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一种薄势垒层GaN基HEMT器件
本实用新型公开了一种薄势垒层GaN基HEMT器件，器件包括：薄势垒层GaN基HEMT，所述薄势垒层GaN基HEMT包括蓝宝石衬底、3μm GaN缓冲层、35nm GaN沟道层、AlGaN势垒层、40nm Si<Sub>3...
肖文波孙雪琴黄乐李京波吴华明
一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件
本实用新型公开了一种凹栅MIS双势垒层HEMT器件，器件包括：凹栅MIS双势垒层HEMT，所述凹栅MIS双势垒层HEMT包括蓝宝石衬底、3μm GaN缓冲层、400nm GaN沟道层、5nm Al<Sub>0.18</S...
肖文波孙雪琴黄乐李京波吴华明
具有渐变的量子势垒层的发光二极管
一种发光二极管包括：形成在衬底上的n型氮化铝层，形成在该n型氮化铝层上的多量子阱，以及与该多量子阱相邻地形成的p型氮化铝空穴注入层。该多量子阱包括：第一氮化铝量子阱层，其具有固定组分并且由第一氮化铝量子势垒层和第二氮化铝...
李晓航
一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法
本发明涉及半导体器件领域，具体涉及一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法，该组份渐变复合势垒层HEMT器件，包括SiC衬底/Si衬底、AlN成核层、中部厚度大于两侧厚度的GaN沟道层、AlN插入层、渐变Al组份A...
段小玲马浩张涛张进成王树龙宁静周弘郝跃
以ScAlN为势垒层的多沟道MOSHEMT器件及制备方法
本发明公开了一种以ScAlN为势垒层的多沟道MOSHEMT器件及制备方法，包括：层叠设置的衬底、成核层和缓冲层；多沟道势垒层，位于缓冲层上方，多沟道势垒层包括层叠设置的第一单元和多个第二单元；第一单元包括层叠设置的第一G...
杨眉李毅凡马晓华张鹏鲁炯岐
一种带有阶梯势垒层的硅基GaN外延结构及其制备方法
本发明公开了一种带有阶梯势垒层的硅基GaN外延结构及其制备方法。所述外延结构从下至上包括依次层叠的硅衬底、AlN成核层、阶梯AlGaN应力释放层、GaN高阻耐压层、GaN沟道层、AlN插入层、阶梯AlGaN势垒层及GaN...
王洪刘鸿鑫王楷
一种实现近红外成像非均匀势垒层Si肖特基光电探测器
本发明提供一种实现近红外成像非均匀势垒层S i肖特基光电探测器，涉及常温下实现长波近红外波段光学成像的全S i光电探测器领域。该实现近红外成像非均匀势垒层S i肖特基光电探测器，其采用透明导电电极I TO与n‑S i接触...
黄志伟葛勇康徐晓佳柯少颖刘冠洲
基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底上进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底上形成键合中间层，并将β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>转印到键合中...
李鑫
一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法
本发明涉及一种低折射率势垒层的窄波导650nm半导体激光器件及其制备方法，本申请设计的半导体激光器结构通过在Ga<Sub>1‑x5</Sub>In<Sub>x5</Sub>P第二量子阱与(Al<Sub>x7</Sub>G...
刘飞王朝旺李强
隧道势垒层及其制造方法、磁阻效应元件和绝缘层
本发明提供一种隧道势垒层，其包含非磁性氧化物，晶体结构既包括规则尖晶石结构也包括不规则尖晶石结构。
市川心人中田胜之
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郝跃
作品数：2,494被引量：1,198H指数：13
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研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
马晓华
作品数：800被引量：132H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓
张进成
作品数：973被引量：103H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 电极
毛维
作品数：193被引量：15H指数：3
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：场板 势垒层 电力电子系统 功率器件 淀积
马佩军
作品数：286被引量：92H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 成核 电路 SUB 电力电子系统