搜索到62篇“ 单片集成技术“的相关文章
- 基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端
- 本发明公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔...
- 陈波吴三统
- 基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
- 2024年
- 基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小电路封装误差,采用单片集成技术将二极管和外围电路集成在25μm厚的砷化镓衬底上实现三倍频芯片。并将芯片封装入一体设计的屏蔽腔中构成了波导-悬置微带线结构来减小电路损耗。实测结果显示,在330~400 GHz范围内,当输入功率为22 dBm时,三倍频器输出功率大于5.5 dBm,并有优于7 dBm的峰值输出功率。
- 纪东峰代鲲鹏王维波余旭明
- 关键词：太赫兹单片集成技术
- 用于光纤光栅解调的AWG与PD单片集成技术研究
- 光纤布拉格光栅(fiber Bragg grating,FBG)解调系统通过检测FBG谐振中心波长的偏移,可以实时监测外部温度、应变、频率、加速度等物理量,已广泛应用于能源、化工、土木工程、健康监测、建筑、铁路运输等领域...
- 黎婷
- 关键词：光纤光栅解调阵列波导光栅绝缘体上硅单片集成
- 用于相控阵的倍频器和移相器单片集成技术研究
- 近年来,随着通信技术的快速发展,低频频谱资源变得越来越拥挤。然而,毫米波频段拥有广阔的频谱资源,具备了提高信道容量和传输速度的潜力,成为当前研究的热点领域。相比于传统的低频频段,毫米波频段的传输损耗增加,传输距离变短。为...
- 管明
- 关键词：倍频器CMOS相控阵技术
- 基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展
- 2021年
- 发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件结构及性能,这些器件结构包括:直接利用LED外延结构制作FET驱动微型LED发光像素的横向集成结构、HEMT驱动微型LED发光像素的横向叠层结构、纳米线GaN FET驱动LED发光像素的垂直叠层结构。对基于GaN FET驱动的LED微显示技术的进展进行了综述。对GaN FET驱动的LED微显示技术的应用前景和研究方向进行了展望。
- 涂睿刘宏宇孙润光厉凯艾世乐汤昊
- 关键词：单片集成发光二极管(LED)微显示
- 基于SOI的光电探测器设计与单片集成技术研究
- 2021年
- 设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽的影响因素,通过控制吸收层厚度、离子注入深度等工艺步骤,结合器件特性设计优化深N阱结构,实现了高响应度高带宽的光电探测器。在5 V反向偏置的条件下,基于SOI的光电探测器在850 nm波长下实现了0.33 A/W的响应度,-3 dB带宽为120 MHz。研究结果对高速应用场景下的光电探测器的发展具有重要意义。
- 宋鹏汉张有润甄少伟周万礼汪煜
- 关键词：绝缘体上硅光电流响应度频率响应
- 基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1
- 2019年
- 基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,输出电流ID达到8A,导通电阻RON为300mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63V和0.95V;所研制17级环形振荡器在输入6V条件下振荡频率345MHz,级延时为85ps。
- 倪金玉孔岑周建军孔月婵
- 关键词：单片集成数字电路
- 用于在相同衬底上制造光电检测器与晶体管的单片集成技术
- 在此引入的各种技术的实例包括(但不限于)在浅沟槽隔离形成期间台面高度调节方法、晶体管通孔第一方法和多个吸收层方法。如下文中进一步描述，本文引入的技术包括多个方面，所述多个方面能单独地和/或共同地解决或缓解涉及在相同衬底上...
- 郑斯璘陈书履
- PET成像前端读出电路的单片集成技术研究
- 正电子发射断层（PositronEmissionTomography，PET）成像是现代生物医学成像领域中最高层次的成像技术之一，它可以无损伤地在分子水平观察生物体内代谢物的活动及生理变化，在生物医学研究以及临床诊断等领...
- 曾蕙明
- 关键词：噪声抑制
- 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路
- 一种基于单片集成技术的太赫兹混频电路，包括射频3dB分支波导定向耦合器、本振135度相移3dB分支波导定向耦合器、同轴探针、中频耦合环、中频信号和两个太赫兹分谐波混频器，所述太赫兹分谐波混频器包括射频波导‑微带过渡、单片...
- 张波牛中乾杨益林纪东峰丰益年刘洋陶源杨柯
相关作者
- 张照云
- 作品数：83被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
- 研究主题：石英 极板 加速度计 刻蚀 结构层
- 彭勃
- 作品数：55被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
- 研究主题：加速度计 结构层 掩膜 石英 微加速度计
- 唐彬
- 作品数：109被引量：46H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
- 研究主题：加速度计 极板 微加速度计 石英 结构层
- 高扬
- 作品数：8被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
- 研究主题：硅片 单片集成技术 金属连线 金属电极 结构层
- 苏伟
- 作品数：82被引量：29H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所
- 研究主题：加速度计 石英 键合 刻蚀 结构层
