搜索到286篇“ 半绝缘GAAS“的相关文章
- VGF半绝缘GaAs单晶片的碱腐蚀特性研究
- 2024年
- 研究了半绝缘GaAs的碱性腐蚀液的温度、配比对半绝缘GaAs晶片的几何参数、粗糙度、腐蚀速率等的影响,根据碱性腐蚀原理;解释了腐蚀液温度对晶片翘曲度的改善原因,以及腐蚀速率随温度和配比的变化规律;实验结果表明在碱性腐蚀液中晶片的TTV和粗糙度比较稳定。
- 于妍吕菲李纪伟康洪亮
- 关键词：半绝缘碱性腐蚀
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF的半绝缘GaAs微沟槽中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、SiO<Sub>2</Sub>钝化层、微沟槽、正面肖特基金属电极及背面欧姆金属电极，并在微沟槽内填充<Sup>6</...
- 叶鑫邹继军朱志甫陈大洪周青
- 文献传递
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF/<Sup>10</Sup>B<Sub>4</Sub>C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器
- 一种填充<Sup>6</Sup>LiF/<Sup>10</Sup>B<Sub>4</Sub>C混合物的半绝缘GaAs圆孔阵列中子探测器，该探测器包括半绝缘GaAs衬底、Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub...
- 叶鑫邹继军朱志甫周青杨淑婷
- 6英寸半绝缘GaAs单晶VGF和VB联合生长技术
- 2020年
- 为了生长6英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶,采用水平梯度凝固(HGF)法合成GaAs多晶。将装有籽晶、GaAs多晶、氧化硼和碳粉的热解氮化硼(PBN)坩埚装入石英管内并抽真空后密封。然后将石英管装入单晶炉内,升温熔化多晶并熔接籽晶后,采用垂直梯度凝固(VGF)法生长晶体肩部,采用垂直布里奇曼(VB)法生长晶体等径部分。在对VGF和VB晶体生长法进行理论分析的基础上,采取优化支撑结构、增加VGF晶体生长降温速率、优化VB晶体生长速度等措施提高6英寸GaAs晶体生长的成晶率至48%以上。基于半绝缘GaAs补偿理论,采取过量碳粉掺杂和El2的控制等措施,提高晶体电阻率至大于4×10^7Ω·cm,降低电阻率不均匀性至小于25%。通过优化生长界面,使GaAs单晶的位错密度降低至小于104 cm^-2。
- 周春锋兰天平边义午曹志颖罗惠英
- 关键词：GAAS单晶生长
- 高电阻率均匀性4英寸半绝缘GaAs单晶生长技术被引量：1
- 2020年
- 4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘GaAs单晶材料是目前制备微波毫米波单片集成电路等的主流材料,随着5G技术应用的普及,该材料的应用前景将更加广阔。但是由于采用常规垂直梯度凝固(VGF)法晶体生长工艺所得的单晶尾部径向电阻率均匀性较差,严重影响了相关器件性能的一致性。对采用VGF和(VGF+垂直布里奇曼(VB))两种晶体生长工艺所得的半绝缘GaAs单晶头尾径向电阻率不均匀性测试进行分析,优化了(VGF+VB)晶体生长相关工艺条件,并确定了VB晶体生长部分比较合理的起始位置及生长速度。在保证晶锭头尾电阻率均达到10~8Ω·cm以上的情况下,有效地降低了晶体尾部径向电阻率不均匀性,使其由原来的大于20%降低到小于10%,提高了晶体质量。通过该工艺还可有效排杂到晶体尾部,增加高电阻率单晶有效长度。
- 兰天平周春锋边义午宋禹马麟丰
- 关键词：GAAS均匀性
- 优化半绝缘GaAs双抛片精抛工艺的可行性探究
- 2020年
- 半绝缘砷化镓(SI-GaAs)的抛光片作为微波大功率器件、低噪声器件等的重要衬底材料而被广泛应用。为提高产品的表面质量、良品率以及产量,同时释放部分生产力,降低生产成本,探究通过改良半绝缘砷化镓(SIGaAs)双抛片的精抛工艺,将现有的先后由单面抛光机、双面抛光机两步精抛法优化为只用双面抛光机一步精抛法的可行性。
- 张雁敏
- 关键词：砷化镓半绝缘砷化镓化学机械抛光TTV
- 一种半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法
- 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；...
- 齐俊杰李志超卫喆胡超胜许磊
- 文献传递
- VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究
- 2020年
- 为了获得高电阻率及迁移率的半绝缘GaAs单晶材料,采用经高压及水平合成不同工艺制得的GaAs多晶料,进行垂直梯度凝固(VGF)法半绝缘GaAs单晶生长,测试和分析相应单晶片的EL2浓度、C浓度及电阻率、迁移率等性能参数,对比和分析了GaAs化学计量比的不同对单晶EL2浓度及电学参数的影响,经多炉次实验,确定出GaAs单晶电阻率>1×10^8Ω·cm及迁移率>5×10^3 cm^2/(V·s)时C浓度及EL2浓度的合理范围,并据此结论,指导MBE外延用半绝缘GaAs单晶生长,保证了半绝缘GaAs单晶在满足高电阻率和迁移率的同时,具有较高的重复性和一致性。
- 兰天平边义午周春锋宋禹
- 关键词：砷化镓半绝缘晶体生长EL2
- 基于半绝缘GaAs电触发非线性模式新型脉冲压缩二极管特性研究
- 半绝缘GaAs非线性模式（Lock-on模式）可以由激光触发，也可以通过电子束注入触发。在GaAs光电导开关中，非线性模式能够带来极大的电流增益，大幅降低对触发激光单脉冲能量的需求，从而减小系统体积和成本，以适应应用需求...
- 鲁霄月
- 关键词：光电导开关砷化镓二极管通态电阻
- 文献传递
- 一种半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法
- 本发明提供一种用于半绝缘GaAs、SiC中痕量杂质浓度分布的SIMS优化检测方法,所述方法包括：步骤S1、在试样表面蒸镀石墨烯；步骤S2、将试样放置于二次离子深度剖析仪的进样室内，并抽真空；步骤S3、向进样室内通入氧气；...
- 齐俊杰李志超卫喆胡超胜许磊
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- 施卫
- 作品数：187被引量：460H指数：15
- 供职机构：西安理工大学
- 研究主题：光电导开关 砷化镓 太赫兹波 GAAS GAAS光电导开关
- 杨瑞霞
- 作品数：256被引量：569H指数：10
- 供职机构：河北工业大学
- 研究主题：砷化镓 GAAS 太阳电池 磷化铟 半绝缘
- 陈占国
- 作品数：60被引量：32H指数：4
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院
- 研究主题：硅材料 氮化硼薄膜 六方氮化硼 倍频效应 空间分辨率
- 刘秀环
- 作品数：49被引量：13H指数：3
- 供职机构：吉林大学
- 研究主题：硅材料 氮化硼薄膜 倍频效应 非线性光学 硅
- 王松柏
- 作品数：7被引量：5H指数：2
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院
- 研究主题：半绝缘GAAS 半绝缘砷化镓 半导体材料 禁带宽度 表面光伏
