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旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响: 2005年; 研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似,三者都有明显的光敏特性.上述结果为GaAsMESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据.; 张有涛夏冠群李拂晓高建峰杨乃彬; 关键词：旁栅效应 GAAS MESFET 阈值电压集成度

GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究: 2001年; 旁栅效应是影响 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。本文研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG的大小与 LSG成正比关系 ,并理论探讨了产生这一现象的机制 ,从而验证了旁栅阈值电压与旁栅距关系的有关理论。; 丁干崔丽娟丁勇毛友德赵福川夏冠群; 关键词：旁栅效应砷化镓 MESFET

国产半绝缘GaAs阈值电压均匀性与旁栅效应研究: 为了全面评价国产S.I.GaAs单晶的质量,研究者专门设计了一套测试版图,并且对名测试结构的测试原理及方法作了详细的介绍.该论文分别采用隔离注入凹栅工艺、平面选择离子注入自隔离工艺、平面隔离注入工艺对GaAs MESFE...; 丁勇; 关键词：砷化镓阈值电压均匀性旁栅效应; 文献传递

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响被引量：10: 1997年; 在位错密度不同的LEC半绝缘（SI）GaAs衬底上离子注入制做MESFETs，观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响．结果表明，衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应．; 吴巨何宏家范缇文王占国张绵; 关键词：砷化镓衬底 MESFETS 旁栅效应

Effects of channel-substrate interface on hysteresis of sidegating effect in GaAs MESFETs: 2010年; With sidegating bias,hysteresis of sidegating effect is usually observed in drain current.The experimental results presented in this letter demonstrate that the hysteresis with time-based characteristics is closely related to EL2 traps and channel-substrate(C-S)junction peculiarities.The response of depletion region of C-S junction to the electron capture and emission by trap-EL2 plays an important role in the hysteresis.Furthermore,a new mechanism is proposed to explain the time-based characteristics of hysteresis,i.e.,there is a "steady-state" in which the hysteresis disappears.; DING Yong YAN XiaoLang; 关键词：旁栅效应 MESFET GAAS

GaAs MESFET旁栅迟滞特性的机理分析被引量：2: 2009年; 探讨了GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性的产生机理,通过详细地分析论证,认为GaAs MESFET旁栅效应迟滞特性与器件的沟道-衬底界面区的电子特性以及半绝缘GaAs衬底具有高密度的深能级电子陷阱有关。通过分析得出的结论可以很好地说明实验结果,同时对于分析GaAs器件的其他特性也具有一定的参考意义。; 毛剑波易茂祥丁勇; 关键词：GAAS MESFET 旁栅效应电子陷阱

选择离子注入GaAs MESFET的旁栅特性研究: 2006年; 主要研究了平面选择离子注入隔离工艺条件下的GaAs MESFET的旁栅效应,分别设计了不同的测试方法来分析旁栅效应的多种特性,并从理论上对测试结果进行了解释.认为这些特性都与沟道-衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关.; 陆生礼丁勇时龙兴; 关键词：旁栅效应

GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究: 该文概括了GaAs集成电路的发展,简要介绍了GaAs材料与器件.该文讨论了GaAs MESFET的器件模型,由二区间模型导出了I<,DS>与V<,GS>和V<,DS>的关系.这种物理模型能够清晰他说明器件的工作原理,但计...; 朱朝嵩; 关键词：GAAS MESFET 阈值电压均匀性旁栅效应; 文献传递

旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究: 2001年; 旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅 VSW选择器件之间的最小距离; 丁勇毛友德夏冠群赵建龙; 关键词：旁栅效应碰撞电离 MESFET

GaAsMESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系被引量：1: 2001年; 采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响 .发现当延迟时间超过 2 s时 ,迟滞现象基本消失 ,旁栅效应达到稳态 ,而且准静态地改变旁栅电压 ,沟道电流的变化会达到一稳定值 ,与过程无关 ,于是可以避免迟滞现象 .; 丁勇赵福川毛友德夏冠群赵建龙; 关键词：旁栅效应沟道电流砷化镓 MESFET 场效应晶体管

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