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- 刻蚀室及感应耦合等离子体刻蚀机
- 本实用新型涉及微纳米制造技术领域，尤其是涉及一种刻蚀室及感应耦合等离子体刻蚀机。所述刻蚀室，包括：室体，室体的内腔形成刻蚀腔；上电极组件，上电极组件设置在室体的顶部；上电极组件包括线圈支撑板、线圈公共接线端和多个电感线圈...
- 徐靖 葛连朋 马风尘 聂闯闯 李衍辉
- 一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备
- 本发明公开了一种反应腔室及感应耦合等离子体刻蚀设备，涉及半导体技术领域，用于调节气体注入部的端部与待刻蚀对象之间的距离，确保待刻蚀对象各区域的表面等离子体密度满足刻蚀要求，提高刻蚀均匀性。所述反应腔室设备包括：气体注入部...
- 李相龙周娜李琳王佳李俊杰
- 一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法
- 本发明公开一种感应耦合等离子体刻蚀设备及刻蚀方法。该感应耦合等离子体刻蚀设备包括刻蚀腔、激励射频电源、第一偏压射频电源，还包括第二偏压射频电源，第二偏压射频电源的频率明显低于第一偏压射频电源频率。本发明能够通过调节不同频...
- 刘小波李雪冬胡冬冬车东晨王佳陈璐徐康宁许开东
- 感应耦合等离子体刻蚀机的原理与故障分析被引量：1
- 2017年
- 介绍了ICPE法工艺的基本原理及其设备的基本结构。分析了影响ICP工艺刻蚀速率的主要因素。根据多年维修经验,分析总结了ICP设备常见故障现象并给出了相应的解决方法。
- 雷宇
- 关键词：感应耦合等离子体干法刻蚀
- 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4
- 2017年
- 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
- 李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方
- 关键词：HSQ深反应离子刻蚀高宽比硬X射线
- 单射频电源感应耦合等离子体刻蚀机
- 本发明公开一种单射频电源感应耦合等离子体刻蚀机，包括：射频电源、匹配器、自偏压生成电路、线圈组件、载片电极和反应腔室，其中，所述线圈组件位于所述反应腔室上方，所述载片电极位于所述反应腔室中且用于支撑晶圆；所述射频电源、所...
- 刘训春
- 单射频电源感应耦合等离子体刻蚀机
- 本发明公开一种单射频电源感应耦合等离子体刻蚀机，包括：射频电源、匹配器、自偏压生成电路、线圈组件、载片电极和反应腔室，其中，所述线圈组件位于所述反应腔室上方，所述载片电极位于所述反应腔室中且用于支撑晶圆；所述射频电源、所...
- 刘训春
- 一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的快速接头
- 本发明公开了一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的快速接头，包括接头母体和与之适配的插头，接头母体包括中空的接头主体、套筒和弹簧，接头主体的前端设有环形凹槽，环形凹槽的底面上设有滚珠通孔，滚珠通孔内设有滚珠，套筒和弹簧套设于环...
- 黄惠良李雪峰陈子勇
- 一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的信号过滤结构
- 本发明公开了一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的信号过滤结构，所述感应耦合等离子体刻蚀机包括气体流量器和与该气体流量器通过信号线连接的氦气阀开闭控制装置，所述气体流量器和氦气阀开闭控制装置之间的信号线上设有一信号过滤器，且该...
- 黄惠良李雪峰陈子勇
- 一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的快速接头
- 本实用新型公开了一种用于感应耦合等离子体刻蚀机的快速接头，包括接头母体和与之适配的插头，接头母体包括中空的接头主体、套筒和弹簧，接头主体的前端设有环形凹槽，环形凹槽的底面上设有滚珠通孔，滚珠通孔内设有滚珠，套筒和弹簧套设...
- 黄惠良李雪峰陈子勇
