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GaN HEMT器件信号模型研究
近年来,GaN因其在高频和高功率微波器件中的潜在应用而越来越受欢迎。它具有宽的带隙和高的击穿电压,被称为第三代半导体材料。在用GaN材料制备的器件中,GaN基HEMT(High Electron Mobility Tra...
范兴丹
关键词:小信号模型大信号模型
一种包含kink效应的GaN HEMT信号模型的建模方法
本发明涉及一种包含kink效应的GaN HEMT信号模型的建模方法,属于射频器件建模技术领域,解决了现有技术中模型不能准确反应GaN HEMT的工作状态和通用性低的问题。该方法包括:对GaN HEMT器件进行直流电学特...
董青杨罗卫军 薄纯月 吴秀皓 蒋鑫 李晨浩
GaN HEMT射频开关器件信号模型研究
第三代宽禁带半导体氮化镓(GaN)是能够同时实现高频率、高功率的代表性材料,在功率器件、射频器件及光电子器件领域都有广泛应用。近年间全球GaN产业规模呈爆发式增长,上游产能持续扩张,GaN器件与传统硅基产品价差逐渐缩小,...
别致
关键词:射频开关大信号模型
基于信号模型的构网型新能源同步稳定控制方法及系统
本发明公开了一种基于信号模型的构网型新能源同步稳定控制方法及系统,方法包括:根据电压幅值和电流幅值计算并网点的瞬时有功功率和瞬时无功功率;构建暂态功率补偿控制支路和电压前馈控制支路,并分别暂态功率补偿量和前馈控制支路功...
陶翔辛建波张帅徐在德孙之栋叶钟海周求宽刘一欣周宁陈波王凯程思萌汪硕承郝钰刘柳周煦光戈田平崔忠瑞
Ka波段GaNHEMT信号模型研究
由于具有高功率密度、耐高温高压等优异特性,近年来,氮化镓高电子迁移率晶体管一直受到各国的特别关注,得到了重点发展并取得显著的进步,在下一代移动通信以及航空航天等领域被广泛应用。为了表征GaNHEMT器件的输出特性以及指导...
方恒
关键词:KA波段大信号模型
一种GaN HEMT信号模型参数一体化提取方法
本发明公开了一种GaNHEMT信号模型参数一体化提取方法,包括:通过小信号等效电路寄生参数提取方法提取寄生参数值,建立初始种群;剥离初始种群中的寄生参数通过网络分析获得部分本征参数,跨导以及导纳通过含信号特性的直流I...
包华广张利民丁大志张天成樊振宏
一种GaN HEMT信号模型参数一体化提取方法
本发明公开了一种GaNHEMT信号模型参数一体化提取方法,包括:通过小信号等效电路寄生参数提取方法提取寄生参数值,建立初始种群;剥离初始种群中的寄生参数通过网络分析获得部分本征参数,跨导以及导纳通过含信号特性的直流I...
包华广张利民丁大志张天成樊振宏
一种可缩放AlGaN/GaN HEMTs信号模型的建立方法
本发明公开了一种可缩放AlGaN/GaN HEMTs信号模型的建立方法,确保GaN HEMTs缩放信号模型的精确度,本发明从器件的单指栅宽、栅指个数角度考虑,对GaN HEMTs信号模型内部本征参数漏源电流(I<S...
李宇超成爱强史清徐祖银戈硕王帅葛晨
一种改进的ASM-HEMT GaN器件信号模型的建立方法
本发明公开了一种改进的ASM‑HEMT GaN器件信号模型的建立方法,基于物理基ASM‑HEMT模型,对宽禁带半导体射频GaN HEMT提出一种改进的直流特性模型,考虑到漏源电压(V<Sub>ds</Sub>)、栅源电...
王帅葛晨伍园徐祖银成爱强李宇超戈硕
毫米波/太赫兹MOSFET信号模型研究
硅基MOSFET因工艺成熟、成本低、功耗低、集成度高等优势而被广泛应用在功率放器、振荡器、低噪声放器等信号电路中。在电路设计流程中,晶体管作为射频电路最基本的元件,其模型准确度是缩短电路设计周期、降低设计成本的关键...
杨紫暄
关键词:大信号模型

相关作者

徐跃杭
作品数:152被引量:52H指数:4
供职机构:电子科技大学
研究主题:功率放大器 GAN 微波 MMIC 超宽带
刘进军
作品数:517被引量:2,206H指数:25
供职机构:西安交通大学
研究主题:变流器 逆变器 电力电子变压器 直流侧电压 电力系统
张义门
作品数:360被引量:458H指数:11
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 6H-SIC
曹全君
作品数:11被引量:4H指数:1
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:MESFET 4H-SIC 大信号模型 射频 大信号
王润新
作品数:24被引量:24H指数:2
供职机构:上海海事大学物流工程学院
研究主题:互联系统 大信号模型 计算机仿真 功率因数校正 互联