公共文化服务平台

搜索到351篇“ 浮区法“的相关文章

光学浮区法生长Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶及其光谱性质研究: 2025年; 超宽禁带半导体β-Ga_(2)O_(3)因出色的光电特性而成为研究的焦点。元素掺杂对β-Ga_(2)O_(3)光谱性质的影响是材料科学领域的一个重要研究方向,具有显著的研究价值和应用前景。本研究通过光学浮区(OFZ)法,在CO_(2)环境中成功生长出β-Ga_(2)O_(3)∶6%Bi单晶,并着重研究Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶的光谱性质。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电子显微镜(SEM)结合能量色散X射线光谱(EDS)、X射线光电子能谱(XPS)以透过光谱和荧光光谱等先进的表征技术,对样品的晶体结构、元素组成及光谱性质进行了较全面的测试与分析。实验结果揭示,由于离子半径差异大,Bi离子较难掺入β-Ga_(2)O_(3)晶格,掺入的Bi离子主要替代了GaO_(6)八面体中的Ga离子位置。与非故意掺杂β-Ga_(2)O_(3)相比,Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶在红外区域的透射率降低,载流子浓度增加;荧光发射光谱强度降低,荧光衰减时间缩短。这些发现不仅深化了对Bi掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光谱性质的理解,而且为该材料在闪烁和辐射探测等领域的应用提供了技术启示。; 杨晓龙唐慧丽张超逸孙鹏黄林陈龙徐军刘波; 关键词：晶体生长拉曼光谱光谱特性

高质量铟掺杂氧化镓单晶浮区法生长研究被引量：1: 2024年; Ga_(2)O_(3)是一种新型超宽带隙半导体材料,性能出色,在高功率电子器件和日盲深紫外探测器等领域有着巨大的应用前景。通过掺入In^(3+)离子,可以调节β-Ga_(2)O_(3)的带隙宽度和光学性质,从而进一步拓展其应用范围。本研究以高纯度Ga_(2)O_(3)、In_(2)O_(3)为原料,采用光学浮区法制备了β-Ga_(2)O_(3):9%In、β-Ga_(2)O_(3):15%In单晶。生长速度为5 mm/h时,晶体出现失透现象,在光学显微镜下观察,发现晶体中含有大量气泡缺陷,这些缺陷主要呈条状和球状,其中条状气泡的长度在50~200μm范围内,沿[010]晶体生长方向延伸。通过扫描电子显微镜观察缺陷形貌和元素分布,发现气泡周围的元素分布均匀,无杂质元素聚集。结果表明,缺陷的形成与In_(2)O_(3)高温分解有关,产生的气体未及时排出,随熔体结晶进入晶体内部形成气泡。优化晶体生长工艺解决了气泡缺陷引起的晶体失透问题,得到的透明β-Ga_(2)O_(3):9%In单晶摇摆曲线半峰宽可达44arcsec,晶体的结晶质量显著提升。本研究为生长高质量β-Ga_(2)O_(3):In体块单晶提供了解决方案,为深入了解其光电性能奠定了基础。; 李宪珂张超逸黄林孙鹏刘波徐军唐慧丽; 关键词：晶体生长气泡缺陷

一种浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法: 本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，头部原料为富锂原料，其余部分为化学计量比原料，通过观察原料棒状态，判断当生长室温度达到适合晶体生长时，移动籽晶和原料棒连接到一起，使富锂的原料部分始终集中在热源...; 王孚雷孙术博王东周周飞

浮区法晶体生长炉: 本实用新型涉及晶体生长设备技术领域，具体公开了一种浮区法晶体生长炉，该浮区法晶体生长炉包括机架、光源组件和晶体管，机架包括第一机架和第二机架，第一机架用于固定晶料棒和籽晶，晶料棒和籽晶同轴线且能各自独立地沿晶料棒的轴线位...; 蔡杰毅孔舒燕陈泽邦赵衡煜郑燕青

