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泡生法生长氧化镓单晶的方法
本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法,所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01,装炉:向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料,纯度5N,把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中;在坩埚上方间隔放置若干个保温屏;顶端装[010]晶...
王英民霍晓青周金杰张胜男董增印李贺张嵩程红娟赖占平
泡生法制备蓝宝石的装置
本实用新型涉及蓝宝石晶体技术领域,公开了一种泡生法制备蓝宝石的装置。该装置包括晶体生长炉,包括炉体、炉盖以及由所述炉体和所述炉盖合围形成的炉腔,所述炉盖通过惰性气体管道与惰性气源连接,以使得惰性气体能够通过所述炉盖进入到...
徐峰翟虎孙金梅王进学
泡生法生长氧化镓单晶的方法
本发明提供了一种泡生法生长氧化镓单晶的方法,所述泡生法生长氧化镓单晶的方法包括S01,装炉:向坩埚中装入重量为M1氧化镓原料,纯度5N,把装有原料的坩埚放入单晶生长炉中;在坩埚上方间隔放置若干个保温屏;顶端装[010]晶...
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一种泡生法蓝宝石晶体生长籽晶保护装置
本实用新型涉及蓝宝石晶体生长技术领域,公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长籽晶保护装置,所述第一升降通道和第二升降通道的管口端之间安装有通道启闭机构,所述启闭阀框的框架内壁呈对称形式安装有两组启闭轨道,且两组启闭轨道的导轨端卡...
郑东王鑫贾松松
一种泡生法生产蓝宝石晶体用籽晶提拉杆
本实用新型涉及蓝宝石晶体生长用具技术领域,公开了一种泡生法生产蓝宝石晶体用籽晶提拉杆,所述支撑箱架的腔室上半部设置有与臂力导杆相导向卡合的升降推动机构,且支撑箱架的腔室下半部贯通设置有与升降推动机构固定连接的提拉头机构。...
郑东秦冒晓宋百乐
一种大尺寸晶体的泡生法生长装置及方法
本发明涉及晶体生长技术领域,涉及一种大尺寸晶体的泡生法生长装置及方法,本发明提供的装置采用侧、底双温区独立加热,可精确调控大尺寸氟化钙晶体生长过程中的轴向和径向温度梯度,抑制晶体内部气泡等缺陷,并实现晶体原位退火消除内部...
徐军薛艳艳房前成
一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法
本发明属于晶体生长技术领域,具体涉及一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法,该方法包括原料制备与装填、升温熔料、调温引晶、晶体生长、晶体降温原位退火和晶片H<Sub>2</Sub>退火步骤。本发明采用高纯度石墨材料构建...
康森李璐石天虎鲁雅荣郝文娟
一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法
本发明公开了一种准闭管泡生法坩埚及其使用方法,包括:籽晶杆,籽晶杆的下端具有用于夹持籽晶的夹持部,籽晶杆的侧面沿其周向向外延伸形成液封槽;套筒,套筒套设于籽晶杆外,套筒的一端可操作地设置于液封槽内,套筒的内表面与籽晶杆的...
陆宏煜李贞彭成盼
泡生法制备低吸收蓝宝石晶体及其性能研究
2023年
为保障我国相关国防重大工程对低吸收蓝宝石晶体材料的需求,本文通过自主研制的晶体生长设备,成功生长了低吸收蓝宝石晶体。该晶体在紫外、可见光、近-中红外波段展现出了良好的透过率,波长250~400 nm的透过率大于83%,波长400~4200 nm的透过率超过85%。在晶体不同区域进行取样表征测试,得到晶体的平均位错密度为253.19 cm^(-2),摇摆曲线对称且峰形尖锐,半峰全宽为14″。此外,值得注意的是,晶体在1064 nm处的光吸收系数均在(23.3~30.4)×10^(-6)cm^(-1),表明晶体内部的杂质元素得到有效控制,晶体光学性能优异,可用于高能激光系统、空间相机镜头等应用场景。
赵鹏宋建军张微承刚承刚付春雷石刚黄存新
关键词:泡生法透过率位错密度
一种泡生法中晶体脱锅的方法及应用
本公开涉及一种泡生法中晶体脱锅的方法及应用,本公开的方法通过快速改变晶体生长炉内加热装置的功率,使晶体的侧壁、底部和肩部发生先熔化再凝固,从而实现晶体肩部、侧壁与底部完全脱离坩埚,实现晶体悬空降温退火,进一步节约工艺时间...
徐峰宋亚滨翟虎林宏达孙金梅秦俊

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刘景和
作品数:324被引量:743H指数:14
供职机构:长春理工大学
研究主题:晶体生长 激光晶体 WO 提拉法 激光晶体生长
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作品数:927被引量:1,492H指数:19
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研究主题:激光晶体 晶体 晶体生长 籽晶 提拉法
唐慧丽
作品数:153被引量:93H指数:6
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研究主题:晶体生长 导模法 籽晶 氧化镓 晶体
朱忠丽
作品数:85被引量:182H指数:7
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林海
作品数:116被引量:101H指数:5
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研究主题:激光晶体 光谱性能 激光晶体生长 晶体生长 YB