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改善的漏极和/或栅极互连件以及指状结构
依据本发明的一些实施例，提供了晶体管器件，该晶体管器件包括：半导体结构；在第一方向上在半导体结构上延伸的栅极指；以及栅极互连件，在第一方向上延伸并且被构造为在栅极互连件的内部位置处耦合到栅极信号，其中栅极互连件在从栅极互...
Z·莫克提F·特朗H·蒋
具有双重厚度的栅极电介质层的扩展漏极金属氧化物半导体器件
本公开涉及具有双重厚度的栅极电介质层的扩展漏极金属氧化物半导体器件。用于扩展漏极金属氧化物半导体器件的结构和形成用于扩展漏极金属氧化物半导体器件的结构的方法。该结构包括半导体层、源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的...
刘方悦卓睿智陈欣温文源王建威张永富
场效应晶体管组件以及用于调整场效应晶体管的漏极电流的方法
提出一种场效应晶体管组件(1)，该场效应晶体管组件包括场效应晶体管(T)，所述场效应晶体管具有能借助背栅电压(V<SUB>BG</SUB>)调整的背栅连接端(BG)，其中，在场效应晶体管(T)上还施加栅极‑源极电压(V<...
R·施尼策尔T·施瓦岑贝格尔G·特雷特
具有带有升高源极/漏极的凹槽式沟道晶体管的存储器外围电路及其形成方法
在某些方面中，一种存储器器件包括存储器单元阵列和耦接到存储器单元阵列的多个外围电路。外围电路包括第一外围电路，第一外围电路包括凹槽式沟道晶体管。凹槽式沟道晶体管包括：具有凹槽的阱；凹槽栅极结构，突出到阱的凹槽中并且包括栅...
鞠韶复刘峻
RF开关堆叠中的电感性漏极和/或体阶梯
公开了用于减少FET开关堆叠当处于关断状态时产生的栅极感应漏极/体泄露电流(GIDL)的方法和器件。这种器件包括电感器，所述电感器作为偏置网络的一部分与开关堆叠内的晶体管的漏极/源极端子和/或体端子耦接。还描述了实现电阻...
阿尔佩尔·根茨彼得·培根
源极/漏极结构掺杂剂集群设计
本公开涉及源极/漏极结构掺杂剂集群设计。本公开描述了一种具有带掺杂剂集群的源极/漏极结构的半导体器件。该半导体器件包括衬底上的沟道结构、以及衬底上并临近沟道结构的源极/漏极结构。源极/漏极结构包括衬底上的第一外延层、沟道...
林衍廷郭建亿游明华李启弘
一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS及其制备方法
本发明提供了一种高耐漏极电压过冲的碳化硅VDMOS及其制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移区；通过对漂移区进行离子注入，形成第一N型区、第一漂移层以及第二漂移层；形成...
周海施广彦胡臻何佳
源极/漏极电介质结构及其制造方法
本公开涉及源极/漏极电介质结构及其制造方法。本公开描述了具有源极/漏极电介质的半导体器件。该半导体器件包括：沟道结构，在衬底上；电介质结构，在衬底上并且与沟道结构相邻；以及外延结构，在电介质结构的顶表面上。外延结构与沟道...
魏正禹林政颐陈书涵徐志安
具有重结晶源极/漏极的场效应晶体管及方法
本申请涉及具有重结晶源极/漏极的场效应晶体管及方法。一种方法包括：在衬底之上形成纳米结构堆叠；形成与纳米结构堆叠相邻的源极/漏极开口；在源极/漏极开口中形成半导体层；通过在半导体层上执行离子注入来形成非晶半导体层；以及通...
陈佳政刘思杰陈亮吟徐志安
包含源极层和漏极层的交替堆叠和竖直栅极电极的三维存储器器件
本发明提供了一种三维存储器器件，该三维存储器器件包括位于衬底上方的源极层和漏极层的交替堆叠、竖直延伸穿过该交替堆叠的这些源极层和这些漏极层中的每一者的栅极电极、横向围绕这些栅极电极中的相应一个栅极电极的存储器膜和横向围绕...
J·凯J·阿尔斯迈耶M·乔杜里松野雷电
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作品数：360被引量：20H指数：2
供职机构：京东方科技集团股份有限公司
研究主题：显示装置 薄膜晶体管 显示面板 基板 电极
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作品数：4,960被引量：7,033H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
郝跃
作品数：2,568被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
胡合合
作品数：206被引量：0H指数：0
供职机构：京东方科技集团股份有限公司
研究主题：显示装置 薄膜晶体管 显示面板 基板 漏极
宋泳锡
作品数：253被引量：0H指数：0
供职机构：京东方科技集团股份有限公司
研究主题：显示装置 薄膜晶体管 显示技术 基板 显示面板