搜索到90524篇“ 半导体器件“的相关文章
全部数字资源类型
相关度排序
半导体器件
一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电...
朴修益
功率半导体器件
本公开提供了一种功率半导体器件，功率半导体器件中的多个第二沟槽沿第一方向和第二方向排列且相互连通，每个第一沟槽位于由第二沟槽围绕的区域中，以使得第一沟槽的俯视形状为矩形片状，可以减小屏蔽栅带来的寄生电阻，从而降低了寄生电...
陈勇张邵华杨青森陈琛刘块
功率半导体器件
本新型涉及一种功率半导体器件，功率半导体器件包括门极接触环以及至少一个门极换流晶闸管；门极换流晶闸管包括独立设置在第一基区中的阴极区和门极区，阴极区和门极区通过第一基区和门极接触环电连接；至少一个门极换流晶闸管和门极接触...
高明超王耀华魏晓光李立石浩李玲刘瑞吴沛飞焦倩倩
功率半导体器件
本申请涉及一种功率半导体器件。该功率半导体器件，包括：元胞区与非元胞区，非元胞区与元胞区相邻；元胞区包括结型场效应晶体管区；功率半导体器件还包括栅极层，栅极层包括第一矩形区，第一矩形区位于结型场效应晶体管区的上方或位于非...
余开庆曾祥彭天智杨文敏张正李恬恬
功率半导体器件
本申请提供一种功率半导体器件，包括晶圆，以及设置于所述晶圆表面的多个第一阴极梳条和门极；其中，所述晶圆表面划分为具有相同圆心的多个同心圆环区和多个同心扇形区，所述多个同心圆环区和所述多个同心扇形区交叠以限定出多个图形区，...
陈勇民徐焕新陈芳林操国宏蒋谊潘学军孙永伟邹平
功率半导体器件
提供了一种功率半导体器件、包括该功率半导体器件的功率半导体模块、功率转换器以及制造方法。该功率半导体器件可以包括基板、设置在基板上的第一导电型外延层、以及阶梯状阱结构，其中，该阶梯状阱结构的下部区域的宽度比上部区域窄，但...
朴镇玉姜男主宋承昱李枓炯李在德
功率半导体器件
本实用新型公开一种功率半导体器件。所述功率半导体器件，包括：高电压单元，以输出高电压的方式构成；低电压单元，以输出低电压的方式构成；电容器，与所述高电压单元电性连接，在输出所述高电压的期间内为所述高电压单元提供电力；开关...
申洪植
一种功率半导体器件
本发明提供一种功率半导体器件，包括元胞区、过渡区和终端区，所述过渡区处于器件元胞区和终端区之间，所述器件元胞区、过渡区和终端区底部共同设有第一导电类型衬底、位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型外延层及位于第一导电类型外...
乔明史则升申道明黎奕辰王嘉璐张波
一种功率半导体器件
本申请公开了一种功率半导体器件，包括半导体衬底；多个沟槽，位于半导体衬底中，多个沟槽包括位于半导体衬底的第一区域的第一沟槽、第二区域的第二沟槽和第三区域的第三沟槽，第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度且第三沟槽的宽度大于...
杨彦涛吴晶陈琛郭广兴
一种功率半导体器件
本申请公开了一种功率半导体器件，包括：半导体衬底；多个沟槽，位于半导体衬底中，多个沟槽包括第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽；第一屏蔽导体，位于第一沟槽的下部；栅极导体，位于第一沟槽的上部；第二屏蔽导体，位于第二沟槽的下部；栅...
杨彦涛吴晶陈琛郭广兴
加载更多 ∨

相关作者

朱慧珑
作品数：1,194被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
张波
作品数：4,983被引量：7,060H指数：42
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 电能传输系统 无线 导电类型
殷华湘
作品数：759被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
尹海洲
作品数：522被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
赵超
作品数：568被引量：38H指数：4
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物