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深反应离子刻蚀
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
有机硅的
深
反应
离子
刻蚀
方法
一种有机硅的
深
反应
离子
刻蚀
方法,包括:S110,提供一有机硅基底,在基底表面形成一图形化的掩膜层;S120,将形成有掩膜层的有机硅基底放入
刻蚀
系统中,设置
刻蚀
参数,通入
刻蚀
气体对有机硅基底进行
刻蚀
;S130,去除掩膜层,...
周博远
张宇宁
云全新
黎宇翔
董宇亮
章文蔚
徐讯
一种基于
深
反应
离子
刻蚀
加工掩膜图形用直角补偿装置
本实用新型公开了一种基于
深
反应
离子
刻蚀
加工掩膜图形用直角补偿装置,涉及
深
反应
离子
刻蚀
加工技术领域,为解决现有
深
反应
离子
刻蚀
加工掩膜图形作业时对光线角度调节效果一般,对此我们需要对其进行加强的问题。所述直角补偿机构本体的外...
徐波
何野
胡启俊
一种
深
反应
离子
刻蚀
用可动结构的牺牲层保护装置
本实用新型公开了一种
深
反应
离子
刻蚀
用可动结构的牺牲层保护装置,涉及
深
反应
离子
刻蚀
技术领域,为解决现有
深
反应
离子
刻蚀
用可动结构在取出时会被液体造成流动损坏,导致牺牲层进一步损坏的问题。所述连接柱的外部设置有防护伸缩套,所述...
徐波
何野
胡启俊
用氟气气体混合物进行各向异性
深
反应
离子
刻蚀
的装置和方法
本发明涉及一种
刻蚀
方法,用于采用多个交替的连续
刻蚀
步骤和钝化步骤通过
深
反应
离子
刻蚀
(DRIE)使基板(101)各向异性地结构化。根据本发明,使用氟气气体混合物进行
刻蚀
,氟气气体混合物包含大于25%至40%且包括40%的比...
罗伯特·维兰德
MEMS悬浮结构
深
反应
离子
刻蚀
保护方法对比研究
被引量:3
2016年
分别对基于硅玻键合与硅硅键合的MEMS加工工艺中悬浮结构
深
反应
离子
刻蚀
保护方法进行对比研究,获得最佳结构
刻蚀
保护方法。基于硅玻键合工艺的最佳
刻蚀
保护方法:在结构层背面溅射金属作为保护层;基于硅硅键合工艺的最佳
刻蚀
保护方法:将结构刻通区域衬底硅暴露及结构层背面制作图形化的Si O2保护层相结合的方式保护。结构保护后,经长时间过
刻蚀
,结构依然完整无损。
何凯旋
黄斌
段宝明
宋东方
郭群英
关键词:
MEMS
深反应离子刻蚀
保护方法
一种基于
深
反应
离子
刻蚀
技术制备高
深
宽比硅微结构的方法
本发明公开了一种基于
深
反应
离子
刻蚀
技术制备高
深
宽比硅微结构的方法,该方法采用光刻胶/SiO<Sub>2</Sub>复合掩膜实现高
深
宽比结构的高垂直度、低粗糙度
刻蚀
和精确图形转移,其
深
宽比可达100:1以上。通过控制气体流...
陈婷婷
深
反应
离子
刻蚀
方法及其气体流量控制装置
一种
深
反应
离子
刻蚀
方法,属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的
刻蚀
步骤和聚合物沉积步骤,所述
刻蚀
步骤所采用的第一工艺条件与聚合物沉积步骤所采用的第二工艺条件之间的转换通过渐变转换方式实现。使用该发明的
深
反应
离子
刻蚀
...
尹志尧
吴万俊
刘鹏
深
反应
离子
刻蚀
方法及其气体流量控制装置
一种
深
反应
离子
刻蚀
方法,属于半导体制造技术领域。该方法包括多个循环进行的
刻蚀
周期,每个
刻蚀
周期包括一个
刻蚀
步骤和聚合物沉积步骤,所述
刻蚀
步骤供应
刻蚀
反应
气体,聚合物沉积步骤供应侧壁保护气体,
刻蚀
步骤和聚合物沉积步骤之间的...
尹志尧
吴万俊
刘鹏
深
反应
离子
刻蚀
方法及其气体流量控制装置
一种
深
反应
离子
刻蚀
方法,属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的
刻蚀
步骤和聚合物沉积步骤,所述
刻蚀
步骤所采用的第一工艺条件与聚合物沉积步骤所采用的第二工艺条件之间的转换通过渐变转换方式实现。使用该发明的
深
反应
离子
刻蚀
...
尹志尧
吴万俊
刘鹏
基于无掩膜
深
反应
离子
刻蚀
制备黑硅的方法
本发明公开了一种基于无掩膜
深
反应
离子
刻蚀
制备黑硅的方法。所述方法包括:对所述制备黑硅的方法的所采用的设备进行初始化和等
离子
稳定,以使等
离子
体进行辉光放电;控制所述
深
反应
离子
刻蚀
制备黑硅的工艺参数,采用
刻蚀
与钝化的方式交替...
张海霞
孙广毅
高天乐
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