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一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结
一种多量子阱结构共振隧穿铁电隧道结属于微电子与集成电路存储器技术领域。本发明从上到下叠层结构依次为：上电极(1)、铁电势垒层(2)、多量子阱层(3)及下电极(4)；其中，多量子阱层(3)包括第一量子阱(31)、第二量子阱...
常鹏鹰李杰郭义蓉苏金宝张欢包蕾解意洋
一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法
本发明公开了一种单pn结多量子阱结构探测器信号处理方法。该方法针对单pn结多量子阱结构探测器，利用该探测器在光照下伏安特性曲线具有台阶或拐点的特性，结合台阶或拐点处的量子效率曲线，对探测器所测的伏安特性曲线进行数学处理，...
全知觉刘天翔曹盛
一种基于多量子阱结构的太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种基于多量子阱结构的太阳能电池及其制备方法，所述基于多量子阱结构的太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、n‑GaN层、MQW吸收层、p‑GaN复合层和电流扩散层，所述p‑GaN复合层包括表面设有图案化凹...
郭建廷李方红常嘉兴
一种非氧化型隧道结串联多量子阱结构VCSELs器件的制备方法
本发明涉及VCSELs器件的制备方法，具体涉及一种非氧化型隧道结串联多量子阱结构VCSELs器件的制备方法，解决了采用现有技术制备的VCSELs器件存在光功率密度和电光效率低、出光孔径大、调制速率、不能高密度集成、亮度低...
王贞福李特
一种多量子阱结构
本实用新型提供了一种多量子阱结构。所述结构包括交替设置的量子垒层和量子阱层，所述多量子阱结构还包括设置在量子垒层中的第一应力调制层和量子阱层中的第二应力调制层中的至少一个，所述第一和第二应力调制层的晶格常数介于量子阱与量...
闫其昂王国斌
一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法
本发明一种高性能的绿光二极管多量子阱结构及其制备方法，属于半导体材料技术领域；所要解决的技术问题是提供了一种晶体质量好、载流子复合几率大、量子发光效率高的势垒内梯度硅掺杂的多量子阱结构及其制备方法；技术方案为：其结构沿生...
董海亮许并社贾伟张爱琴屈凯李天保梁建
长波长InGaN/GaN多量子阱结构的生长优化和极化调控
氮化物发光二极管(Light Emitting Diode,LED)因其优良的特性,不仅可用于常规照明,还可用于许多其他领域。与蓝光LED相比,黄绿光LED因In原子组分增加,制备得到的器件晶体质量和发光不理想,针对上述...
胡琳琳
关键词：INGAN/GAN多量子阱PSS
高In组分InGaN/GaN多量子阱结构的光致发光特性研究
近二十年来,发光二极管(LED)凭借其体积小、反应快、抗冲击性强、发光效率高、寿命长和环境友好等优点,在全彩显示器、背光屏、普通照明和通讯等领域已经得到了广泛应用,成为了继白炽灯、荧光灯和高强度气体放电灯之后的第四代人工...
时凯居
关键词：INGAN/GAN多量子阱光致发光
硅基混成多量子阱结构及其制备方法
本发明公开了一种硅基混成多量子阱结构，包括依次设置于衬底上的缓冲层和至少一个组合层；所述组合层包括势垒层和BGaAsBi材料的势阱层，所述势阱层的材料组分满足：B<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑</Sub><S...
顾溢 孙夺
具有调制掺杂多量子阱结构的深紫外LED及制备方法
本发明公开了一种具有调制掺杂多量子阱结构的深紫外LED及制备方法，该深紫外LED包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、AlN本征层、N型AlGaN层、电流扩展层、调制掺杂多量子阱层、电子阻挡层、P型AlGaN注入层和P型GaN接...
张骏陈景文张毅岳金顺
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张荣
作品数：851被引量：596H指数：10
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延
黄波
作品数：27被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学
研究主题：掺杂 多量子阱结构 电子阻挡层 LED器件 光输出功率
何苗
作品数：287被引量：0H指数：0
供职机构：广东工业大学
研究主题：电子阻挡层 控制系统 负极材料 复合材料 多量子阱
王建浦
作品数：74被引量：33H指数：4
供职机构：南京工业大学
研究主题：钙钛矿 发光二极管 金属卤化物 发光器件 光电器件
张敏明
作品数：162被引量：112H指数：6
供职机构：华中科技大学
研究主题：波导 硅基 集成光子器件 波长 分布反馈激光器