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一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法
本发明公开了一种栅极可调的高响应光电同质结场效应器件及其制法与光电响应控制方法,器件包括衬底,衬底表面设置金属栅极层和绝缘层,绝缘层部分于覆盖金属栅极层上,绝缘层表面设置沟道层,沟道层表面间隔设置源极和漏极;沟道层由具有...
于文韬赵龙潘晨程斌
一种制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法
本发明公开了一种抗辐射金属氧化物半导体场效应器件及其制造方法,属于电子工程技术领域。该器件包括抗辐射金属氧化物半导体场效应器件包括表面上具有无缺陷区域层的硅晶片。本发明的制造抗辐射金属氧化物半导体场效应器件的方法,高效率...
洪学天赵大国林和王尧林牛崇实黄宏嘉陈宏
二硫化钼及其场效应器件的位移辐照效应研究
进入后摩尔时代以后,由于短沟道效应等物理限制,基于传统硅基晶体管的集成电路发展遇到重大瓶颈,人们一方面不断提出新的器件结构和提高半导体加工水平,另一方面也在不断寻找具有优异特性的新材料作为替代。二硫化钼(MoS2)作为一...
张宇
关键词:二硫化钼场效应晶体管重离子快中子
基于石墨烯/铁电材料的场效应器件研究
马小乔
极性流体门控场效应器件
本文公开了纳米级场效应晶体管(NFET),例如基于石墨烯的场效应晶体管(GFET),其不具有物理栅极。相反,它们由极性流体门控。还公开了使用这种晶体管的系统和方法。
拉杰特希·R·古迪班德萨乌拉博·拉达克里希南安东尼·加兰德米特·沃拉
垂直二维互补场效应器件及其制造方法
本发明提供了一种垂直二维互补场效应器件及其制造方法,互补场效应器件包括基底和场效应单元,所述场效应单元包括至少两个对称设置的场效应子单元,所述每个场效应子单元包括间隔设置的一个P型场效应晶体管和一个N型场效应晶体管,所述...
罗杰平延磊
40mΩ 1200V碳化硅场效应器件的设计
2023年
阐述一款40mΩ1 200V碳化硅场效应管的设计,可用于电源PFC应用,采用沟道自对准工艺,经过JFET注入、元胞、终端、面积等优化,最终碳化硅场效应管反向耐压大于1 500V,漏电流小于100μA,同时碳化硅场效应管导通电流大于66A,阈值电压>2.3V,最高工作结温高于150℃。
刘旭杨承晋兰华兵刘涛
关键词:碳化硅场效应管功率器件
垂直二维场效应器件及其制造方法
本发明提供了一种垂直二维场效应器件及其制造方法,方法包括:根据垂直二维场效应器件的图形设计,在基片表面设置相互交叉的第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜,第一成型掩膜的宽度与场效应管单元的厚度相等,第一蚀刻掩膜的间距与场效应管单元...
罗杰孙红波
垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法
本发明提供了一种垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法,器件包括垂直于基片设置且相互平行间隔布置的多个场效应晶体管,每个场效应晶体管周边填充第一绝缘材料实现与相邻场效应晶体管的隔离,相邻场效应晶体管的根部与基片之间设有连接层...
罗杰曾明孟敬恒
碳纳米管材料及其场效应器件的辐照效应研究
随着核工业和太空探索的发展,对抗辐照器件的需求日益增加。单壁碳纳米管是一种具有强C-C键、纳米截面、低原子序数等特点的新型半导体材料,基于其的碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)和集成电路已被预测和证明是最有前途的抗辐照...
王焕灵
关键词:碳纳米管材料场效应晶体管聚焦离子束集成电路

相关作者

王贵华
作品数:32被引量:12H指数:2
供职机构:哈尔滨工业大学
研究主题:化学量传感器 传感器 场效应器件 ISFET PH-ISFET
张德清
作品数:130被引量:56H指数:4
供职机构:中国科学院化学研究所
研究主题:分子材料 共轭分子 共轭 有机场效应晶体管 簇合物
张关心
作品数:86被引量:52H指数:4
供职机构:中国科学院化学研究所
研究主题:共轭 共轭分子 有机场效应晶体管 苯乙烯 碳
何进
作品数:86被引量:64H指数:5
供职机构:北京大学深圳研究生院
研究主题:场效应晶体管 纳米线 栅氧化层 击穿电压 隧穿
刘子桐
作品数:27被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院化学研究所
研究主题:碳 有机太阳能电池 有机场效应晶体管 场效应器件 分子材料