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碲锌镉光子计数探测器材料的气相制备方法: 本发明提出了碲锌镉光子计数探测器材料的气相制备方法，解决目前近空间升华法制备的CZT外延单晶膜存在的技术问题。本发明方法选用Cd1‑xZnxTe多晶(x＝0.1～0.2)作为生...; 罗世轩查钢强谭婷婷曹昆李颖锐武蕊魏鹤鸣

一种探测器材料及其制备方法: 本发明属于新材料技术领域。本发明提供了一种探测器材料的制备方法，本发明通过在砷化镓衬底表面外延缓冲层，并在缓冲层上沉积二氧化硅层，利用光刻、刻蚀的工艺对缓冲层上条形生长区域内的二氧化硅层刻蚀掉，且条形生长区域的宽度连续变...; 魏志鹏唐吉龙贾慧民李科学林逢源陈锐宿世臣马晓辉王晓华

一种红外探测器材料检测的方法: 本发明公开了一种红外探测器材料检测的方法。该方法包括：使用X射线形貌术方法检测红外探测器材料的晶体极限应力值，根据所述晶体极限应力值计算晶体良品许用应力值，将所述红外探测器材料腐蚀后测量并计算所述红外探测器材料的位错密度...; 邓丰涛

一种高温工作InAs-InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构: 本发明公开了一种高温工作InAs‑InAsSb二类超晶格红外探测器材料结构，从下往上依次包括有n型掺杂InAs/InAsSb下电极层、非掺n型InAs/InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层B以及非掺n型InAs/InA...; 詹健龙尚林涛徐竟杰

非均匀GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器材料表征和器件性能研究: 2024年; 本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变化。通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合能谱仪(EDS)对非均匀量子阱红外探测器材料微结构进行了分析,并利用二次离子质谱仪(SIMS)对非均匀势阱掺杂进行了表征。结果表明,该量子阱外延材料晶体质量很好,量子阱结构和掺杂浓度也与设计值符合较好。对于非均匀量子阱红外探测器,通过改变每个阱的掺杂浓度和势垒宽度,可以改变量子阱电场分布,而与传统的均匀量子阱红外探测器相比,其暗电流显著下降(约一个数量级)。在不同阱宽下,非均匀量子阱的跃迁模式发生改变,束缚态到准束缚态跃迁模式下(B-QB)的器件具有较高的黑体响应率以及较低的暗电流。; 苏家平周孝好唐舟范柳燕夏顺吉陈平平陈泽中; 关键词：非均匀高分辨电镜二次离子质谱暗电流

一种抑制波段间响应串扰的双波段探测器材料的制备方法: 本发明涉及一种具有抑制波段间响应相互串扰功能的中短双波段探测器材料的制备方法，属于红外探测器制造技术领域。本发明提供一面为抛光面而另一面为正八棱锥凸形点阵结构的蓝宝石衬底，首先在蓝宝石衬底的抛光面采用热蒸发技术生长抑制红...; 陈意桥孙维国

医用射线探测器材料碲化镉的晶化机理研究: 背景:碲化镉（CdTe）由于具有较大的能带隙、高原子序数,可在室温下运行工作,并且可在高能量下实现良好的电离辐射衰减等优异性能,被广泛应用于医用X射线和γ射线探测器原材料。然而,CdTe晶体的生产要素比单元素半导体材料更...; 韩蕾; 关键词：快速凝固分子动力学模拟结晶化

一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构: 本发明公开了一种带势垒层的InAsSb中波红外探测器材料结构，包括有从下往上依次设置的衬底、n型重掺InAsSb下电极层、n型InAsSb吸收层、AlAsSb势垒层以及n型重掺InAsSb上电极层。该结构可以明显降低材料...; 詹健龙尚林涛吴一冈

一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法: 本发明涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及其制备方法，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲层、...; 陈冬琼赵鹏杨文运宋欣波李德香王海澎李立华施静梅戴欣冉白兰艳黄晖

一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器: 本实用新型涉及一种长波nBn型InAsSb红外探测器材料及红外探测器，属于红外探测器技术领域。所述材料的结构由下向上依次为衬底、GaSb缓冲层、Al1‑xInxSb组分渐变缓冲...; 陈冬琼赵鹏杨文运宋欣波李德香王海澎李立华施静梅戴欣冉白兰艳黄晖

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