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有机硅的深反应离子刻蚀方法
一种有机硅的深反应离子刻蚀方法，包括：S110，提供一有机硅基底，在基底表面形成一图形化的掩膜层；S120，将形成有掩膜层的有机硅基底放入刻蚀系统中，设置刻蚀参数，通入刻蚀气体对有机硅基底进行刻蚀；S130，去除掩膜层，...
周博远张宇宁云全新黎宇翔董宇亮章文蔚徐讯
一种基于深反应离子刻蚀加工掩膜图形用直角补偿装置
本实用新型公开了一种基于深反应离子刻蚀加工掩膜图形用直角补偿装置，涉及深反应离子刻蚀加工技术领域，为解决现有深反应离子刻蚀加工掩膜图形作业时对光线角度调节效果一般，对此我们需要对其进行加强的问题。所述直角补偿机构本体的外...
徐波何野胡启俊
一种深反应离子刻蚀用可动结构的牺牲层保护装置
本实用新型公开了一种深反应离子刻蚀用可动结构的牺牲层保护装置，涉及深反应离子刻蚀技术领域，为解决现有深反应离子刻蚀用可动结构在取出时会被液体造成流动损坏，导致牺牲层进一步损坏的问题。所述连接柱的外部设置有防护伸缩套，所述...
徐波何野胡启俊
用氟气气体混合物进行各向异性深反应离子刻蚀的装置和方法
本发明涉及一种刻蚀方法，用于采用多个交替的连续刻蚀步骤和钝化步骤通过深反应离子刻蚀(DRIE)使基板(101)各向异性地结构化。根据本发明，使用氟气气体混合物进行刻蚀，氟气气体混合物包含大于25％至40％且包括40％的比...
罗伯特·维兰德
MEMS悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法对比研究被引量：3
2016年
分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构深反应离子刻蚀保护方法进行对比研究,获得最佳结构刻蚀保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳刻蚀保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳刻蚀保护方法:将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的Si O2保护层相结合的方式保护。结构保护后,经长时间过刻蚀,结构依然完整无损。
何凯旋黄斌段宝明宋东方郭群英
关键词：MEMS深反应离子刻蚀保护方法
一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法
本发明公开了一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法，该方法采用光刻胶/SiO<Sub>2</Sub>复合掩膜实现高深宽比结构的高垂直度、低粗糙度刻蚀和精确图形转移，其深宽比可达100:1以上。通过控制气体流...
陈婷婷
深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
一种深反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤所采用的第一工艺条件与聚合物沉积步骤所采用的第二工艺条件之间的转换通过渐变转换方式实现。使用该发明的深反应离子刻蚀...
尹志尧吴万俊刘鹏
深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
一种深反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体，聚合物沉积步骤供应侧壁保护气体，刻蚀步骤和聚合物沉积步骤之间的...
尹志尧吴万俊刘鹏
深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
一种深反应离子刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤所采用的第一工艺条件与聚合物沉积步骤所采用的第二工艺条件之间的转换通过渐变转换方式实现。使用该发明的深反应离子刻蚀...
尹志尧吴万俊刘鹏
基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法
本发明公开了一种基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法。所述方法包括：对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等离子稳定，以使等离子体进行辉光放电；控制所述深反应离子刻蚀制备黑硅的工艺参数，采用刻蚀与钝化的方式交替...
张海霞孙广毅高天乐
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王跃林
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：微机械 各向异性腐蚀 硅 制作方法 键合
李昕欣
作品数：547被引量：382H指数：10
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：悬臂梁 硅 传感器 硅片 压阻
冯进军
作品数：511被引量：512H指数：11
供职机构：中国电子科技集团公司第十二研究所
研究主题：行波管 太赫兹 慢波结构 W波段 真空电子器件
陈宜方
作品数：60被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学
研究主题：电子束光刻 波带片 高宽比 光刻胶 掺杂
王文辉
作品数：31被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学
研究主题：硅 各向异性腐蚀 波导 制作方法 玻璃衬底