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双极运算放大器LM158电离总剂量与重离子协同辐射效应研究被引量：1: 2021年; 为研究双极运算放大器电离总剂量与单粒子瞬态的协同效应,选取双极运算放大器LM158分别在高剂量率0.1 Gy·s^(-1)(Si)和低剂量率1×10^(−4) Gy·s^(-1)(Si)条件下进行^(60)Coγ射线辐照试验,累积电离总剂量至1000 Gy(Si)后,再进行重离子类型为钽(Ta)离子的协同辐照试验。试验结果表明:电离总剂量会导致运算放大器LM158的单粒子瞬态脉冲幅值减小和脉冲展宽,同时,相比于高剂量率辐照条件,低剂量率辐照条件下双极运算放大器LM158的瞬态脉冲宽度展宽50%。研究发现,电离总剂量在双极晶体管中累积的界面陷阱电荷是产生电离总剂量与单粒子瞬态协同效应的根本原因。; 蔡娇姚帅陆妩于新王信李小龙刘默寒孙静郭旗; 关键词：双极运算放大器

电子辐射环境中NPN输入双极运算放大器的辐射效应和退火特性被引量：3: 2015年; 本文对不同偏置下的NPN输入双极运算放大器LM108分别在1.8 Me V和1 Me V两种电子能量下、不同束流电子辐照环境中的损伤特性及变化规律进行了研究,分析了不同偏置状态下其辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理,并且分析了器件在室温和高温的退火效应以讨论引起器件电参数失效的机理.结果表明,1.8 Me V和1 Me V电子对运算放大器LM108主要产生电离损伤,相同束流下1.8 Me V电子造成的损伤比1 Me V电子更大,相同能量下0.32Gy(Si)/s束流电子产生的损伤大于1.53 Gy(Si)/s束流电子.对于相同能量和束流的电子辐照,器件零偏时的损伤大于正偏时的损伤.器件辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.; 姜柯陆妩胡天乐王信郭旗何承发刘默涵李小龙; 关键词：电子辐射退火

质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性被引量：2: 2015年; 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。; 姜柯陆妩马武英郭旗何承发王信曾俊哲刘默涵

质子辐射环境下PNP输入型双极运算放大器辐射效应与退火特性: 同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3MeV、10MeV两种质子能量下的辐射效应和损伤特性进行了研究,并且将质子辐射损伤效应与50rad(Si)/s剂量率60Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和伽马射线之间的对...; 姜柯陆妩马武英郭旗何承发吴雪王信刘默涵; 关键词：运算放大器退火特性即插即用功能

双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性被引量：2: 2013年; 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。; 胡天乐陆妩何承发席善斌周东胥佳灵吴雪; 关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火

PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4: 2013年; 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.; 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信; 关键词：PNP 偏置条件退火

PNP输入双极运算放大器的辐射效应被引量：1: 2012年; 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。; 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东; 关键词：低剂量率偏置

PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法: 2011年; 选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。; 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东; 关键词：双极运算放大器低剂量率辐射损伤增强效应

双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法被引量：13: 2009年; 介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。; 陆妩任迪远郑玉展王义元郭旗余学峰; 关键词：双极运算放大器

双极运算放大器ELDRS效应的变温加速辐照方法研究: 本文介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能够较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,还可作为快速鉴别器件是否具有ELDRS效应的有...; 陆妩任迪远郑玉展郭旗余学峰; 关键词：运算放大器 ELDRS

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