搜索到1672篇“ 异质结场效应晶体管“的相关文章
- 异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种异质结场效应晶体管，主要解决现有功率开关器件存在的阈值电压低和实现高击穿电压时工艺复杂的问题，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、第一栅柱(6)、第二栅柱(7)、源极(9)、漏极(10)、台面...
- 毛维王海永杨翠张金风马佩军郑雪峰王冲张进成马晓华郝跃
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- 异质结场效应晶体管
- 异质结场效应晶体管包括第1接触部(20a)和第2接触部(15a)。第1接触部(20a)的长边方向的长度比源极电极(12)的长边方向的长度短，第2接触部(15a)的长边方向的长度比漏极电极(11)的长边方向的长度短。在各漏...
- 藤井敬久永久哲三久保胜
- 异质结场效应晶体管
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- 异质结场效应晶体管
- 本发明提供异质结场效应晶体管。其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。作为解决手段，异质结场效应晶体管具有在基底(20)上依次层积的作为沟道层(40)的第1GaN...
- 玉井功户田典彦星真一
- 异质结场效应晶体管
- 提供一种在实现低驱动电压化的同时，可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率...
- 丰田健治幸康一郎高木刚大西照人久保实
- 异质结场效应晶体管
- 提供一种在实现低驱动电压化的同时,可以抑制发射极、基极之间的再结合电流的减少、提高电流放大倍率等特性的异质结场效应晶体管。在Si基板10上积层Si集电极埋入层11、C含有率高的SiGeC层构成的第1基极区域12、C含有率...
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- 异质结场效应晶体管器件结构及其制备方法
- 本发明提供了一种异质结场效应晶体管器件结构及其制备方法，该异质结场效应晶体管器件结构包括：衬底；异质结晶圆设置在衬底上，异质结晶圆包括量子阱层，量子阱层内形成埋沟通道；栅氧化层设置在异质结晶圆上；栅极设置在栅氧化层上；P...
- 曹刚李宗祜王保传李海欧郭国平
- 一种散热型常闭型异质结场效应晶体管及制造方法
- 本发明公开了一种散热型常闭型氮化镓异质结场效应晶体管结构及其制造方法，所述器件(p‑GaN/AlGaN/GaN HFET)包括异质结构与所述异质结构连接的源极、漏极、栅极和钝化层。本发明选择将氮化铝(AlN)作为新的钝化...
- 王奕锦余晨辉俞彦伟陈志鹏何嘉诚高子建罗曼
- 一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法
- 本申请提供一种双栅控制低导通电阻异质结场效应晶体管及其制造方法，包括：衬底、超结结构、栅极结构、沟道结构、第一电极和第二电极。超结结构包括漂移层，漂移层为N型掺杂。栅极结构包括势垒层、栅极帽层、第一栅极和第二栅极。势垒层...
- 李明哲朱厉阳袁俊彭若诗徐少东郭飞王宽吴阳阳陈伟成志杰
