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氮化硅粉末
本发明提供一种氮化硅粉末，其特征在于，β化率为80％以上，晶体应变为1.0×10<Sup>‑3</Sup>以上。根据本发明，可以提供一种即使在1800℃左右的低温下烧结性也高的氮化硅粉末。
河合秀昭石本龙二
一种氮化炉
本申请公开了一种氮化炉，涉及化工设备技术领域，其包括炉体、承托盘、冷却组件、控制阀、驱动缸、承托缸以及通液管，炉体包括反应炉室和冷却炉室，承托盘用于承托进入所述冷却炉室内部的块状氮化硅铁；冷却组件包括冷却环、冷却管以及冷...
刘海青刘浩姬志付刘玉进贾卫兵
一种氮化炉
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刘海青刘浩姬志付刘玉进贾卫兵
透明氮化物
本揭露是关于一种透明氮化物。以透明氮化物中原子总含量为100at％计，所述透明氮化物包括1.5‑2.5at％的铝、11.0‑16.5at％的硅、0.2‑0.4at％的钇、14.0‑26.5at％的碳、44.0‑52.5a...
翁雪萍张名惠庄凯翔
一种氮化镓器件
本实用新型公开了一种氮化镓器件，包括：沟道层位于衬底结构的一侧；势垒层位于沟道层远离衬底结构的一侧；栅极结构位于势垒层远离沟道层的一侧；栅极结构覆盖部分势垒层；源极和漏极位于势垒层远离沟道层的一侧，源极和漏极位于栅极结构...
孙涛张帅冯家驹达一蒙曾昶琨羊群思
一种氮化物器件
本发明公开了一种氮化物器件,包括基板，由绝缘材料制成，所述绝缘材料具有由过孔电气连接的多个金属中间层；过孔，将所述基板从所述底面贯通至所述上表面；氮化物芯片，位于所述基板的所述上表面一侧，并所述氮化物芯片由所述的氮化物缓...
王磊
六方氮化硼沉积
示例性半导体处理方法可包括将含硼前驱物和含氮前驱物提供至半导体处理腔室的处理区。基板可设置在半导体处理腔室的处理区内。方法可包括在处理区中形成含硼前驱物和含氮前驱物的等离子体。基板的温度可维持在小于或约500℃。方法可包...
沈泽清S·S·罗伊A·B·玛里克
一种氮化镓器件
本发明公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；缓冲层的第一表面为靠近衬底的表面，缓冲层的第二表面为缓冲层和沟道层接触的表面，缓冲层的第二表面侧的材料至少包...
汪可李啓珍
一种模具氮化炉
本实用新型涉及氮化炉技术领域，且公开了一种模具氮化炉，该模具氮化炉，包括外炉体，外炉体的内部设置有内炉胆，外炉体的顶端设置有炉盖，炉盖顶部设置有一段贯穿并延伸至内炉胆内部的驱动组件，驱动组件位于内炉胆内部的一侧设置有扇叶...
余钢
一种气体氮化方法
本发明属于局部氮化热处理技术领域，具体涉及一种气体氮化方法，依次包括调质步骤、涂装保护步骤、吹砂步骤和渗氮步骤，本发明将传统的保温时间和工艺温度进行了修改，降低了工艺时间，且由原本的分两阶段渗氮，优化为一阶段渗氮，节约了...
袁贵嵇佳佳宾浩宇刘亚雄郝瑶李唯健柳禄敏
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唐竹兴
作品数：615被引量：217H指数：8
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作品数：235被引量：251H指数：10
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所
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庄汉锐
作品数：173被引量：491H指数：12
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题：自蔓延高温合成 陶瓷 氮化铝 燃烧合成 氮化硅
周玉
作品数：873被引量：2,030H指数：23
供职机构：哈尔滨工业大学
研究主题：陶瓷 复合材料 力学性能 复合陶瓷 复相陶瓷
贾德昌
作品数：639被引量：808H指数：15
供职机构：哈尔滨工业大学
研究主题：复合陶瓷 力学性能 陶瓷 复合材料 陶瓷复合材料