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与半绝缘多晶硅集成的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法: 本发明涉及半绝缘多晶硅结构，具体涉及一种与半绝缘多晶硅集成的绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，用于解决绝缘栅双极型晶体管在保持击穿特性时，无法同时优化正向导通电压VF和关断损耗Eoff的不足之处。该与半绝缘多晶硅集成的绝缘...; 段宝兴唐春萍杨银堂

一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管: 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极。首先S...; 段宝兴曹震师通通袁嵩杨银堂

一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管: 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要的特征是在器件漂移区的侧壁形成SIPOS填充层，SIPOS填充层两端分别连接器件的栅漏两端。一方面，由于SIP...; 段宝兴曹震师通通吕建梅袁嵩杨银堂

基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...; 马亮周飞宇肖海波刘根

半绝缘多晶硅薄膜的制备方法: 本发明提供了一种半绝缘多晶硅薄膜的制备方法，包括如下步骤：以SiH4和N2O作为反应气体，N2作为携带气体，在LPCVD系统中进行半绝缘多晶硅薄膜沉积，所...; 周明

一种具有半绝缘多晶硅层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管: 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOS)，该器件主要的特征是在器件漂移区的侧壁形成SIPOS填充层，SIPOS填充层两端分别连接器件的栅漏两端。一方面，由于SIP...; 段宝兴曹震师通通吕建梅袁嵩杨银堂

一种具有半绝缘多晶硅层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管: 本发明提出了一种具有半绝缘多晶硅(SIPOS)层的纵向超结双扩散金属氧化物半导体场效应管(SJ‑VDMOS)，该器件主要的特征是在器件超结漂移区的侧壁形成SIPOS层，SIPOS层两端分别连接器件的栅电极和漏电极。首先S...; 段宝兴曹震师通通袁嵩杨银堂

基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构: 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝...; 马亮周飞宇肖海波刘根

具有半绝缘多晶硅完全三维超结横向功率器件被引量：1: 2015年; 为了突破传统LDMOS(lateral double-diffused MOSFET)器件击穿电压与比导通电阻的硅极限的2.5次方关系,降低LDMOS器件的功率损耗,提高功率集成电路的功率驱动能力,提出了一种具有半绝缘多晶硅SIPOS(semi-insulating poly silicon)覆盖的完全3 D-RESURF(three-dimensional reduced surface field)新型super junction-LDMOS结构(SIPOS SJ-LDMOS).这种结构利用SIPOS的电场调制作用使SJ-LDMOS的表面电场分布均匀,将器件单位长度的耐压量提高到19.4 V/μm;覆盖于漂移区表面的SIPOS使SJ-LDMOS沿三维方向均受到电场调制,实现了LDMOS的完全3 D-RESURF效应,使更高浓度的漂移区完全耗尽而达到高的击穿电压;当器件开态工作时,覆盖于薄场氧化层表面的SIPOS的电场作用使SJ-LDMOS的漂移区表面形成多数载流子积累,器件比导通电阻降低.利用器件仿真软件ISE分析获得,当SIPOS SJ-LDMOS的击穿电压为388 V时,比导通电阻为20.87 mΩ.cm^2,相同结构参数条件下,N-buffer SJ-LDMOS的击穿电压为287 V,比导通电阻为31.14 mΩ.cm^2;一般SJ-LDMOS的击穿电压仅为180 V,比导通电阻为71.82 mΩ.cm^2.; 曹震段宝兴袁小宁杨银堂; 关键词：JUNCTION 半绝缘多晶硅击穿电压比导通电阻

掺氧半绝缘多晶硅膜及其制作方法: 本发明涉及半导体器件领域技术，尤其涉及掺氧半绝缘多晶硅及其制作方法，该方法包括：按照第一流量比向放置有硅片的反应炉内持续充入一氧化氮和硅烷，在硅片上反应，持续反应达到第一反应时间长度后，生成具有第一含氧量的第一掺氧半绝缘...; 李如东谭灿建谭志辉

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