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钨化学气相淀积方法
本发明公开了一种钨化学气相淀积方法，包括：步骤一、提供表面形成有第一粘附层和第二阻挡层的底层结构。步骤二、进行钨化学气相淀积在第二阻挡层的表面形成钨层。钨层由钨籽晶层和钨主体层叠加而成。钨籽晶层的淀积过程中，工艺气体采用...
王蕊戴有江程望阳李灵均刘君韬
MEMS器件及其制造方法、化学气相淀积装置
一种MEMS器件及其制造方法、化学气相淀积装置，该制造方法包括：提供半导体衬底，并将所述半导体衬底放置于反应室；执行预淀积步骤，向所述反应室通入第一反应气体，以在所述半导体衬底表面淀积能够促进Ge<SUB>x</SUB>...
秦永星王明军李乾伟陈强
一种化学气相淀积薄膜制备装置
本发明公开了一种化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管、进气组件和抽气组件；所述石英管穿设在所述第一通孔内；所述进气组件和抽气组件分别和所述石英管的两端相连接。本发明所公开的化...
蒋明川李源林
一种化学气相淀积薄膜制备装置
本发明公开了一种化学气相淀积薄膜制备装置，其特征在于，包括设有第一通孔的加热组件、两端开口的石英管、进气组件和抽气组件；所述石英管穿设在所述第一通孔内；所述进气组件和抽气组件分别和所述石英管的两端相连接。本发明所公开的化...
蒋明川李源林
一种化学气相淀积装置及其调节方法
本发明提供一种化学气相淀积装置及其调节方法，涉及化学气相淀积领域。该基于化学气相淀积装置，包括底座和工作台，所述底座的上方固定连接有工作台，所述工作台的上方中部固定连接有淀积室，所述工作台的上方一端固定连接有第一原料室，...
任斌王乃雷刘军贤
低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法
一种低压化学气相淀积工艺沉积薄膜的方法，包括：通过若干次循环处理，直至在各晶圆表面形成具有第一厚度的本征材料膜，各次循环处理包括：本征成膜工艺和本征成膜工艺之后的清洁工艺，本征成膜工艺包括向反应腔内通入第一本征反应气体，...
王瑞瀚吴家辉张宾施磊郑刚胡浩蔡毅
化学气相淀积机台的排气装置和化学气相淀积机台
本公开提供了一种化学气相淀积机台的排气装置和化学气相淀积机台，排气装置包括：支管，支管包括第一部和第二部，第一部的进气端与化学气相淀积机台的反应腔的排气口连接，支管包括两个；第一波纹管，第一部的出气端与第二部的进气端通过...
袁廷云贾钊朱帅胡恒广
HDPCVD化学气相淀积设备Bell Jar冷却、射频集成组件模具及加工方法
本发明提供了一种涉及泛半导体行业HDPCVD设备的HDPCVD化学气相淀积设备Bell Jar冷却、射频集成组件模具及加工方法，包括高精密模具和定位治具，定位治具连接于高精密模具上，高精密模具上设有凹槽，定位治具上设有卡...
陈刚陶岳雨江小才丁志德张裕龙王亚东陶近翁
一种晶圆承载盘及化学气相淀积设备
一种晶圆承载盘(1)及化学气相淀积设备，解决了晶圆(3)的制作过程中，由于受热不均匀导致沉积的外延材料的波长不均匀，从而导致良品率降低的问题。包括：晶圆承载槽(2)；以及两个凸起结构(22)，分别设置在所述晶圆承载槽(2...
刘凯程凯
等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置
本发明涉及一种等离子体增强型化学气相淀积设备薄膜均匀性改善装置。根据量测仪器获得的圆片介质厚度分布图，结合八寸设备生长六寸、八寸圆片的实际情况，通过在八寸分气盘内侧凹槽内增加挡气圆环，腔体上盖出气口零件中心开孔的方式，尽...
白杨施国政郁元卫沈雁飞徐乾坤朱健
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韩平
作品数：344被引量：236H指数：8
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 化学气相淀积 氢化物气相外延 生长温度 衬底
张荣
作品数：851被引量：596H指数：10
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延
郑有炓
作品数：712被引量：549H指数：10
供职机构：南京大学电子科学与工程学院
研究主题：GAN 氮化镓 衬底 蓝宝石 MOCVD
谢自力
作品数：415被引量：217H指数：6
供职机构：南京大学
研究主题：GAN 氮化镓 蓝宝石 MOCVD 氢化物气相外延
王荣华
作品数：51被引量：15H指数：2
供职机构：南京大学
研究主题：化学气相淀积 CVD X 合金薄膜 SI