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一种电磁系统的宏 模型 构建方法及装置 本申请公开了一种电磁系统的宏 模型 构建方法及装置,涉及计算电磁学技术领域,该方法包括:利用目标系统的S参数数据在频域中使用有理函数形式,构建初始宏 模型 ,基于初始宏 模型 将物理性约束条件应用到模型 参数中,得到时域实数因果稳定对... 丛喆 申金顺 王庆飞 陈浩宏 模型 、包括宏 模型 的电路设计模拟程序和能够执行电路设计模拟程序的电路设计模拟器 本发明提供了宏 模型 、包括宏 模型 的电路设计模拟程序和能够执行电路设计模拟程序的电路设计模拟器。一种宏 模型 ,其用于基于节点方法的电路设计模拟器中。所述宏 模型 构成为包括行为模型 ,该行为模型 的功能由包括多个条件分支作为选项的一个... 小野克幸基于端口宏 模型 的移频轨道电路雷击响应分析 2025年 为了解决轨道电路雷电过电压时域计算分段数多且计算复杂的问题,以ZPW-2000A型无绝缘移频轨道电路为例,基于Agrawal场线耦合模型 建立轨道电路雷击响应分析模型 。首先推导了牵引供电与轨道电路组成的多导体传输线系统的Agrawal场线耦合模型 的解,并建立了一个易于实现的宏 模型 。将提出的宏 模型 与电磁暂态仿真软件PSCAD中“频率相关(相位)模型 ”组件结合,建立了用于计算轨道电路雷电过电压的模型 。通过与时域有限差分法(FDTD)和实验数据对比验证该方法的准确性。最后,分析雷击接触线和雷击钢轨2种情况下的轨道电路雷电过电压,讨论传输距离和道床电阻等不同影响因素对雷电过电压的影响以及牵引网多导体传输线的线间耦合干扰。研究结果表明:当雷电直击钢轨时,雷电过电压极易超过信号设备的耐压范围,随着雷击点离轨道电路接收端距离减小,钢轨过电压的峰值随之增加,存在轨旁信号设备被击穿损坏的风险;道床电阻越大钢轨过电压的峰值也随之增大,其雷电过电压的危害越严重;大地电导率对钢轨过电压的影响较小,随着大地电导率的增加,钢轨过电压的峰值也有小幅度的增大;雷击接触线时,在牵引供电系统中接触线过电压峰值最大而保护线上的耦合过电压较小,各导线的终端响应存在震荡。研究结果对轨道电路雷电防护的理论计算具有一定的应用价值。 赵斌 李森森 宋玉华 高丽霞 王东 付帅关键词:轨道电路 PSCAD 雷电过电压 一种基于物理场解析的MEMS器件宏 模型 构建方法 本发明公开一种基于物理场解析的MEMS器件宏 模型 构建方法,属于计算、推算或计数的技术领域。该方法将MEMS器件的多个物理场效应拆解分离,选择与MEMS器件的机械结构耦合程度最深的物理场作为主物理场,通过基于阶跃响应的系统... 周再发 徐昊 张浩东 王九州 黄庆安应用于FeRAM设计的铁电电容宏 模型 2024年 本文结合实际铁电存储器的基本电路单元和读写原理,基于Preisach理论和铁电电畴矫顽电压概率密度函数一维分布近似提出了用于电路仿真的铁电电容宏 模型 。模型 采用与spice兼容的Verilog-A语言实现,能够准确描述铁电电容的非饱和滞回特性,以及电压任意变化时的铁电电容变化。模型 仿真结果与实验数据符合良好,可为铁电存储器(FeRAM)设计提供可靠的参考。 王浩 郭术明 吴超关键词:铁电存储器 铁电电容 宏模型 一种基于状态空间法的热式风速传感器宏 模型 提取方法 本发明提出一种基于状态空间法的热式风速传感器宏 模型 提取方法:该方法首先对热式风速传感器尺寸、结构和材料参数提取并进行三维建模,设置空气域,初始化边界条件进行有限元仿真,获得在风速为0情况下热式风速传感器模型 的阶跃响应和在... 周再发 徐昊 黄庆安半导体集成电路装置的宏 模型 、电路设计仿真程序和电路设计仿真器 根据本文公开的内容的一个方面,一种半导体集成电路装置的宏 模型 10用于在电路设计仿真器上使用,并且包括:输入节点14,所述输入节点构成为接受第二温度条件Ta2的输入,所述第二温度条件是与为所述电路设计仿真器的整个系统设置的... 丸本共治 片山卓也一种非线性电路宏 模型 提取方法、系统及介质 本发明公开了一种非线性电路宏 模型 提取方法,包括以下步骤:获取非线性电路系统的输出轨迹并选取若干展开点;根据所述展开点生成若干二次化系统,并根据若干二次化系统生成所述非线性电路系统的分段多项式系统;对所述分段多项式系统使用... 邱志勇 郭振华 赵雅倩 陈永芳一种基于人工神经网络的运算放大器宏 模型 设计方法 本发明涉及集成电路EDA软件中的电路模型 自动设计建模领域,具体为一种基于人工神经网络的运算放大器宏 模型 设计方法。通过使用人工神经网络(ANN)对直流输出电压Vout、静态功率Iq和信号路径的主极点Pole进行精确建模,增... 蓝碧健 魏佳豪 张征 张静肖一种环形栅LDMOS器件的宏 模型 2023年 提出了一种适用于环形栅LDMOS器件的子电路宏 模型 。基于对环形栅LDMOS器件结构的分析,将环形栅LDMOS器件分为两个部分,一个是中间的条形栅MOS部分,使用常规的高压MOS模型 ;另一个是端头部分,为一个圆环形栅极MOS器件,采用了一个单独的模型 。基于40 V BCD工艺的N沟道LDMOS器件进行模型 提取与验证。结果表明,建立的宏 模型 具有较强的几何尺寸缩放功能,对于不同尺寸的器件都具有较高的拟合精度,并且模型 能够兼容当前主要的商用电路仿真器Hspice和Spectre。 韩卫敏 刘娇 王磊 洪敏 朱坤峰 张广胜关键词:LDMOS 宏模型 BCD工艺
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李伟华 作品数:276 被引量:191 H指数:7 供职机构:东南大学 研究主题:MEMS 多晶硅 微机电系统 残余应力 绝缘衬底 黄庆安 作品数:922 被引量:857 H指数:13 供职机构:东南大学 研究主题:MEMS 风速风向传感器 无源无线 微机电系统 微电子机械系统 戎华 作品数:59 被引量:101 H指数:6 供职机构:南京师范大学 研究主题:MEMS薄膜 MEMS 等效电路宏模型 悬臂梁 宏模型 闻飞纳 作品数:12 被引量:17 H指数:2 供职机构:东南大学 研究主题:宏模型 等效电路宏模型 等效电路 受控源 大信号 林谢昭 作品数:54 被引量:219 H指数:5 供职机构:福州大学机械工程及自动化学院 研究主题:宏模型 盘式制动器 微机电系统 MEMS 静电