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一种氮化物半导体激光器元件: 本发明公开了一种氮化物半导体激光器元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述下波导层与下限制层之间具有自束缚激子极化激元层，述自束缚激子极化激元层包括第一自束缚激子极化激元层和第二自...; 寻飞林郑锦坚蓝家彬刘紫涵蔡鑫张会康邓和清李水清

一种氮化物半导体晶体管结构: 本发明公开了一种氮化物半导体晶体管结构，其外延结构包括导电衬底，衬底上的成核层，所述成核层上方设置缓冲层，所述缓冲层上方设置有p型氮化物掩埋层，还包括p型氮化物掩埋层上方的沟道层，沟道层上方的势垒层，外延结构表面制作晶体...; 苗操刘兆平

一种氮化物半导体晶体管外延结构: 本发明提供一种氮化物半导体晶体管外延结构，包括：衬底，衬底上方的成核层，其特征在于，成核层上方设置有耐压缓冲层，缓冲层上方设有背势垒层，背势垒层上方设有沟道层，沟道层上方设有势垒层，在背势垒层与沟道层之间设有n型掺杂层。...; 苗操刘兆平

III族氮化物单晶基板的制造方法: 提供了一种III族氮化物单晶基板的制造方法，该方法可以缩短器件的制造时间，并且可以抑制器件制造期间的裂纹和特性劣化。该III族氮化物单晶基板的制造方法包括执行以下：准备包括氮化物陶瓷的支承基板的支承基板准备步骤；在支承基...; 久保田芳宏

III族氮化物半导体的制造方法: 本发明提供制造III族氮化物半导体的方法。III族氮化物半导体的制造方法具有如下工序。准备从背面向表面依次层叠有第一III族氮化物层和第二III族氮化物层的III族氮化物基板的工序，所述第一III族氮化物层对于400nm...; 岩泽绫子冈山芳央冈本贵敏

一种增强型氮化物半导体晶体管外延结构: 本发明提供一种增强型氮化物半导体晶体管外延结构，包括：衬底，成核层，缓冲层，沟道层，势垒层，还包括设置在势垒层上的帽层，所述帽层包含Al组分沿外延生长方向逐渐递减，或者In组分沿外延生长方向逐渐递增的p型极化掺杂AlIn...; 苗操刘兆平

氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体: 一种氮化物晶体基板的制造方法和剥离中间体。所述制造方法具备如下的工序：(a)准备基底基板；(b)在基底基板的上方形成包含n型的III族氮化物晶体的中间层；(c)在中间层上形成覆盖层；(d)通过电化学处理，维持覆盖层的表面...; 横山正史藤仓序章今野泰一郎

大尺寸氮化物晶体的液相生长和掺杂方法: 本申请公开了一种大尺寸氮化物晶体的液相生长和掺杂方法，包括：将含有掺杂元素的氮化物多晶原料及矿化剂置入反应器内的原料区，并将氮化物籽晶置入反应器内的生长区，且以挡板将原料区与生长区分隔，挡板具有可将原料区与生长区连通的通...; 王杰

氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法: 氮化物半导体紫外线发光元件具备将包含纤锌矿构造的AlGaN系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部，n型层以n型AlGaN系半导体构成，活性层包含以AlGaN系半导体构成的1层以上的阱层，p型层以p...; 平野光长泽阳祐

一种复合氮化物催化剂和制备方法及应用: 本申请公开了一种复合氮化物催化剂和制备方法及应用，所述复合氮化物催化剂包括过渡金属氮化物和稀土金属氮化物；所述复合氮化物催化剂中，所述过渡金属氮化物与所述稀土金属氮化物的摩尔比为0.5:1～50:1。本申请中公开的复合氮...; 陈萍王杰敏柳林郭建平鞠晓花

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