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存储电荷
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
通过分级电阻控制的直流
存储
电荷
放电方法及系统
本发明涉及电阻控制
电荷
放电领域,公开了通过分级电阻控制的直流
存储
电荷
放电方法及系统,包括以下步骤:基于目标直流
存储
电荷
的放电需求,确定电容器和分级电阻的子电阻值,同时构建目标放电控制回路;对目标放电控制回路进行放电初步测...
徐明
赵永刚
陈智恒
查雪良
周洪
正反馈增速可
存储
电荷
释放人工闪电的水电分离加强型滴水起电机的制备方法
本发明提供正反馈增速可
存储
电荷
释放人工闪电的水电分离加强型滴水起电机的制备方法。用曲率化导电板包裹水电分离网络,随着水滴的持续滴落,曲率化导电板不断收集
电荷
,从其尖端流入莱顿电容,莱顿电容两端引出的放电球之间的电压足够高...
苗中正
宋佳亮
征杭慧
田华雨
优化
存储
电荷
损失管理
本公开涉及优化
存储
电荷
损失管理。一种系统包含
存储
器装置及处理装置,所述处理装置可操作地与所述
存储
器装置耦合以执行包含以下的操作:接收所述
存储
器装置的块的一组读取偏移,所述一组读取偏移包括默认读取偏移;基于一或多个准则从所...
G·F·贝桑格
R·C·帕迪拉
T·欧帕斯特拉库恩
S·K·瑞特南
M·G·米勒
C·M·斯米奇赫盖尔
V·P·拉亚普鲁
A·马尔谢
使用
存储
电荷
损失裕度检查进行开放块管理
本申请案涉及使用
存储
电荷
损失裕度检查进行开放块管理。一种系统包含
存储
器装置;和处理装置,其以操作方式与所述
存储
器装置耦合以执行包括以下操作的操作:识别已在所述
存储
器装置的开放块上发生的
存储
电荷
损失SCL的量,所述开放块具...
C·M·斯米奇赫盖尔
G·F·贝桑格
R·C·帕迪拉
T·欧帕斯特拉库恩
S·K·瑞特南
M·G·米勒
V·P·拉亚普鲁
A·马尔谢
显示电容器
存储
电荷
功能实验的改进和拓展
2021年
电容器具有储能、滤波、调谐等多种作用,是电子电路中不可缺少的元件,而高中生首次接触电容器,对电容器一无所知,怎样才能快速走进电容器,本文认为应该从电容器
存储
电荷
的功能入手,通过六个小实验,可以较好地认识电容器
存储
电荷
的作用。
崔延宁
关键词:
电容器
存储电荷
充电
放电
一种利用开关电容预先
存储
电荷
的系统
本实用新型涉及一种利用开关电容预先
存储
电荷
的系统。所述系统包括:电源模块、电压检测及控制模块、电压变换器模块、储能电容模块和受控开关模块;所述电压变换器模块是指一个单向
电荷
泵;所述储能电容模块由储能电容C2和储能电容C3...
车诒恒
简卫
张欣
朱奇良
钱为
董火新
张建兵
文献传递
一种低
存储
电荷
快恢复二极管芯片
一种低
存储
电荷
快恢复二极管芯片,其特征在于所述二极管芯片采用N+/P‑/P+结构或P+/P‑/N+结构,所述二极管芯片的漂移区为P‑型漂移区,在正向偏置时,注入所述P‑型漂移区的少数载流子为电子。采用P‑型漂移区结构,使...
杨勇
马文力
姚伟明
杨党利
王源政
谭德喜
文献传递
一种降低栅极
存储
电荷
的MOSFET场效应管元胞结构
本实用新型公开了一种降低栅极
存储
电荷
的MOSFET场效应管元胞结构,包括衬底,衬底背面设有背面金属层,正面生长有外延层,外延层的主表面部分设有场氧化层,外延层的主表面还扩散有阱区,且阱区内设有两个源区,阱区和源区为所述外...
姚伟明
陆阳
金银萍
文献传递
一种低
存储
电荷
快恢复二极管芯片
一种低
存储
电荷
快恢复二极管芯片,其特征在于所述二极管芯片采用N+/P-/P+结构或P+/P-/N+结构,所述二极管芯片的漂移区为P-型漂移区,在正向偏置时,注入所述P-型漂移区的少数载流子为电子。采用P-型漂移区结构,使...
杨勇
马文力
姚伟明
杨党利
王源政
谭德喜
OLED器件中
存储
电荷
在交流驱动中的应用
流驱动作为有机电致发光器件的一种驱动形式,能够克服在直流驱动情况下影响器件稳定的部分因素。在交流驱动时,绝缘层的引入是最为常见的结构,通常要做到几百纳米。在我们的工作中,制备了含有超薄绝缘层结构的OLED 器件。
张成文
赵谡玲
徐征
乔泊
关键词:
有机电致发光
存储电荷
交流驱动
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吴南健
作品数:391
被引量:169
H指数:8
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:CMOS图像传感器 太赫兹波 模数转换器 视觉芯片 图像传感器
刘明
作品数:1,382
被引量:412
H指数:11
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
马占洁
作品数:249
被引量:0
H指数:0
供职机构:京东方科技集团股份有限公司
研究主题:显示装置 像素电路 移位寄存器 显示面板 栅极驱动电路
王永
作品数:27
被引量:16
H指数:2
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:纳米晶 存储器 硅纳米晶 非挥发性存储器 浮栅
林殷茵
作品数:301
被引量:154
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