搜索到1640篇“ 微波功率器件“的相关文章
- 1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
- 2024年
- 基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。
- 谯兵郁鑫鑫李忠辉陶然周建军陈堂胜
- 关键词：金刚石高电流密度微波功率
- 一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法
- 本发明公开了一种适用于微波功率器件封装外壳的中温陶瓷及制备方法，包括由共烧低阻导带材料制成的中温陶瓷，共烧低阻导带材料包括陶瓷基层以及位于陶瓷基层上表面的钨钢金属化层。本发明的有益效果是：陶瓷采用中温烧结技术，可在122...
- 陈杨李欣源陈骏陈寰贝黎超群
- 一种大栅宽的GaN基微波功率器件及其制造方法
- 本发明提供了一种大栅宽的GaN基微波功率器件及其制造方法。该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的第一介质层、长条状的源电极、鱼骨状分布的漏电极、环状的栅电极、隔离上下两层电极的...
- 王洪周泉斌
- 一种氮化镓微波功率器件
- 本申请涉及一种氮化镓微波功率器件，包括具有第一表面和第二表面的基底、间隔设在基底上的多个封装通道、设在基底第二表面上的散热层、设在散热层上且位于封装通道内的驱动器、设在驱动器上的氮化镓器件、设在基底内并与氮化镓器件的源极...
- 窦静仇亮
- 一种氮化镓微波功率器件
- 本申请涉及一种氮化镓微波功率器件，包括具有第一表面和第二表面的基底、间隔设在基底上的多个封装通道、设在基底第二表面上的散热层、设在散热层上且位于封装通道内的驱动器、设在驱动器上的氮化镓器件、设在基底内并与氮化镓器件的源极...
- 窦静仇亮
- 掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法
- 本发明属于GaN微波功率器件技术领域，具体涉及掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法。本发明采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核层；然后在所述AlN形核层上生长掺铁GaN缓冲层：反应室的...
- 王科 夏远洋 李亦衡 朱廷刚
- 掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法
- 本发明属于GaN微波功率器件技术领域，具体涉及掺铁GaN缓冲层和GaN微波功率器件的外延生长方法。本发明采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核层；然后在所述AlN形核层上生长掺铁GaN缓冲层：反应室的...
- 王科 夏远洋 李亦衡 朱廷刚
- 金刚石固态微波功率器件研究进展和展望
- 2024年
- 被誉为终极半导体材料的金刚石具有超宽的禁带宽度、超高击穿电场、高的载流子漂移速率、极高的热导率、极强的抗辐射能力等特性,在微波功率器件领域具有很好的应用前景。金刚石微波功率器件的研究近几年引起了广泛关注,文章总结了金刚石微波功率器件的研究进展,重点分析了目前主流的氢终端金刚石、表面氧化物终端金刚石和掺杂金刚石实现的微波功率器件的研究进展、面临问题和发展展望。
- 蔚翠冯志红何泽召周闯杰郭建超马孟宇余浩刘庆彬李鹏雨
- 关键词：金刚石晶体管电性能功率
- P波段GaN微波功率器件射频加速寿命试验
- 2024年
- 氮化镓(GaN)微波功率器件广泛应用于民用雷达及通信领域,其长期工作可靠性对整机设备性能有着极其重要的影响。在150℃管壳温度的条件下对千瓦级P波段GaN微波功率器件进行加速寿命试验,基于Arrhenius模型对加速寿命试验结果进行计算和分析,得出该微波功率器件在85℃管壳温度工作条件下的平均失效时间优于2.14×10^(6) h,其工作寿命可以满足射频整机设备应用的要求。
- 董四华高永辉银军赵景波郝海飞
- 关键词：峰值结温加速寿命试验P波段
- 氮化镓微波功率器件陷阱特性表征及演化机理研究
- GaN基微波功率器件具有材料带隙宽、工作电压高、功率密度高等特点,已经成为航天航空、雷达通讯等应用领域的核心器件;其增强型器件在功率电子领域更具有广阔的应用前景。然而,GaN基高电子迁移率晶体管(High-Electro...
- 潘世杰
- 关键词：GAN基HEMT可靠性CNTFET
相关作者
- 郝跃
- 作品数：2,572被引量：1,236H指数：13
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
- 张进成
- 作品数：1,027被引量：119H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
- 马晓华
- 作品数：842被引量：142H指数：6
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：电极 势垒层 高电子迁移率晶体管 栅电极 氧化镓
- 翟玉卫
- 作品数：152被引量：117H指数：7
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
- 研究主题：热反射 终端设备 热成像 结温 校准
- 陈堂胜
- 作品数：425被引量：344H指数：9
- 供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
