搜索到8595篇“ 宽带隙半导体材料“的相关文章
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一种新点群硅宽带隙半导体材料
本发明公开了一种新点群硅宽带隙半导体材料，主要解决功率器件性能提高受到现有金刚石型硅窄的禁带宽度制约的问题。其由多个周期性排列的晶胞组成，每个晶胞包括基本空间群P3<Sub>2</Sub>21和18个硅原子，晶胞中的硅原...
段宝兴曹泽斌王雨龙杨银堂
使用宽带隙半导体材料形成的场效应晶体管
本发明涉及使用宽带隙半导体材料形成的场效应晶体管，提供用于场效应晶体管的结构和形成这种结构的方法。该结构包括半导体衬底，该半导体衬底包括顶表面、邻近该顶表面的掺杂区域以及延伸穿过该掺杂区域的沟槽。该半导体衬底包括宽带隙半...
F·赫伯特
二维重构铁电相宽带隙半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种二维重构铁电相宽带隙半导体材料及其制备方法，主要解决现有技术中半导体薄膜质量和厚度难以控制的问题。方案包括：1)衬底预处理；2)生长石墨烯层，并将其转移至衬底；3)对衬底上的石墨烯层进行等离子修饰；4)利...
袁海东王立炜常晶晶林珍华张进成郝跃
在宽带隙半导体材料中实现的结型场效应晶体管
本公开涉及在宽带隙半导体材料中实现的结型场效应晶体管。用于结型场效应晶体管的结构和形成这样的结构的方法。该结构包括：半导体衬底，其包括沟槽；以及源极，其包括位于半导体衬底中的与沟槽相邻的掺杂区。掺杂区和半导体衬底具有相同...
F·赫伯特J·A·库珀
具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明提出了一种具有宽带隙半导体材料/硅半导体材料异质结的绝缘栅双极晶体管(IGBT)及其制作方法，该异质结IGBT器件主要是将宽带隙材料与硅材料相结合形成异质结，先在宽带隙半导体材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较高...
段宝兴孙李诚吕建梅杨鑫杨银堂
文献传递
二维宽带隙半导体材料的理论设计与性能研究
二维宽带隙半导体是高温，高功率以及高频率器件的理想选择。相比于二维窄带隙半导体，它具有更宽的带隙，更好的热导性和更高的击穿场强。这些优势使得二维宽带隙半导体在极端环境下应用时，性能更优于二维窄带隙半导体的性能。在本篇论文...
朱珍雪
关键词：半导体第一性原理电学性质
具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法
本发明提出了一种具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法。该异质结IGBT器件主要特点是将宽带隙半导体材料与硅材料相结合的异质结部分生长在外延层上，将掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延生长在P+型...
段宝兴王夏萌杨鑫孙李诚张一攀杨银堂
文献传递
硫化镁材料、硫化镁复合材料、二次电池用正极部件、宽带隙半导体材料及镁二次电池以及闪锌矿型硫化镁的制造方法
提供一种镁二次电池，所述镁二次电池具备：至少具备正极活性物质层(23B)的正极部件(23)、与正极部件(23)相对配设的隔膜(24)、与隔膜(24)相对配设的包含镁或镁化合物的负极部件(25)以及包含镁盐的电解液。正极活...
上口宪阳松本隆平熊谷洁细井慎中山有理
文献传递
具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法
本发明提出了一种具有部分宽带隙半导体材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法。该异质结IGBT器件主要特点是将宽带隙半导体材料与硅材料相结合的异质结部分生长在外延层上，将掺杂浓度较低的N型宽带隙半导体材料外延生长在P+型...
段宝兴王夏萌杨鑫孙李诚张一攀杨银堂
文献传递
纳米结构红磷改性宽带隙半导体材料及其光催化性能研究
近年来，世界面临着严峻的环境污染和能源短缺等危机，而半导体光催化技术对解决当前问题是一种有效的途径。TiO2其化学稳定性高、无毒、氧化能力强、廉价、耐光腐蚀等优势，是被研究最多而且最早的半导体光催化材料。TiO2和SrT...
王静
关键词：宽带隙半导体材料异质结光催化性能
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杨银堂
作品数：1,642被引量：1,670H指数：16
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：硅 片上网络 电路 CMOS 低功耗
段宝兴
作品数：223被引量：65H指数：4
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：击穿电压 晶体管 纵向电场 漂移区 场效应管
杨鑫
作品数：37被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：纵向电场 异质结 宽带隙半导体材料 硅材料 击穿电压
曹震
作品数：66被引量：9H指数：2
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场效应管 金属氧化物半导体 击穿电压 多数载流子 半绝缘多晶硅
吕建梅
作品数：27被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：多数载流子 半绝缘多晶硅 金属氧化物半导体 宽带隙半导体 击穿电压