搜索到57篇“ 局域寿命控制“的相关文章
- 一种半导体器件局域寿命控制方法
- 本发明公开一种半导体器件局域寿命控制方法，所述半导体器件至少包含一组两个不同导电类型，在所述半导体器件中加入至少两种材料，其中第一种材料的少子寿命相对第二种材料的少子寿命要长；利用少子寿命相对短的所述第二种材料来实现局域...
- 曾大杰
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- 一种实现半导体器件局域寿命控制的方法
- 本发明涉及一种实现半导体器件局域寿命控制的方法，包括以下步骤：在未金属化的半导体器件的第一表面覆盖杂质源，杂质源为具有复合中心效应的元素或含有所述元素的物质；根据预设扩散深度、杂质源的扩散系数和固溶度随温度的变化曲线，获...
- 李泽宏柳雨真
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- 2018年
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- 闫娜关艳霞宫兴
- 关键词：快恢复二极管反向恢复时间
- 一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法
- 本发明提出了一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低...
- 吴海平秦博肖秀光
- IGBT集电结局域寿命控制的比较与分析被引量：4
- 2014年
- 新型的电场终止型绝缘栅双极晶体管(FS-IGBT)改善了传统穿通型(PT)IGBT性能上的不足,但对于1 200 V以下器件需要超薄片加工。为打破加工技术的限制,用简易的厚片工艺实现薄片性能,可以在集电结附近设置载流子局域寿命控制层(LCLC)来改善器件性能。目前有两种方案:将LCLC区置于集电区内形成内透明集电极IGBT(ITC-IGBT);或置于缓冲层内,形成缓冲层局域寿命控制IGBT。对这两种结构的600 V器件结合具体参数进行了仿真和比较。仿真结果表明,两种结构的器件可实现几近相同的折中特性,但当LCLC区位于缓冲层内时,需要更低的局域寿命,且更易发生通态特性的回跳现象,影响器件性能。因此将LCLC区置于集电区,即形成ITC-IGBT结构是一个更好的选择,为探索用厚片工艺制造高性能IGBT提供了必要的参考。
- 周新田吴郁胡冬青贾云鹏张惠惠穆辛金锐刘钺杨
- 一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法
- 本发明提出了一种实现局域寿命控制的IGBT及其制造方法，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低...
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- 一种实现局域寿命控制的IGBT
- 本实用新型提出了一种实现局域寿命控制的IGBT，该IGBT包括集电区，在集电区之上形成有缓冲层，在缓冲层之上形成有漂移区，在集电区与漂移区之间形成有至少一层低寿命高复合层，该低寿命高复合层内具有复合中心，能够降低载流子的...
- 吴海平秦博肖秀光
- 一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件
- 提出了一种具有阳极短路结构的局域寿命控制IGBT器件。仿真结果表明，该结构器件具有比阳极短路IGBT和局域寿命控制IGBT更优的正向压降和关断时间的折中关系，且反向阻断特性好。
- 王蓉钱梦亮谢刚曹奎李泽宏
- 关键词：局域寿命控制阳极短路正向压降关断时间横向绝缘栅双极晶体管
相关作者
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