一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法: 本发明涉及一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法，在钆镓石榴石晶体生长过程中，通过熔融熔剂陶瓷块得到的熔剂液体作为熔区，使钆镓石榴石晶体的料棒和熔剂液体对接，调节提拉速度、生长速度和旋转速度，开始钆镓石榴石晶体的生长...; 武彤王玲余建定石云许天照方婧红王慧贺欢倪津崎汪超越李勤

激光浮区法生长TbYO_(3)晶体被引量：1: 2023年; 随着高功率固态激光器和光纤激光器的发展,对可见光-近红外区域的光学隔离器要求逐渐增加。目前设备原件正趋于小型化发展,工业应用最广泛的铽镓石榴石(TGG)晶体因其较小的Verdet常数,无法满足未来高功率激光器的需要。Tb 2 O_(3)具有较高的Verdet常数,但是高熔点和相变机制使其难以通过常规提拉法进行单晶生长。本研究通过向Tb_(2)O_(3)中掺杂Y_(2)O_(3),研究了不同掺杂浓度下(Tb x Y 1-x)2 O_(3)的晶体生长。在n(Tb)∶n(Y)=1∶1时,通过激光浮区(LFZ)法生长了TbYO_(3)单晶,而纯净的Tb_(2)O_(3)和(Tb 0.3 Y 0.7)_(2)O_(3)单晶无法通过该方法合成。TbYO_(3)晶体具有较高的Verdet常数(445 nm处为529 rad·T^(-1)·m^(-1),880 nm处为116 rad·T^(-1)·m^(-1)),为TGG晶体(445 nm处为350 rad·T^(-1)·m^(-1),880 nm处为49 rad·T^(-1)·m^(-1))的1.51~2.37倍。因此,TbYO_(3)晶体可以有效减少构建光学隔离器的介质长度或降低嵌入光学隔离器所需的磁场强度。此外,TbYO_(3)晶体还具有11 W·m^(-1)·K^(-1)的中等热导率,1.67 GW·cm-2的高激光损伤阈值。这些优点可以使TbYO_(3)晶体成为一种有吸引力的磁光材料。; 赵鹏仵嘉玲夏聪马世会胡章贵; 关键词：热导率磁光晶体激光损伤阈值

一种浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法: 本发明提出了一种利用浮区法生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法，头部原料为富锂原料，其余部分为化学计量比原料，通过观察原料棒状态，判断当生长室温度达到适合晶体生长时，移动籽晶和原料棒连接到一起，使富锂的原料部分始终集中在热源...; 王孚雷孙术博王东周周飞

一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1-xFeO3单晶的生长方法: 本发明公开一种光学浮区法制备六方结构YbxIn1‑xFeO3单晶的生长方法。所述方法包括以下步骤：根据元素化学计量比称量氧化铁、氧化镱、氧化铟为原料并将其...; 尚加敏武安华苏良碧张中晗

一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法: 本发明涉及一种移动熔剂浮区法生长钆镓石榴石晶体的方法，在钆镓石榴石晶体生长过程中，通过熔融熔剂陶瓷块得到的熔剂液体作为熔区，使钆镓石榴石晶体的料棒和熔剂液体对接，调节提拉速度、生长速度和旋转速度，开始钆镓石榴石晶体的生长...; 武彤王玲余建定石云许天照方婧红王慧贺欢倪津崎汪超越李勤

光浮区法生长高光产额快衰减Ce:GGAG闪烁晶体: 2022年; 闪烁材料作为光学和能量转换材料在高能射线探测和成像领域得到了广泛的应用。多年来,国内外研究学者一直致力于研发高性能的新型闪烁体。其中,(Ce,Gd)_(3)(Ga,Al)_(5)O_(12)(Ce:GGAG)被认为是最有前途的新一代X射线CT探测用候选材料之一[1],在晶体生长、透明陶瓷制备以及组分调控等方面已经开展了大量研究工作[2-4]。Ce:GGAG是Gd_(3)Al_(5)O_(12)(GAG)和Gd_(3)Ga_(5)O_(12)(GGG)的组分间化合物,属于石榴石结构立方晶系。; 石云; 关键词：浮区法闪烁晶体立方晶系晶体生长

相关作者