搜索到1439篇“ 氮化镓器件“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
氮化镓器件及其制备方法
本申请实施例提供了一种氮化镓器件及其制备方法，该氮化镓器件包括外延层，外延层上设置有栅电极，栅电极下方的外延层中具有多个Y型纳米沟道，其中，多个Y型纳米沟道由两排相互对立排列的楔形凹槽形成。本申请实施例至少解决了相关技术...
武盛代云飞张煜别业楠刘海军李文明
一种氮化镓器件结构及其制备方法
本申请提供了一种氮化镓器件结构及其制备方法，该方法首先提供氮化镓器件，氮化镓器件包括依次层叠的衬底、外延结构，然后再对氮化镓器件的进行预设剂量和预设能量的辐照处理，通过辐照处理在外延结构中引入缺陷，实现对外延结构的内部陷...
吕纲丁晓峰李林彭律章许童童程若昀
一种氮化镓器件以及制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底；沟道层，位于衬底的一侧；复合势垒层，包括第一势垒层、第二势垒层和第三势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一侧；第...
宋亮陈扶赵杰黄兴杰尹杰
一种氮化镓器件以及制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底、沟道层和复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一...
宋亮陈扶赵杰
一种氮化镓器件的封装结构
本实用新型涉及一种氮化镓器件的封装结构，包括：TO247封装框架、Cascode模块和塑封体，TO247封装框架包括框架本体和顺序排列的漏极引脚、源极引脚、开尔文源极引脚和栅极引脚，源极引脚与框架本体一体相连，漏极引脚和...
梁壮蒋严伟吴俊峰黎子兰
一种氮化镓器件以及制备方法
本发明公开了一种氮化镓器件以及制备方法。该氮化镓器件包括：衬底、沟道层和复合势垒层，复合势垒层包括第一势垒层、第二势垒层、第三势垒层和第四势垒层；第一势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；第二势垒层位于第一势垒层远离沟道层的一...
宋亮陈扶赵杰
一种氮化镓器件及氮化镓封装结构
本发明公开了一种氮化镓器件及氮化镓封装结构，具体涉及氮化镓封装技术领域，包括氮化镓器件本体，所述氮化镓器件本体包括底封装件，所述底封装件的底端设有第二封装框，所述底封装件、第二封装框之间设有氮化镓芯片；本发明，通过设置底...
李慎初
一种功率氮化镓器件及其形成方法
一种功率氮化镓器件及其形成方法，本发明涉及功率半导体器件，在晶圆制造过程中缓冲层内会形成晶体缺陷，在晶体管关断及高漏极偏压的状态下，电子会从衬底注入并被捕获在缓冲层内的晶体缺陷中，为克服捕获的电子对器件造成的影响，本发明...
伍震威单建安
一种氮化镓器件制备方法及氮化镓器件
本发明实施例提供了一种氮化镓器件制备方法及氮化镓器件，涉及半导体技术领域。氮化镓器件由氮化镓器件制备方法制成，氮化镓器件制备方法包括提供一氮化镓预制器件，上述氮化镓预制器件包括层叠设置的沟道层与势垒层、P型氮化镓层；在远...
廖富达苗振林任星霖卢小杰何晨光赵维陈志涛
一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件
本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种氮化镓器件形成方法及氮化镓器件。本发明提供的氮化镓器件的形成方法，包括以下步骤：提供待刻蚀基体；待刻蚀基体至少包括层叠设置的：衬底层、第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型...
吴小琦黄凯李金钗杨旭张荣
加载更多 ∨

相关作者

郝跃
作品数：2,605被引量：1,235H指数：13
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
陈堂胜
作品数：434被引量：344H指数：9
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
刘新宇
作品数：893被引量：313H指数：7
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 刻蚀 欧姆接触 衬底 HEMT
魏珂
作品数：235被引量：71H指数：5
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化镓 势垒层 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN
张进成
作品数：1,037被引量：119H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极