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垂直半导体放大器被引量:1
2004年
本文介绍了一种新型放大器--垂直半导体放大器的产生背景、工作原理、性能特点及系统装置,并与当前几种热门的放大器做比较,进一步说明它所具有的独特优点及在下一代通信网络和信息处理中的应用优势。
姚海峰潘炜罗斌吕鸿昌贾习坤赵巍
关键词:垂直腔半导体光放大器光通信网络光信息处理性能特点
一种垂直半导体放大器及其使用方法
本发明涉及一种垂直半导体放大器及其使用方法,属于半导体放大器技术领域,垂直半导体放大器依次包括N面电极、N面绝缘层、衬底、有源区、P面绝缘层以及P面电极,N面电极以及P面电极均包括阴极、阳极以及放电,阴极放电...
吴振海胡东霞张君龙蛟张雄军田晓琳李平
一种基于垂直半导体放大器神经形态异或运算装置
本发明公开了一种基于垂直半导体放大器神经形态异或运算装置,属于计算与信号处理领域。就目前研究进展,电信号混合异或方案存在电信号处理速度低的问题,基于偏振各向异性和非线性增益的传统全异或运算方案存在操作复杂和...
项水英赵世豪张雅慧
一种基于垂直半导体放大器的低功耗学突触装置
本发明公开了基于垂直半导体放大器的低功耗学突触装置。该发明属于信息处理技术领域,主要应用于子脉冲神经网络的构建。所述的装置如附图所示,包括两个垂直面发射半导体器VCSEL1,VCSEL2,可调延时线VO...
项水英张雅慧龚俊楷
一种垂直半导体放大器放大系统
本发明公开了一种垂直半导体放大器,包括放大芯片、傅里叶变换透镜、衍射学元件和顶镜;放大芯片包括有源区和位于有源区一侧表面的底镜;有源区背向底镜一侧沿远离底镜的方向依次设置有傅里叶变换透镜、衍射学元件以...
张星吴昊
一种垂直半导体放大器放大系统及制备方法
本发明公开了一种本发明所提供的一种垂直半导体放大器,包括顶热沉、底热沉和至少两个放大芯片;顶热沉和底热沉沿厚度方向相对设置,放大芯片位于顶热沉和底热沉之间,至少两个放大芯片沿厚度方向堆叠以固定连接;放大芯片包...
张星吴昊张建伟
一种基于垂直半导体放大器的低功耗学突触装置
本发明公开了基于垂直半导体放大器的低功耗学突触装置。该发明属于信息处理技术领域,主要应用于子脉冲神经网络的构建。所述的装置如附图所示,包括两个垂直面发射半导体器VCSEL1,VCSEL2,可调延时线VO...
项水英张雅慧龚俊楷
一种垂直半导体放大器放大系统
本发明公开了一种垂直半导体放大器,包括放大芯片、傅里叶变换透镜、衍射学元件和顶镜;放大芯片包括有源区和位于有源区一侧表面的底镜;有源区背向底镜一侧沿远离底镜的方向依次设置有傅里叶变换透镜、衍射学元件以...
张星吴昊
一种垂直半导体放大器放大系统及制备方法
本发明公开了一种本发明所提供的一种垂直半导体放大器,包括顶热沉、底热沉和至少两个放大芯片;顶热沉和底热沉沿厚度方向相对设置,放大芯片位于顶热沉和底热沉之间,至少两个放大芯片沿厚度方向堆叠以固定连接;放大芯片包...
张星吴昊张建伟
垂直半导体放大器中的等效反射率分析
2019年
为了优化垂直半导体放大器(VCSOA)在不同应用中的性能,以及用通用计算方法获得准确的端面反射率,考虑到器件内部场分布特点,采用角频谱理论和传输矩阵的方法,取得了器件中分布布喇格反射器(DBR)等效反射率与束半值谱宽的数据,进行了理论分析和实验验证。结果表明,等效反射率随着结构周期增加而变大,但是当周期大于25时基本不再变化;与只考虑正入射情况相比,修正后的DBR等效反射率小了2%~4%;等效反射率随着半值谱宽θ_(FWHM)增大而减小。该研究为准确计算膜堆层数对DBR等效反射率的影响提供理论指导,优化了VCSOA的工作性能。
卢静卢静
关键词:激光器反射率传输矩阵法垂直腔半导体光放大器

相关作者

罗斌
作品数:553被引量:947H指数:15
供职机构:西南交通大学
研究主题:半导体激光器 混沌 垂直腔半导体光放大器 激光器 载波抑制
潘炜
作品数:631被引量:920H指数:15
供职机构:西南交通大学
研究主题:微波光子 半导体激光器 混沌 调制格式 光纤
王刚
作品数:41被引量:105H指数:6
供职机构:西南交通大学
研究主题:超导带材 垂直腔半导体光放大器 氦气 带材 隧道
贾习坤
作品数:5被引量:21H指数:3
供职机构:西南交通大学信息科学与技术学院
研究主题:垂直腔半导体光放大器 传输矩阵 带宽 增益 传输矩阵法
赵峥
作品数:10被引量:40H指数:4
供职机构:西南交通大学
研究主题:垂直腔半导体光放大器 垂直腔面发射激光器 边模抑制比 增益特性 光反馈