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一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜: 本发明公开一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜，涉及半导体材料的气相生长技术领域。该方法包括以下步骤：S1.将衬底的顶部设置在线性供气口的下方，将氯化镓气体、氨气与载气通过线性供气口流向衬底进行氮化镓的生长，将衬底往...; 谈逊张顺聂国政谈谦吴曦李可王庆刘宁波陈绮雯许泽峰林智成李欣王占玲

氮化铝薄膜的制备方法及氮化镓薄膜的生长方法: 本发明提供了一种氮化铝薄膜的制备方法及氮化镓薄膜的生长方法，所述氮化铝薄膜的制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；沉积铝层，以第一工艺流程向反应室中通入有机铝源和氢气，以在所述硅衬底的表面沉积得到所述铝层；在所述铝层的表面外...; 请求不公布姓名

一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法: 本发明提供了一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法。该方法包括以下步骤：步骤101，衬底上转移或直接生长得到二维材料层；步骤102，采用等离子体增强MOCVD法对所述二维材料层进行处理；步骤103，在经过处理完...; 汪莱杨沛珑郝智彪罗毅

一种氮化镓薄膜以及石墨烯范德华外延氮化镓薄膜生长方法: 本发明提供了一种氮化镓薄膜以及石墨烯范德华外延氮化镓薄膜生长方法。该方法包括以下步骤：步骤102，在衬底上制作一层第一AlN缓冲层；步骤103，在第一AlN缓冲层上转移二维材料层；步骤104，在二维材料层上制作一层第二A...; 汪莱杨沛珑郝智彪罗毅

一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置: 本发明公开了一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，包括箱体，所述箱体的底部固定连接有底座，所述箱体内腔的右下角固定连接有溶液箱，所述箱体内壁的前后两侧之间且位于溶液箱的顶部转动连接有滚筒，所述滚筒的底部贯穿溶液箱的顶部并延伸...; 潘晓华吴利明

一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法: 本发明提供了一种制备纳米氮化镓薄膜的设备及方法，包括：容纳组件，容纳组件包括封闭设置的第一容器以及设置于第一容器内部且非封闭设置的第二容器；提拉组件，提拉组件穿设连接第一容器，其包括设置于第二容器内部且沿本设备高度方向升...; 俞雅萍陈星回顾吴越

一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液: 本发明为一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液。该抛光液的组成包括：氧化剂的质量百分浓度为3.5～4.5％，表面活性剂的质量百分浓度为0.15～0.35％，抛光液体系的pH值为1.0～2.0，磨料的质量百分浓度...; 咸文豪张保国刘敏

一种多次图形化降低氮化镓薄膜位错密度的方法及制备形成的氮化镓薄膜: 本发明涉及一种多次图形化降低氮化镓薄膜位错密度的方法及制备形成的氮化镓薄膜，上述方法包括如下步骤：在异质衬底上沉积形成缓冲层；在缓冲层上外延生长GaN外延层；在缓冲层上构建获得一次图形结构；在一次图形结构的基础上继续进行...; 刘胜韩旭李瑞东芳王诗兆吴改程春敏

射频溅射制备铒掺杂及铒镱共掺杂氮化镓薄膜及其光学性质研究: 魏巍

铒掺杂氮化镓薄膜的制备及其光学性质研究: 隋心翼

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张进成: 作品数：1,037被引量：119H指数：6; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：SUB 成核势垒层氮化镓电极

宁静: 作品数：139被引量：8H指数：1; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：石墨烯氮化镓氮化铝氮化镓薄膜衬底

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沈波: 作品数：471被引量：271H指数：8; 供职机构：北京大学; 研究主题：氮化镓 GAN 氮化物位错成核

许晟瑞: 作品数：226被引量：23H指数：3; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：成核非极性 SUB 衬底 GAN