搜索到33148篇“ 半导体纳米结构“的相关文章
- 基于层状半导体纳米结构的电子自旋过滤器件
- 在半导体自旋电子学中,数字信息是利用半导体中电子的自旋来进行编码、存储、处理和传输的,其最终目标是结合半导体微电子工艺设计、开发新型自旋电子器件。一般情况下,半导体中电子的自旋是简并的,无法直接用于设计自旋电子器件,所以...
- 卢科宇
- 关键词:半导体自旋电子学自旋-轨道耦合
- 电子在自旋-轨道耦合调制下磁受限半导体纳米结构中的传输时间及其自旋极化
- 2024年
- 通过考虑构筑在半导体GaAs/Al_(x)Ga_(1–x)As异质结上的磁受限半导体纳米结构中的塞曼效应和自旋-轨道耦合,本文采用理论分析和数值计算相结合的方法研究了电子的传输时间与自旋极化.利用矩阵对角化和改进的转移矩阵方法,数值求解电子的薛定谔方程;采用H.G.Winful理论求电子的居留时间,并计算自旋极化率.由于塞曼效应与自旋-轨道耦合,电子的居留时间明显地与其自旋有关,因此可在时间维度上分离自旋、实现半导体中电子的自旋极化.因为半导体GaAs的有效g-因子很小,电子自旋极化主要源于自旋-轨道耦合,大约为塞曼效应引起的自旋极化的4倍.由于电子的有效势与自旋-轨道耦合的强度有关,电子的居留时间及其自旋极化可通过界面限制电场或应力工程进行有效调控.这些有趣的结果不仅对半导体自旋注入具有参考价值,而且还可为半导体自旋电子学器件应用提供时间电子自旋分裂器.
- 温丽卢卯旺陈嘉丽陈赛艳曹雪丽张安琪
- 关键词:半导体自旋电子学自旋-轨道耦合
- 层状半导体纳米结构中电子自旋过滤效应及器件
- 贺亚萍
- 磁调制半导体纳米结构中电子的居留时间与自旋极化及其调控
- 谢诗诗
- 一种中孔半导体纳米结构的制作方法
- 本发明公开了一种能够高可靠地制备半导体中孔纳米结构的方法,首先在限制性引导结构上进行自对准侧墙薄膜生长,进而在其上沉积嵌段共聚物材料经退火形成周期性排列的定向自组装图形,随后选择性去除某一或某些区域并保留其他区域以形成预...
- 孟令款李可为
- 一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用
- 本发明公开了一种铜锌锡硫一维半导体纳米结构阵列、制备方法及其应用,其中一维半导体纳米结构阵列是由规则排列的纳米线构成。本发明采用化学气相沉积和水热法相结合的方法合成一维半导体纳米结构阵列,制备过程中不需要使用催化剂和模板...
- 李立强林可君吕志张艳贺敬岩
- 化合物半导体纳米结构室温常压可控制备及其性能研究
- 半导体纳米材料随着尺寸减小,能量逐渐由连续分布变成分散能级分布,表面原子占比急剧增大,因而具有显著的尺寸效应、表面效应和量子隧道等效应,是研发新颖高效的先进光电器件的关键基础,其核心挑战是半导体纳米材料的可控和宏量制备。...
- 张冬冬
- 关键词:声化学常温常压半导体纳米结构晶体生长性能研究
- Rashba自旋-轨道耦合调制的单层半导体纳米结构中电子的自旋极化效应
- 2023年
- 利用现代材料生长技术纳米厚的半导体可以沿着良好的方向有序生长,形成层状半导体纳米结构.在这种半导体纳米结构中由于结构反演对称性破缺出现较强的自旋-轨道耦合,能有效消除半导体中电子的自旋简并,导致电子自旋极化效应,在自旋电子学领域中具有重要的应用.本文从理论上研究了单层半导体纳米结构中由Rashba型自旋-轨道耦合引起的电子自旋极化效应.由于Rashba型自旋-轨道耦合,相当强的电子自旋极化效应出现在该单层半导体纳米结构中.自旋极化率与电子的能量和平面内波矢有关,尤其是其可通过外加电场或半导体层厚度进行调控.因此,该单层半导体纳米结构可作为半导体自旋电子器件应用中的可控电子自旋过滤器.
- 贺亚萍陈明霞潘杰锋李冬林港钧黄新红
- 关键词:自旋-轨道耦合自旋极化效应
- 金属/绝缘层/半导体纳米结构内电子传输的光电子模型的构建
- 2023年
- 基于金属/半导体纳米器件内的电子悖向运动且迁移路径复杂的问题,绝缘层被引入成为“单向壁垒”促使热电子单向隧穿且阻隔光生电子的传递。为有效表征局域表面等离激元共振效应的产生和激发出的热电子的单向隧穿,该文基于传统的漂移-扩散方程,解析半导体-光电子物理场的耦合过程,结合Wentzel-Kramers-Brillouin隧穿条件,建立电子隧穿的载流子浓度方程组,为界面电荷传输的新型可视化表征方法的提出奠定了理论基础。
- 于泽鑫王加勇
- 关键词:电子传输
- 磁调制半导体纳米结构中电子波矢过滤效应及其调控
- 利用先进材料制备技术,纳米尺度磁性材料可被制作在半导体异质结表面上,产生不均匀的磁场,限制异质结内高迁移率二维电子气,制备磁调制半导体纳米结构(magnetically modulated semiconductor n...
- 覃英杰
- 关键词:偏置电压
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