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提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法: 本发明公开了一种提高光提取效率的Micro‑LED结构及其制造方法，结构包括：驱动背板；位于驱动背板之上的介质层和电极连接PAD，位于介质层之上的若干第一高反射率阳极金属；位于电极连接PAD之上的第二高反射率阳极金属；第...; 孙真昊丁源彭劲松宋琦张伟杨建兵

提高光提取效率的Micro-LED结构及其制造方法: 本发明公开了一种提高光提取效率的Micro‑LED结构及其制造方法，结构包括：驱动背板；位于驱动背板之上的介质层和电极连接PAD，位于介质层之上的若干第一高反射率阳极金属；位于电极连接PAD之上的第二高反射率阳极金属；第...; 孙真昊丁源彭劲松宋琦张伟杨建兵

基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基DUV Micro-LED光提取效率: 2025年; 内全反射是限制AlGaN基深紫外微型发光二极管(DUV Micro-LED)光提取效率的重要因素之一,严重降低了深紫外LED的能量利用率和寿命。受到昆虫复眼结构高能量利用率的启发,提出了一种基于仿生平面复眼透镜提高AlGaN基Micro-LED光提取效率的方法。通过对中华大刀螳的复眼结构进行相位提取和重构,利用仿生平面复眼能够有效抑制介质表面的内全反射,从而实现深紫外LED光提取效率的显著提高。时域有限差分法(FDTD)仿真表明,通过在Micro-LED表面刻蚀仿生平面复眼透镜,其TE和TM模式的光提取效率分别提高了84.5%和242%。得益于仿生超构表面平面复眼透镜超薄的平面结构和工艺的兼容性,有望通过单次纳米压印提高深紫外发光二极管性能。此外,利用仿生特征的功能重构方法在大视场、结构照明和仿生结构等方面具有潜在的应用前景。; 刘欢杨涛王铠尧刘宁炀周文谭起龙; 关键词：光提取效率

一种提高AlGaN基深紫外LED光提取效率的结构及其应用: 本发明属于III族氮化物半导体技术领域，具体涉及一种能提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)的光提取效率的器件结构和相应的电极结构构型。本发明通过采取Al组分含量渐变的薄AlGaN层、薄重掺p‑GaN接触层...; 许福军沈波康香宁张立胜杨学林秦志新

一种低成本大面积提高发光二极管光提取效率的方法: 本发明公开了一种低成本大面积提高发光二极管光提取效率的方法，通过粒子辐照处理一有机薄膜，在其膜内形成粒子辐照损伤迳迹；再通过湿法蚀刻选择性蚀刻损伤迳迹，使之形成具有密集随机分布孔洞的核孔膜，其特征孔径和孔密度可通过改变蚀...; 李睿

一种提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构及其应用: 本发明属于光电子发光器件技术领域，具体涉及一种提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)光提取效率的结构及其应用。所述提高AlGaN基DUV‑LED光提取效率的结构，其p型层由p‑AlGaN层及p‑GaN层组成...; 许福军沈波张娜王嘉铭康香宁秦志新

一种提高光提取效率的LED芯片结构及制备方法: 本发明公开了一种提高光提取效率的LED芯片结构及制备方法，该结构基于GaN基半导体发光。整体结构包括P型GaN层、量子阱、N型GaN层、带有V型沟槽结构的衬底结构与底部金属反射膜。其中P型GaN层以及量子阱层经由光电激发...; 周玮琦何乃龙潘江涌沈忠文苏中方张宇宁

一种提升光提取效率的Micro-LED器件结构及制作方法: 本发明公开了一种提升光提取效率的Micro‑LED器件结构及制作方法，其结构的外延层由背面至正面按序包括n‑GaN层、MQW和p‑GaN层，并通过由正面蚀刻至n‑GaN层形成发光台面，第一电流扩展层设于发光台面的p‑Ga...; 吴挺竹刘涛铭刘时彪郭文安吕毅军陈忠

AlGaN基UV LED光提取效率高的金属纳米结构及其制备方法: 本申请涉及一种AlGaN基UV LED光提取效率高的金属纳米结构及其制备方法，本发明通过设置AlGaN基UV LED结构，所述AlGaN基UV LED结构上设有出射面，所述出射面上设有纳米图案，所述纳米图案上设有纳米颗粒...; 刘欢王铠尧杨涛梁田泓

UVLED的双层金属反射电极、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法: 本发明公开一种UVLED的双层金属反射电极、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法，UVLED的双层金属反射电极包括第一金属反射层、介质层、接触层和第二金属反射层；其中，第二金属反射层、介质层和第一金属反射层沿外延...; 谭起龙刘宁炀王长安李祈昕曾昭烩曹梦任涵陈志涛

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周圣军: 作品数：157被引量：37H指数：4; 供职机构：武汉大学; 研究主题：LED芯片光提取效率倒装半导体发光器件多量子阱

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