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电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法
本发明公开电感耦合等离子刻蚀技术制作卤化物钙钛矿阵列图形的方法,包括以下步骤:1)制备卤化物钙钛矿薄膜;2)离子刻蚀阵列图形:在卤化物钙钛矿薄膜上覆盖掩膜板,掩膜板所形成的图案与卤化物钙钛矿阵列图形相对应,利用电感耦合等...
赵振璇张建刚孙伟杰陈墨冯雅晴
一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法
本发明公开了一种利用反应离子刻蚀技术干法刻蚀实现钙钛矿薄膜图形化的方法,包括以下步骤:1)衬底/基底清洗;2)沉积钙钛矿薄膜;3)钙钛矿薄膜的反应离子束刻蚀。本发明首次提出利用反应离子束工艺刻蚀钙钛矿,为钙钛矿阵列图案化...
赵振璇高志廷张建刚张丽萍王爽
利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法及利用掩膜板制备卤化物钙钛矿阵列图形的方法
本发明公开利用深硅刻蚀技术制作掩膜板的方法,包括以下步骤:a、硅基板预处理;b、在步骤a预处理后的硅基板上涂覆光刻胶,软烘、静置后,曝光、显影、定影,后烘,在硅基板上形成所需图案;c、对步骤b的硅基板进行刻蚀、清洗,得掩...
赵振璇高志廷张建刚陈墨孙伟杰冯雅晴
金刚石等离子体刻蚀技术研究进展
2025年
金刚石因其优越的电学、物理及化学性质,如超宽的禁带宽度、高硬度、高热导率和高稳定性,被广泛应用于电子器件、光学元件及微机电系统(MEMS)等领域。然而,由于其高度稳定的物理和化学性质,使得金刚石的加工具有极大的挑战性。在众多金刚石刻蚀方法中,等离子体刻蚀技术因其高精度和低损伤的优势,成为金刚石微加工的重要手段。综述了不同类型等离子体刻蚀金刚石的研究进展,分别介绍了氧等离子体、氢等离子体以及其他混合气体的刻蚀特点,详细阐明了各种等离子体刻蚀金刚石的刻蚀机理。此外,还分析了影响刻蚀的主要因素,包括气压、功率、温度和金刚石类型等,这些参数共同决定了刻蚀的速率、粗糙度和选择比。最后,探讨了等离子体刻蚀拓展工艺的研究进展,说明了激光诱导等离子体刻蚀的工作原理和其在金刚石加工领域的应用前景,以及金属催化等离子体刻蚀刻蚀机理及此方法在金刚石薄膜图案化上的应用前景。通过总结不同刻蚀气体及工艺参数对刻蚀效果的影响,本文旨在为实现对金刚石的精确刻蚀提供理论依据,并为不同用途的金刚石器件的制备提供参考。最后,展望了等离子体刻蚀技术在金刚石微纳加工领域的未来发展方向,包括新型刻蚀气体的探索、与其他加工技术的结合以及工艺参数的进一步优化。
焦硕沛张旭芳李明坤张雪恰张静
关键词:金刚石等离子体刻蚀微纳加工图案化激光诱导
一种用原子层刻蚀技术提高薄膜台阶覆盖率的方法
本发明涉及一种半导体制造工艺中提高薄膜材料的台阶覆盖率的方法,其包括:在具有一定深宽比的(非平面)结构上沉积薄膜材料;获取所述薄膜材料的台阶覆盖率数据;针对所述薄膜材料选择原子层刻蚀(ALE)化学反应;调节所述ALE工艺...
