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搜索到891篇“ 电子散射“的相关文章

短程关联对准弹性电子散射的影响: 2024年; 核子-核子短程关联是核物理的关键问题之一,它会导致核子动量分布出现高动量尾。本工作首先基于轴向形变相对论平均场模型构建了平均场部分原子核的谱函数,并在此基础上引入了短程关联效应的修正。然后利用谱函数在平面波脉冲近似框架内计算了单举电子散射截面,包括准弹性散射部分和Δ共振散射部分。特别是在Δ共振散射区域,通过重新考虑了核子共振态Δ(1232)的电磁结构,有效地改进了理论计算,使理论散射截面与实验数据很好地吻合。本工作进一步将单举散射截面分为短程关联的贡献和平均场的贡献。研究发现,准弹性峰和Δ共振峰不仅反映了平均场结构,而且对短程关联信息敏感。最后,本工作提出了一种从实验截面中提取原子核短程关联强度的方法。; 迟子孟牛清霖刘健; 关键词：相对论平均场

甲醛/乙醛分子的低能正电子散射研究: 正电子散射是研究原子分子结构与动力学的重要手段，正电子与原子分子体系的散射研究可以更好地帮助人们了解微观粒子的内部结构、揭示正电子与电子之间的相互作用以及散射过程涉及的各种物理机制。近些年来，人们发展了正电子与原子、分子...; 王言

热等离子体影响嘶声波的色散特性和电子散射效应研究: 2023年; 由等离子体层嘶声波引起的电子散射效应是地球内磁层电子损失的重要机制,也是地球内外辐射带间槽区形成的主要原因.在量化嘶声波对高能电子散射效应的研究过程中,冷等离子体近似下的嘶声波色散关系被广泛应用.然而在实际磁层等离子体环境中,热等离子体成分的存在会修正嘶声波的色散特性,进而也会影响嘶声波对高能电子的散射效应.本文主要介绍了热等离子体影响嘶声波色散特性及其对电子散射效应的相关研究.基于卫星波动观测数据的统计分析结果证实了热等离子体效应对嘶声波色散特性的修正作用;通过典型事例分析以及基于准线性理论的数值计算,分析了嘶声波散射高能电子对地磁活动条件和热等离子体参数(电子温度各向异性、热电子温度以及热电子占比)的依赖性.结果表明,冷等离子体假设会高估100 keV以下能量电子以及较大投掷角范围内100 keV以上能量电子的散射系数,而低估较低投掷角范围内100 keV以上能量电子的散射系数.此外,冷等离子体假设下共振区间会扩展到更低能量的电子,而基于观测的色散曲线结果则使100 keV以上电子与嘶声波的共振范围扩展到更小的投掷角区间.随着热等离子体参数的增大,冷等离子体近似与热等离子体环境下的散射系数差异也逐渐增大.相关研究结果对于模拟实际等离子体环境中嘶声波对电子的散射过程以及辐射带的动态演化具有重要意义.; 马新顾旭东朱琪焦鹿怀王敬之倪彬彬; 关键词：色散关系

薄膜材料的电子散射研究及应用: 刘雨鑫

激光电子散射中的最大可能增益被引量：1: 2022年; 借鉴自由电子激光(FEL)发展之初Madey对自由电子激光器中受激辐射引起的增益的讨论,通过在激光场中的量子电动力学(QED)的模型中引入激光电子系统初态态密度以及由不确定的系统初态到确定光子末态的跃迁速率,推导了激光电子正碰过程中受激辐射至单一电磁模式产生的最大可能增益。采用成功得到X射线或γ射线光子的三个激光电子Compton背散射实验的实验参数计算了激光电子散射过程中的最大可能增益,与第一台X射线自由电子激光(XFEL)中的最大可能增益作比较,进而对激光电子散射作为激光光源的可行性进行评估。计算结果表明,现有的能够得到X射线光子或γ射线光子的激光电子散射实验中的最大可能增益远低于第一台XFEL中的。本工作未能找到合适的激光电子参数以获得比第一台XFEL中更高的最大可能增益,但是在入射电磁波位于射频波段范围内找到了能够实现较高增益的参数组合。; 尹珊珊高春媛; 关键词：增益受激辐射自由电子激光

一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件: 本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种具有电子散射与空穴加速量子垒层的半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体，多量子阱、p型半导体，所述多量子阱为量子阱层和量子垒层组成的周期结构，量子垒层为具有电子...; 阚钦

形变原子核磁电子散射理论研究: 李鑫

InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响: 与其他GaN基单异质结材料相比，传统的单异质结材料AlxGa1-xN/GaN拥有相对较强的自发极化和压电极化，使得异质结界面存在高密度和高迁移率的二维电子气。因此，单异质结材料AlxGa1-xN/GaN可以广泛应用于高频...; 宋莉娜; 关键词：电子散射

正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算: 2021年; 正电子与原子碰撞问题是原子分子物理的基本问题之一,与天体物理、等离子体物理等多方面都有着密切关系。正负电子偶素形成问题是正电子与原子散射中一种特殊的物理过程,为了研究正电子与铷原子、铯原子碰撞的正负电子偶素形成问题,利用光学势的理论方法分别计算了能量范围2~30 eV的正电子散射铷原子、铯原子基态下(n=1)的正负电子偶素形成截面,并与已有的其他理论结果进行对比分析。研究结果表明,正电子散射铷原子、铯原子基态下正负电子偶素形成截面在低能量区域产生较大的区别,光学势理论方法计算的截面数据与其他理论结果数据符合较好,验证了光学势方法对于处理正电子与碱金属原子碰撞问题的有效性。; 王远成李波王雅冰; 关键词：正电子铷原子铯原子光学势

电子散射和能量分配方式对电子输运系数的影响: 2021年; 电子输运系数是确保低温等离子体建模准确性的关键因素,通过模拟电子的输运过程可对其数值求解.在模拟电子输运时,电子和中性粒子碰撞后的散射和能量分配方式有多种处理方法.为了研究不同处理方法对电子输运系数的影响,本文基于蒙特卡罗碰撞方法,建立了电子输运系数的计算模型,模拟约化电场10-1000 Td(1 Td=10^(-21) V·m^(2))氢原子气中的电子输运过程.计算结果表明,各向同性假设对电子输运系数的影响随电场强度增加而增加,但即使对于较低的约化电场(10 Td),各向异性散射假设下电子的平均能量、通量迁移率和通量扩散系数也分别比各向同性假设下的值高38.34%,17.38%和119.18%.不同的能量分配方式对中高电场强度下(>200 Td)的电子输运系数影响较为显著.在高电场时,均分法计算得出的电子平均能量、通量迁移率和通量扩散系数均小于零分法对应的值,汤森电离系数则相反.Opal法得出的电子输运系数介于均分法和零分法之间.此外,考虑各向异性散射时,不同能量分配方式对输运系数的影响高于各向同性.本研究表明,在计算电子输运系数时需要考虑各向异性的电子散射,高电场条件下尤其要注意能量分配方式的选择.; 宋萌萌周前红孙强张含天杨薇董烨; 关键词：电子散射

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