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一种基于机器视觉的导模法制备氧化镓单晶的方法: 本发明涉及导模法制备氧化镓单晶技术领域，尤其涉及一种基于机器视觉的导模法制备氧化镓单晶的方法。所述方法包括步骤：将已知图片样本分类标注后输入模型，使用YOLOv7的算法对经分类标注之后的所有图片样本进行训练，得到机器视觉...; 齐红基秦娟邓淇元

一种基于导模法制备氧化镓单晶的热场结构及其装置与方法: 本发明涉及氧化镓晶体生长技术领域，尤其涉及一种基于导模法制备氧化镓单晶的热场结构及其装置与方法。本发明通过将热场结构下部的内腔由圆腔改为椭圆腔，使得模具宽度方向的热场结构向模具侧延伸，从而提升热场结构对模具两侧的保温，进...; 齐红基秦娟邓淇元黄浩天

一种导模法曲面晶体生长方法: 本发明公开了一种导模法曲面晶体生长方法，包括S1：将生长原料放入坩埚内，将模具放置在坩埚内，将籽晶通过籽晶杆位于模具正上方3‑50mm处，所述模具设有曲面内腔；S2：对上保温装置和中保温装置内抽真空、充入惰性气体；S3：...; 王晓亮王玉宝赵小玻何敬晖赵鹏

导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点: 2025年; β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,所以β-Ga_(2)O_(3)晶体的缺陷检测技术显得尤为重要。过去通常采用刻蚀的方法进行位错的检测和密度计算,但这种方法是破坏性的,只适用于实验样品的研究分析。本文突破传统缺陷分析方法的局限,引入X射线形貌分析术(XRT)并结合酸性腐蚀法,对导模法生长β-Ga_(2)O_(3)的(001)、(010)、(100)面分别进行了深入研究,揭示了位错在三维空间的分布特征,明确指出,在导模法晶体中,沿着b轴[010]方向的位错占主导地位,为理解β-Ga_(2)O_(3)位错的结构和特征提供了宝贵的信息,进而为之后外延和器件晶面的选择指明了新的方向。; 杨文娟卜予哲赛青林齐红基; 关键词：氧化镓宽禁带半导体位错导模法

一种基于导模法的籽晶移动的单晶生长方法: 本发明公开一种基于导模法的籽晶移动的单晶生长方法，属于单晶生长技术领域。所述单晶生长方法包括步骤：首先在偏离模具中间位置处进行籽晶引晶；然后向上提拉籽晶杆，使得籽晶杆下部出现放肩；待出现放肩后移动籽晶杆进行放肩，所述移动...; 齐红基邓淇元秦娟

导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法: 本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体界面变形程度确定方法和优化方法，本发明实施例通过从目标计算域中确定目标结晶界面，并对目标计算域进行稳态计算，得到目标结晶界面所在的温度场；根据温度场，确定目标结晶界面对应的目标函数；计...; 李早阳王君岚杨垚罗金平刘立军

导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉: 本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的模具设计方法、模具和生长炉，涉及晶体生长技术领域；所述方法包括：基于包括待设计模具的晶体生长炉和氧化镓晶体确定结晶界面；在待设计模具的顶部边沿与结晶界面边沿之间的最大距离小于目标距离...; 李早阳王君岚刘立军

一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法: 本发明涉及集成电路半导体制造的技术领域，具体涉及一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法，包括第一保温桶，所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道，所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长...; 张召富殷长帅孟标梁康魏强民严钰婕

导模法生长β-Ga_(2)O_(3)晶体流场对称性研究: 2025年; 导模法生长高质量氧化镓单晶的关键在于放肩过程的稳定性控制,而对称的流场与热场是实现稳定放肩的关键因素之一。本文将数值模拟与实验相结合,通过在保温装置的不同位置分别增设进气管道,对保温腔内气体的对流行为进行调控,从而避免气体涡流对模具上方温场分布的负面影响。研究表明,底部进气显著增强了固液界面附近温场与流场的对称性,并获得了合适的轴向温度梯度40 K/mm,成功实现了晶体生长过程中的对称放肩。本文研究为导模法生长β-Ga_(2)O_(3)单晶系统的设计与优化提供依据。; 姜博文纪为国张璐范骐鸣潘明艳黄浩天齐红基; 关键词：导模法数值模拟放肩流场

导模法生长6英寸氧化镓单晶的结晶界面变形度评估与控制研究: 2025年; 氧化镓单晶(β-Ga_(2)O_(3))具有禁带宽度大、击穿场强高等优异性能,在高功率、深紫外等器件领域具有重要应用价值。导模法是生长大尺寸高品质氧化镓单晶的重要方法,然而导模炉内部加热与保温结构的周向对称性及模具与晶体的周向不对称性,容易导致晶体在宽度和厚度方向传热不均匀,从而引起结晶界面严重变形,影响晶体的稳定生长。本文综合考虑了导模炉内部包含氧化镓单晶各向异性热传导和热辐射吸收耦合作用在内的各种传热流动现象,开展了非轴对称结晶界面形状的动网格追踪,建立了导模法生长氧化镓单晶的三维全局传热数值模型,对比研究了2英寸与6英寸(1英寸=2.54 cm)氧化镓单晶生长过程的热量传递及结晶界面变形规律,评估了不同尺寸晶体生长的界面变形度,设计了减小6英寸晶体生长界面变形度的盖板结构。研究结果表明,6英寸氧化镓单晶生长在晶体宽度和厚度方向上表现出更加显著的传热不均匀,使大尺寸晶体生长时结晶界面变形度更大,晶体生长稳定性更差;盖板结构对晶体在宽度和厚度方向上的传热和界面变形度影响显著,厚盖板周向包裹晶体的结构能够为6英寸氧化镓单晶稳定生长创造适宜的条件。本文研究工作对于导模法稳定生长大尺寸高品质氧化镓单晶具有重要指导意义。; 王君岚李早阳杨垚祁冲冲刘立军; 关键词：导模法

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