搜索到29篇“ 势垒电容“的相关文章
- Zr-掺杂NiO陶瓷中的势垒电容器效应
- 本文研究了Zr掺杂NiO陶瓷ZrxNi1-2xO(x=0.1～0.2)的微结构和介电性能。用传统的固相反应法制备的陶瓷样品，随着Zr掺杂量的提高，晶粒尺寸变小，室温的相对介电值降低。Zr0.1Ni0.8O陶瓷的相对介电值...
- 陈恺王晓雄王茂香郑改革李相银朱劲松
- 关键词：金属陶瓷陶瓷结构介电系数
- 文献传递
- SiGe HBT势垒电容模型被引量：9
- 2004年
- 在考虑SiGeHBT的势垒电容时 ,通常的耗尽层近似不再适用 ,应考虑可动载流子的影响 .在分析研究SiGeHBT载流子输运的基础上 ,建立了考虑发射结势垒区内载流子分布的发射结势垒电容模型和不同电流密度下包括基区扩展效应的集电结势垒电容模型 .将以上势垒电容模型应用于SiGeHBT频率特性模拟 。
- 吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
- 关键词：SIGEHBT势垒电容载流子分布异质结双极晶体管
- 基于可动电荷的SiGe HBT势垒电容被引量：1
- 2004年
- 当SiGeHBT处于交流放大状态时,发射结空间电荷区和集电结空间电荷区存在可动电荷,因此,在考虑它们的势垒电容时,应采用微分电容.另外,集电结势垒区宽度与电流密度密切相关,依据电流密度该电容有3种情况.在SiGeHBT载流子输运基础上,建立了考虑发射势垒区载流子分布的势垒电容模型和不同电流密度下的集电结势垒电容模型.
- 吕懿张鹤鸣戴显英胡辉勇舒斌
- 关键词：SIGEHBT势垒电容
- 晶体管发射极势垒电容C_(Te)的测试及数据处理
- 1998年
- 本文阐述了用ｆＴ测试仪，测试ＣＴｅ的原理，测试了３ＤＧ６０，３ＣＫ３和３ＣＧ２１ｃ的ＣＴｅ，并对大量测试结果用微机进行了处理，测试计算结果与经验公式给出的值吻合；
- 丛众王荣刘怡都春燕
- 关键词：势垒电容外推法晶体管发射极
- 正向势垒电容的异常变化及其在参放变容管中的应用被引量：1
- 1981年
- 在对P^+-N结正向电容进行全面分析的基础上,本文提出了一种使P^+-N结正向势垒电容异常变化的掺杂分布模型,它的特点是:结电容在正向偏压下有比普通突变结快得多的变化速度和较大的变化幅度.把该模型应用于结电容为 0.08—0.25 pF的 GaAs参放变容管,结果表明,它提高了变容管的电容变化系数,并具有较高的零偏压截止频率,而且还降低了参放所需的泵功率.得到的样管参数为:零偏压截止频率400—700千兆赫、电容变化系数0.17-0.225,参放工作所需的泵功率仅10-20毫瓦.
- 江关辉
- 关键词：势垒电容变容管变容二极管
- Al/H<,2>Pc肖特基势垒电容特性及其界面形成的XPS研究
- 胡正飞
- N型硅外延片表面状态对肖特基接触的影响被引量：1
- 2017年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们研究了自然氧化、H2O2水浴、紫外照射三种氧化方法,处理硅外延片表面,形成10~15A的氧化层,并对比分析了三种氧化方法所形成的硅外延片表面状态,以及对电阻率测试结果的影响。通过实验对比,H2O2水浴方法,获得的硅外延片表面最为稳定,重复测试标准差<±1%。
- 薛兵陈涛
- 关键词：硅外延片电阻率势垒电容
- CV法测试电阻率的稳定性研究被引量：1
- 2017年
- 本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15?的氧化层,并对比分析了氧化温度、氧化反应时间、H2O2浓度对电阻率测试结果的影响。
- 居斌陈涛
- 关键词：硅外延片势垒电容
- 小巧长寿的变容二极管
- 2012年
- 变容二极管又称“可变电抗二极管”．它利用半导体PN结电容或金属一半导体接触势垒电容随外加反向偏压变化而变化的原理制成，是一种专门作为“压控可变电容器”的特殊晶体二极管。变容二极管通常可替代可变电容器，在现代通信设备及家用电器中做高频调谐、频率自动微调、扫描振荡及相位控制等使用。
- 张晓东
- 关键词：变容二极管可变电容器晶体二极管势垒电容家用电器
- 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
- 2011年
- 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
- 王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕
- 关键词：NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照势垒电容
相关作者
- 戴显英
- 作品数：250被引量：186H指数：8
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：晶圆 应变SI 绝缘层 SIGE BICMOS
- 胡辉勇
- 作品数：473被引量：197H指数：7
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 张鹤鸣
- 作品数：478被引量：273H指数：9
- 供职机构：西安电子科技大学
- 研究主题：应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
- 陈涛
- 作品数：14被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题：硅外延片 均匀性 电阻率 过渡区 势垒电容
- 周正刚
- 作品数：4被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系
- 研究主题：发射结 晶体管 结型晶体管 渡越时间 电容
