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- 徐爱民顾标琴刘峻峰
- 半导体断路开关输出预脉冲的产生机理及其参数影响规律
- 2018年
- 半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究。利用Silvaco Atlas仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察,发现预脉冲的产生是由双边截断过程中N-N^+结截断所引起的脉冲前沿变缓现象,其长短主要取决于P型轻掺杂区内的少子电子的迁移率,而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程。同时,对具有不同基区长度的器件,对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比,发现器件基区越窄,脉冲前沿越陡,而预脉冲基本相等;低电流密度条件下只发生N-N^+结单边截断,大电流密度条件下则发生双边截断,而双边截断的延迟更长,但脉冲前沿拐点更陡,截断更快。
- 郝勇李永东丁臻捷王洪广方旭
- 关键词：半导体断路开关预脉冲脉冲前沿迁移率
- 一种基于碳化硅的半导体断路开关及其制备方法
- 本发明公开了一种基于碳化硅的半导体断路开关的制备方法，包括以下步骤：以碳化硅作为N<Sup>+</Sup>衬底，在其上依次外延生长掺磷的N基区、掺铝的P基区以及掺硼的重掺杂P<Sup>+</Sup>区；在所形成的器件两端...
- 梁琳舒玉雄
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- 本发明提出的一种高功率的半导体断路开关，主开关选用反向触发双极晶闸管（reverse？switching？dynistor,RSD），反向触发双极晶闸管是一种新型高功率半导体闭合开关，与普通晶闸管相比，RSD的通流能力强...
- 王海洋谢霖燊何小平张国伟陈维青陈志强郭帆贾伟李俊娜汤俊萍孙凤荣
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- 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律被引量：2
- 2014年
- 采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。
- 王古森王洪广戚玉佳李永东
- 关键词：半导体断路开关数值模拟脉冲宽度
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- 半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型被引量：4
- 2013年
- 在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用。在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形。模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍。通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在n-n+区。
- 林舒李永东王洪广刘纯亮
- 关键词：半导体断路开关缩比模型
- 半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律
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- 王古森王洪广戚玉佳李永东
- 关键词：半导体断路开关数值模拟脉冲宽度
- 半导体断路开关电路-流体耦合数值模拟被引量：4
- 2010年
- 为了研究掺杂结构为p+-p-n-n+的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运动满足的电流-电压关系表达式,提出了一种外电路方程和载流子流体力学方程联立求解的1维耦合数值模型。采用该模型对半导体断路开关的ns脉冲截断过程进行了数值模拟,模拟结果表明:在截断过程中,n-n+结处的载流子数密度首先开始明显降低,并出现高电场,随后p+-p结处也出现类似现象,随着载流子的抽取,高电场区域向p-n结处快速移动,最终在p-n结处完成截断,而基区载流子数密度在截断前后无明显变化。
- 李中杰李永东王洪广林舒刘纯亮
- 关键词：半导体断路开关数值模拟
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