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湿法刻蚀设备
本申请涉及一种湿法刻蚀设备。一种湿法刻蚀设备包括混合罐、槽罐和第一Ph计，混合罐具有用于混合刻蚀液、制绒添加剂和水的混合腔；所述混合罐上设有与所述混合腔相连通的混合液出液口。槽罐设于所述混合罐的一侧，且具有刻蚀槽；所述混...
方灵新王钊杨洁张昕宇沈梦超顾文贤
一种湿法刻蚀设备
本实用新型属于湿法刻蚀领域，提供了一种湿法刻蚀设备，包括：刻蚀仓，用于夹持晶圆的夹具基座，与晶圆平行的雾化喷头，与雾化喷头连通的溶液槽，以及带动夹具基座转动的电机；夹具基座包括：基座本体，连接在基座本体上的夹具本体，以及...
余维嘉李国利王浩增房岩
硅片湿法刻蚀装置
本实用新型提供了一种硅片湿法刻蚀装置，属于太阳能电池制作技术领域，包括主旋转工作台、四个自旋转工作台以及四根喷淋管，四个自旋转工作台均匀地分布于主旋转工作台的四周，且均通过支撑载板与主旋转工作台连接；各自旋转工作台上均配...
尹丽丽郎芳潘明翠李献朋郭晓杰于航薛敬伟史金超于波
一种湿法刻蚀机
本实用新型公开了一种湿法刻蚀机，包括刻蚀腔以及设置于所述刻蚀腔内的滚轮组、上喷淋装置和下喷淋装置，所述上喷淋装置和下喷淋装置相对设置于所述滚轮组的上下两侧；其中，所述滚轮组用于带动待刻蚀基板沿第一水平方向运送；所述刻蚀腔...
张杰曾一鑫
槽式湿法刻蚀装置
一种槽式湿法刻蚀装置包括：工艺槽，至少一个酸液供应罐，连接管道和支撑部件，其中，所述工艺槽的位置低于酸液供应罐的位置，所述酸液供应罐通过连接管道与所述工艺槽连通，所述连接管道至少包括连接的横向管道和纵向管道，所述横向管道...
丁齐齐
一种酸槽式湿法刻蚀方法
本发明提供一种酸槽式湿法刻蚀方法，包括关系曲线建立步骤、刻蚀速率预算步骤、第一判断步骤、第二判断步骤与第三判断步骤，其中，针对不同类型的产品，建立各自对应的刻蚀速率随跑货量变化的关系曲线，在跑货前，针对线上多组待跑货的产...
王玺润张振东
湿法刻蚀时采用的挡板
本发明提供一种湿法刻蚀时采用的挡板，挡板包括：防反溅结构，包括：第一垂直板，第一垂直板设于晶圆的一侧，其顶端具有向晶圆延伸的第一延伸部；贯穿第一垂直板的垂直开口，垂直开口设置在从晶圆表面甩出的刻蚀液的运动轨迹上，使得刻蚀...
谢玟茜
晶圆的湿法刻蚀分离方法
本发明公开的晶圆的湿法刻蚀分离方法包括：在晶圆的表面形成掩膜，所述晶圆上形成分离刻痕，所述掩膜保护所述晶圆并将所述分离刻痕暴露在外；在所述掩膜上形成光刻胶；以及将所述晶圆置于刻蚀液中浸泡以沿所述分离刻痕分离所述晶圆，所述...
施木生
一种控制湿法刻蚀形貌的方法
本发明提供一种控制湿法刻蚀形貌的方法，该控制湿法刻蚀形貌的方法包括以下步骤：提供一衬底晶圆，于所述衬底晶圆的上表面形成依次层叠第一膜层及第二膜层；于所述第二膜层的上表面形成图案化的遮蔽层，并基于所述遮蔽层对显露的所述第二...
牛科研雷嘉成郭德霄
一种监控SiO2湿法刻蚀终点的方法
本发明属于半导体制造领域，涉及一种监控SiO2湿法刻蚀终点的方法，包括：生产硅氧比为X、具有明显颜色的SiO2膜片，即陪片1；获取正式产品的SiO2膜片，将其与陪片1同时参与刻蚀，得到刻蚀速率比A；获取正式产品及其SiO...
吴金臻冉鹏
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陈烽
作品数：174被引量：252H指数：10
供职机构：西安交通大学
研究主题：飞秒激光 飞秒 细菌视紫红质 湿法刻蚀 微透镜阵列
郝跃
作品数：2,605被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
杨青
作品数：130被引量：96H指数：7
供职机构：西安交通大学
研究主题：飞秒激光 细菌视紫红质 飞秒 微透镜阵列 湿法刻蚀
幸研
作品数：115被引量：327H指数：10
供职机构：东南大学
研究主题：湿法刻蚀 敏捷制造 单晶硅 元胞自动机 聚焦离子束
方亮
作品数：159被引量：369H指数：9
供职机构：重庆大学
研究主题：湿法刻蚀 透明导电 镁合金 LED 金刚石膜