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分布布拉格反射镜、Micro-LED全彩显示器件及其制备方法: 本发明涉及一种分布布拉格反射镜、Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法，分布布拉格反射镜包括依次叠加生长的多个重复单元层，重复单元层包括高低折射率的量子点层和介质材料层；量子点层为红光量子点层；或者量子点层为绿光量子...; 孙小卫项国洪王恺马精瑞唐浩东李德鹏梅冠鼎

具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β-氧化镓薄膜的制备方法: 本发明公开了具有分布布拉格反射镜的Eu掺杂的单晶β‑氧化镓薄膜的制备方法，采用有机金属化学气相沉积技术在衬底上生长GaN缓冲层、n‑GaN/u‑GaN周期性结构，随后在溶液中对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行刻蚀，制...; 曹得重郭正全高望欣王赫骆恬恬王菲斐第五淯暄马丽王森

分布布拉格反射器半导体激光器中光栅结构设计被引量：2: 2023年; 半导体激光器发射光谱中的边模存在恶化了其光束质量,严重限制了其在通信领域中的应用。基于分布布拉格反射器(DBR)半导体激光器中光栅的占空比、耦合系数、材料折射率三者之间的关系,研究了光栅占空比分布对边模抑制的影响,同时对矩形均匀光栅和矩形渐变占空比光栅结构的边模进行了分析与比较。优化了DBR光栅结构,分析了矩形均匀光栅与锥形渐变占空比光栅结构的旁瓣强度大小。利用时域有限差分(FDTD)法对器件结构进行仿真模拟,在不同光栅占空比分布下,分析了光栅的占空比和反射率的关系,并讨论了渐变占空比光栅反射峰值与光栅长度的关系。结果表明,渐变占空比光栅相比于矩形均匀光栅,边模得到有效抑制。当注入电流为63 mA时,在温度300 K下,矩形渐变占空比光栅结构的器件边模抑制比达到48 dB,并且渐变占空比光栅的反射峰值达到96%。通过分析矩形均匀光栅和锥形渐变占空比光栅结构在远场侧向切面上的光场分布,发现利用锥形渐变占空比光栅制作DBR有助于降低DBR半导体激光器的旁瓣强度。; 朱坤李辉郝永芹钱冉王东岳; 关键词：激光器旁瓣

具有多孔AlGaN分布布拉格反射镜的紫外LEDs的制备及发光性能研究: AlGaN基薄膜具有带隙宽、能带连续可调、击穿电场高、理化性能稳定等优点,在发光二极管（LED）、激光器（LD）、紫外探测器（UVD）等领域成为研究热点。AlGaN基LED器件的主要形态结构为薄膜器件,制备高质量的AlG...; 徐妍; 关键词：宽禁带半导体电化学刻蚀紫外发光二极管

具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片: 根据本发明的发光二极管芯片包括：发光结构体，包括活性层；以及分布布拉格反射器(DBR)。该DBR包括相互交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对。并且，DBR针对从发光结构体发出的光的峰值波长(...; 金艺瑟金京完

具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片: 根据本发明的发光二极管芯片包括：发光结构体，包括活性层；以及分布布拉格反射器(DBR)。该DBR包括相互交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对。并且，DBR针对从发光结构体发出的光的峰值波长(...; 金艺瑟金京完; 文献传递

GaN基VCSEL的分布布拉格反射镜与亚波长光栅结构研究: 氮化物材料体系的禁带宽度在0.7～6.2 eV之间连续可调,使得GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的发光范围覆盖紫外到可见光区域,与已经成熟的Ga As基VCSEL覆盖的红外波段刚好互补,因此GaN基VCSEL受到...; 臧茂荣; 关键词：分布布拉格反射镜传输矩阵法亚波长光栅严格耦合波理论

一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法: 本发明公开的是一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对InP片进行电化学刻蚀，制得多孔InP，然后提高电压，制备剥离的大面积的多孔InP薄膜；步骤2、在电解液中，对n‑Ga...; 曹得重; 文献传递

基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法: 一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Al<Sub>x</Sub>(Ga<Sub>1‑x</Sub>)...; 姬小利谭晓宇魏同波王军喜杨富华李晋闽; 文献传递

基于分布布拉格反射器的半透明太阳能电池及制备方法: 本发明公开了一种基于分布布拉格反射器的半透明太阳能电池及其制备方法，由下至上依次包括玻璃衬底、ITO电极、第一传输层、光活性层、第二传输层和背电极。所述的背电极上设有叠层复合分布布拉格反射器，所述的叠层复合分布布拉格反射...; 臧月周锦涛辛青林君; 文献传递

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