劣电磁环境下的电磁稳定性直接决定了电子系统能否正常工作。高温高压、复杂电磁环境、粒子辐照都会成为影...; 吴健煜; 关键词：磁随机存储器存储芯片电磁敏感度结构优化

体Si和SOI工艺SRAM芯片电磁敏感度的温度效应: 2021年; 考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度效应分别对这两种不同工艺存储器芯片敏感度的影响.依据两种工艺下金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)器件结构的异同,对两种工艺下MOS器件的温度效应进行了对比分析;结合温箱和直接功率注入法(direct power injection,DPI)的测试设备,搭建了一个可用于评估温度和电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)共同作用到SRAM的测试平台.通过理论与试验研究发现随着温度的升高,两款不同工艺的SRAM存储器芯片敏感度阈值都会增加,且在100 MHz之后SOI工艺的敏感度阈值增加普遍大于体Si工艺,这对于SOI和体Si工艺集成电路在高低温环境下电磁兼容性的研究具有一定意义.; 吴旭景王蒙军吴建飞李彬鸿郝宁高见头李宏张红丽; 关键词：体硅绝缘体上硅静态随机存储器电磁敏感度温度效应

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