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2025年6月23日星期一

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搜索到844篇“ 动态存储器“的相关文章

一种动态存储器操作方法: 本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中...; 童浩汪宾浩缪向水

一种动态存储器结构及其操作方法: 本发明公开了一种动态存储器结构及其操作方法，涉及存储器领域，该动态存储器结构包括：写选通器件、读选通器件和电容；写选通器件的第一端、读选通器件的第一端和电容的第一端连接在一起；写选通器件的第二端为数据写入端；读选通器件的...; 童浩汪宾浩缪向水

一种三维动态存储器及其制备方法: 本申请公开了一种三维动态存储器及其制备方法，涉及动态存储器技术领域，该存储器结构包括：衬底层、生长在所述衬底层上的外围电极层和存储阵列；在外围电极层上开设有垂直的若干个环形凹槽，且在每个环形凹槽的区域内开设有两个垂直的孔...; 童浩汪宾浩缪向水

一种三维动态存储器及其制备方法: 本申请公开了一种三维动态存储器及其制备方法，涉及存储器领域，该存储器包括衬底、第一金属电极层至第三金属电极层、电介质层、功能层和电容介质层；其中，第一金属电极层和电介质层交错层叠设置；第三金属电极层为T型结构；第三金属电...; 童浩汪宾浩缪向水

嵌入式动态存储器、实现方法及集成电路: 本发明公开了一种嵌入式动态存储器及其实现方法、以及集成电路。所述存储器包括至少一个存储区；每个存储区包括至少一个子存储区；每个子存储区包括存储单元阵列和一组感测放大器；所述感测放大器包括独立的读出控制单元和独立的写入控制...; 赵子轩许迪

一种无电容非易失性动态存储器及其制备方法: 本发明提供了一种无电容非易失性动态存储器，包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管采用垂直沟道晶体管；第二晶体管为铁电晶体管；所述第二晶体管位于第一晶体管上方。本发明提供的2T0C非易失性动态存储器，其中一个晶体管采...; 刘金彪毛淑娟孙祥烈高建峰罗军

一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器: 本申请公开了一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器，涉及存储器技术领域，方法包括：测试阈值选通功能层的保持电压、低阻态电阻和阈值电压；根据阈值电压确定阈值选通器件的目标保持电压；根据阈值选通功能层的保持电压、...; 童浩汪宾浩缪向水

访问动态存储器模块: 一种用于访问动态存储器模块的方法，该方法可以包括(i)由存储器控制器接收用于访问动态存储器模块的访问请求集；(ii)将访问请求转换成命令集，其中所述命令集包括(a)与第一存储器存储体组相关的第一命令子集，和(b)与第二存...; B·舒尔曼Y·克雷宁L·斯莫尔延斯基

动态存储器及SOC芯片: 本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和设置在衬底上的多个存储单元，存储单元下层MOS管组件和上层MOS管组件，通过在下层MOS管组件中设置第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极...; 戴瑾

动态存储器以及SOC芯片: 本申请提供一种动态存储器以及SOC芯片，动态存储器包括衬底和多个存储单元，存储单元包括设置在衬底上的第一MOS管、第二MOS管，以及读字线和读位线，写字线和写位线，第一MOS管的第一栅极和第二MOS管的第二源漏极电连接，...; 戴瑾

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刘开华: 作品数：255被引量：489H指数：11; 供职机构：天津大学; 研究主题：数据网被动式存储池动态索引高速存储器

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