刘辛冶
纳秒激光复合离子束刻蚀技术的CVD金刚石抛光研究
2025年
高表面平整度的CVD金刚石在微刀具、光学窗口、半导体等领域具有非常广阔的应用前景。然而,由于CVD金刚石具有的高硬度、高耐磨性和化学惰性等特性,使得CVD金刚石的高精度抛光成为一个巨大的挑战。针对金刚石抛光难度问题,使用纳秒激光复合离子束刻蚀技术抛光CVD金刚石,开展了多晶CVD金刚石激光抛光实验研究,针对激光功率和扫描速度两种激光参数研究其对CVD金刚石烧蚀深度和表面粗糙度的影响,在此基础上对激光抛光后的CVD金刚石进行离子束蚀刻抛光,研究了离子束抛光下的金刚石表面粗糙度变化,并对离子束抛光后的金刚石表面成分进行分析。通过所述方法实现了CVD金刚石样品表面粗糙度从6.687μm降到0.804μm的优异的抛光效果。此研究提供了一种旨在红外窗口、微型铣床和航天航空等领域具有应用价值的金刚石抛光方法。
冯昱森赵智炎于颜豪徐颖徐地华李爱武
关键词:激光光学CVD金刚石粗糙度
离子束刻蚀技术在SAW滤波器频率修整上的应用
2024年
随着声表面波(SAW)滤波器的应用向高频、窄带方向延伸,在制造过程中准确地控制其中心频率及一致性变得越来越困难,需要对SAW滤波器的频率进行微调。重点介绍了一种在SAW滤波器上可实现目标频率修整的离子束刻蚀修频工艺,通过实验发现刻蚀厚度不同对滤波器表面的影响程度不同,一次离子束刻蚀厚度为50 nm时,铝膜表面出现微结构变化。分析了对晶圆、器件进行离子刻蚀工艺引起热损伤的机理,表征了不同刻蚀厚度对SAW滤波器粘接芯片的剪切力和硅铝丝键合力的影响。根据实验现象及结果提出了分梯度多次刻蚀的优化方案,给出了不同刻蚀厚度的刻蚀精度,对实验结果进行拟合,得到中心频率与刻蚀厚度的关系方程,从频率、插入损耗和通带方面分析了离子束刻蚀工艺对SAW滤波器电学性能的影响。经离子束刻蚀修频后,滤波器中心频率提高2 MHz,中心频率标准差由0.4 MHz减少为0.15 MHz,中心频率的均一性由0.29%改善至0.11%,频率一致性变好。
时鹏程吴兵袁燕于海洋林树超孟腾飞周培根
关键词:离子束刻蚀刻蚀速率微观结构
半导体干法刻蚀技术
本书不仅介绍了半导体器件中所涉及材料的刻蚀工艺,而且对每种材料的关键刻蚀参数、对应的等离子体源和刻蚀气体化学物质进行了详细解释。本书讨论了具体器件制造流程中涉及的干法刻蚀技术,介绍了半导体厂商实际使用的刻蚀设备的类型和等...
(日)野尻一男
一种基于飞秒激光刻蚀技术提升OSR性能的方法及装置
本申请涉及一种基于飞秒激光刻蚀技术提升0SR性能的方法及装置。其中,所述方法包括:采用飞秒激光刻蚀技术在光学太阳反射镜包括的掺铈玻璃基底上刻蚀出微孔结构;在所述掺铈玻璃基底两侧镀上所述光学太阳反射镜包括的金属反射层、保护...
李坤何延春王瑞王虎王兰喜熊玉卿王洁冰赵印中 贺颖 张尚炜
6英寸SiC基GaN HEMT背孔刻蚀技术研究
2024年
6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC基GaN晶圆减薄后翘曲和总厚度变化(TTV)较大,给背孔刻蚀工艺带来了极大的挑战。以SF6和O2为刻蚀气体,通过研究气体流量及流量配比、腔体压力、感应耦合等离子体(ICP)功率、偏置功率等参数对SiC刻蚀速率和SiC对GaN选择比的影响,提出了针对SiC的两段式刻蚀方法。其中,主刻蚀阶段以超过0.8μm/min的刻蚀速率完成大部分SiC刻蚀,软着陆阶段提供超过60∶1的SiC对GaN刻蚀选择比,确保SiC刻蚀有效停止在GaN界面。此外,以Cl2和N2为刻蚀气体开发了GaN/AlGaN刻蚀工艺,刻蚀速率约为0.25μm/min。采用上述背孔刻蚀技术制作的0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在3.5 GHz下输出功率密度达到约8.4 W/mm,功率附加效率超过57%。聚焦离子束扫描电子显微镜(FIB-SEM)结果表明背孔制作工艺良好。将孔链图形在200℃下烘烤48 h后再进行1000次-55~125℃温度循环,孔链电阻值变化幅度低于8%,证明背孔可靠性良好。该方法为6英寸SiC基GaN HEMT生产提供了可行的背孔刻蚀解决方案。
孔欣
关键词:氮化镓刻蚀速率选择比

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王永进
作品数:209被引量:36H指数:4
供职机构:南京邮电大学
研究主题:硅衬底 氮化物 可见光 可见光通信 刻蚀技术
高绪敏
作品数:63被引量:20H指数:3
供职机构:南京邮电大学
研究主题:硅衬底 氮化物 刻蚀技术 硅刻蚀 光栅
赵晓鹏
作品数:513被引量:1,237H指数:22
供职机构:西北工业大学
研究主题:电流变液 电流变效应 左手材料 谐振环 超材料
施政
作品数:68被引量:28H指数:3
供职机构:南京邮电大学
研究主题:硅衬底 氮化物 硅刻蚀 刻蚀技术 光栅
李欣
作品数:62被引量:9H指数:2
供职机构:南京邮电大学
研究主题:氮化物 硅衬底 硅刻蚀 氮化镓 刻蚀技术